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富铼渣浸出工艺改进试验研究
被引量：
2
1
作者
邵传兵
腾志功
+3 位作者
鲁兴武
汪友元
余江鸿
王长征
《中国有色冶金》
CAS
北大核心
2021年第3期91-94,共4页
针对某铜业公司铼酸铵回收系统铼浸出率不高及产品铼酸铵品位较低的现实情况,将原有的高酸氧化浸出改为单一双氧水体系氧化浸出,采取实验室小型试验研究方式,进行富铼渣浸出工艺改进试验研究。试验结果表明:在双氧水用量400 m L/100 g...
针对某铜业公司铼酸铵回收系统铼浸出率不高及产品铼酸铵品位较低的现实情况,将原有的高酸氧化浸出改为单一双氧水体系氧化浸出,采取实验室小型试验研究方式,进行富铼渣浸出工艺改进试验研究。试验结果表明:在双氧水用量400 m L/100 g渣、时间120 min、浸出温度70℃条件下,浸出液中铼的浓度可达1 988 mg/L,相较原有生产工艺,铼浸出率得到大幅提高,平均达到90%以上;同时杂质铋、砷的浓度分别从110~150 mg/L和260~400 mg/L下降到33.62 mg/L和14.35 mg/L,杂质浸出明显降低。
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关键词
污酸硫化沉淀
含铼高砷高铜硫化渣
铼酸铵
铼
浸
出
率
双氧水
浸
出
过硫酸钠高酸
浸
出
杂质浸出率
有害元素铋、砷
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职称材料
太阳能级多晶硅切割废料的HF酸洗除杂工艺研究
被引量：
1
2
作者
崔晓华
姜胜男
+4 位作者
董开朝
金星
赵静
邢鹏飞
都兴红
《耐火材料》
CAS
北大核心
2018年第6期459-462,共4页
为了更好地回收利用太阳能级多晶硅切割废料,采用蒸馏水将w(HF)=40%的浓氢氟酸稀释后作为浸出液酸洗处理多晶硅切割废料,以除去硅颗粒表面的SiO_2膜并浸出废料中被氧化膜包裹的部分金属杂质,将其提纯成含有碳化硅和硅的原料,并研究了浸...
为了更好地回收利用太阳能级多晶硅切割废料,采用蒸馏水将w(HF)=40%的浓氢氟酸稀释后作为浸出液酸洗处理多晶硅切割废料,以除去硅颗粒表面的SiO_2膜并浸出废料中被氧化膜包裹的部分金属杂质,将其提纯成含有碳化硅和硅的原料,并研究了浸出时间(分别为1、1. 5、2、2. 5、3 h)、浸出液浓度(浓氢氟酸体积分数分别为5%、15%、25%、35%、40%)、浸出温度(分别为15、25、35、45、55℃)、搅拌速度(分别为100、120、150、180、200 r·min^(-1))、液固比(浸出液体积(m L)与切割废料质量(g)之比分别为3 1、3. 5 1、4 1、4. 5 1、5 1)等工艺因素对切割废料杂质浸出率的影响。结果表明,用氢氟酸处理多晶硅切割废料的较优工艺条件为:浸出液中浓氢氟酸体积分数15%,浸出温度15～25℃(室温),浸出时间2. 5 h,浸出液体积(mL)与切割废料质量(g)之比4 1,搅拌速度150 r·min^(-1)。在此条件下进行的验证试验表明,酸洗除杂后的切割废料中Fe杂质浸出率达到98. 83%,SiC和Si的含量(w)分别为87. 34%和12. 51%。可见,酸洗后的切割废料中SiC+Si含量(w)高达99. 85%,可用作生产碳化硅、氮化硅等产品的原料。
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关键词
多晶硅切割废料
氢氟酸
酸洗除杂
杂质浸出率
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职称材料
题名
富铼渣浸出工艺改进试验研究
被引量：
2
1
作者
邵传兵
腾志功
鲁兴武
汪友元
余江鸿
王长征
机构
西北矿冶研究院冶金新材料研究所
甘肃省有色金属冶炼新工艺及伴生稀散金属高效综合利用重点实验室
白银有色集团股份公司铜业公司
出处
《中国有色冶金》
CAS
北大核心
2021年第3期91-94,共4页
文摘
