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能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
1
作者
林鸿生
《大学物理》
1998年第4期8-10,共3页
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用．
关键词
能态密度
杂质饱和电离
Gunn效应
半导体物理
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职称材料
题名
能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
1
作者
林鸿生
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《大学物理》
1998年第4期8-10,共3页
文摘
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用．
关键词
能态密度
杂质饱和电离
Gunn效应
半导体物理
Keywords
density of states
saturation ionization of impurities
gunn effect
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
林鸿生
《大学物理》
1998
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