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题名用表面粗糙度测量仪测量材料微小去除量
被引量：1
- 1
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作者
杨卫平
徐家文
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机构
南京航空航天大学机电学院
南京航空航天大学
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出处
《工具技术》
北大核心
2007年第10期50-51,共2页
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文摘
抛光加工工艺的材料去除量非常微小,因此难以对该材料去除量进行精确测量。本文采用常用表面粗糙度测量仪对反映硅片抛光材料去除量的抛光深度进行了简易、快速和实用的测量,较好地解决了微小去除量的测量问题,并通过实例证明该方法可行。
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关键词
抛光
材料微小去除量
测量
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Keywords
polishing, material micro-remove rate, measurement
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分类号
TG84
[金属学及工艺—公差测量技术]
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题名硅片边缘化学机械抛光的微小去除量测量
被引量：1
- 2
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作者
杨卫平
吴勇波
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机构
江西农业大学工学院
秋田县立大学
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出处
《工具技术》
2010年第2期109-110,共2页
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文摘
针对硅片化学机械抛光工艺的材料去除量非常微小并难以测量的问题,本文介绍一种采用表面粗糙度测量仪,对硅片边缘化学机械抛光的材料去除量进行一种简易、快速的测量方法,且该方法同时还可准确地测量硅片边缘抛光表面粗糙度值。检测结果表明,本方法较好地解决了硅片边缘化学机械抛光表面检测问题。
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关键词
硅片边缘
化学机械抛光
材料微小去除量
测量
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Keywords
silicon wafer edge
chemical-mechanical polishing
material micro- remove rate
measurement
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分类号
TG580.692
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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