针对某铜业公司铼酸铵回收系统铼浸出率不高及产品铼酸铵品位较低的现实情况,将原有的高酸氧化浸出改为单一双氧水体系氧化浸出,采取实验室小型试验研究方式,进行富铼渣浸出工艺改进试验研究。试验结果表明:在双氧水用量400 m L/100 g渣、时间120 min、浸出温度70℃条件下,浸出液中铼的浓度可达1 988 mg/L,相较原有生产工艺,铼浸出率得到大幅提高,平均达到90%以上;同时杂质铋、砷的浓度分别从110~150 mg/L和260~400 mg/L下降到33.62 mg/L和14.35 mg/L,杂质浸出明显降低。
关键词
污酸硫化沉淀
含铼高砷高铜硫化渣
铼酸铵
铼
浸
出
率
双氧水
浸
出
过硫酸钠高酸
浸
出
杂质浸出率
有害元素铋、砷
Keywords
sulfuration precipitation of contaminated acid
sulfide slag containing rhenium and high arsenic and copper
ammonium rhenium acid
rhenium leaching rate
H2O2 leaching
high acid leaching of sodium persulfate
leaching rate of impurities
hazardous elements bismuth
arsenic
分类号
TF841.8 [冶金工程—有色金属冶金]
TF811 [冶金工程—有色金属冶金]
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职称材料
题名
太阳能级多晶硅切割废料的HF酸洗除杂工艺研究
被引量：
1
2
作者
崔晓华
姜胜男
董开朝
金星
赵静
邢鹏飞
都兴红
机构
东北大学冶金学院
出处
《耐火材料》
CAS
北大核心
2018年第6期459-462,共4页
文摘
为了更好地回收利用太阳能级多晶硅切割废料,采用蒸馏水将w(HF)=40%的浓氢氟酸稀释后作为浸出液酸洗处理多晶硅切割废料,以除去硅颗粒表面的SiO_2膜并浸出废料中被氧化膜包裹的部分金属杂质,将其提纯成含有碳化硅和硅的原料,并研究了浸出时间(分别为1、1. 5、2、2. 5、3 h)、浸出液浓度(浓氢氟酸体积分数分别为5%、15%、25%、35%、40%)、浸出温度(分别为15、25、35、45、55℃)、搅拌速度(分别为100、120、150、180、200 r·min^(-1))、液固比(浸出液体积(m L)与切割废料质量(g)之比分别为3 1、3. 5 1、4 1、4. 5 1、5 1)等工艺因素对切割废料杂质浸出率的影响。结果表明,用氢氟酸处理多晶硅切割废料的较优工艺条件为:浸出液中浓氢氟酸体积分数15%,浸出温度15～25℃(室温),浸出时间2. 5 h,浸出液体积(mL)与切割废料质量(g)之比4 1,搅拌速度150 r·min^(-1)。在此条件下进行的验证试验表明,酸洗除杂后的切割废料中Fe杂质浸出率达到98. 83%,SiC和Si的含量(w)分别为87. 34%和12. 51%。可见,酸洗后的切割废料中SiC+Si含量(w)高达99. 85%,可用作生产碳化硅、氮化硅等产品的原料。
关键词
多晶硅切割废料
氢氟酸
酸洗除杂
杂质浸出率
Keywords
polysilicon cutting waste
hydr ofluoric acid
acid pickling and impurity removal
leaching rate of impurities
分类号
TQ175 [化学工程—硅酸盐工业]
TF065.1 [冶金工程—冶金物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
富铼渣浸出工艺改进试验研究
邵传兵
腾志功
鲁兴武
汪友元
余江鸿
王长征
《中国有色冶金》
CAS
北大核心
2021
2
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职称材料
2
太阳能级多晶硅切割废料的HF酸洗除杂工艺研究
崔晓华
姜胜男
董开朝
金星
赵静
邢鹏飞
都兴红
《耐火材料》
CAS
北大核心
2018
1
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职称材料
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