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双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化: 1; 作者王昱琳叶玉堂 +3 位作者吴云峰赵爱英焦世龙范超《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-10,共5页; 激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质... 展开更多; 关键词激光诱导扩散双次曝光积分效应扩散杂质浓度分布均匀化整形; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶体硅扩散层有效杂质的浓度分布被引量：2: 2; 作者屈盛刘祖明 +1 位作者廖华陈庭金《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期295-299,共5页; 在求解半导体扩散层中有效杂质浓度分布时,如果将半导体的载流子迁移率μ当作常数,所得的结果与实际分布有较大的出入。为了将迁移率的变化考虑到计算中,提出一个分段函数对n型硅的迁移率实验曲线进行拟合。考虑载流子迁移率μ的分布后... 展开更多; 关键词有效杂质浓度分布迁移率分段函数; 在线阅读下载PDF 职称材料

宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计: 3; 作者付强张万荣 +2 位作者金冬月赵彦晓张良浩《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期686-692,共7页; 为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐... 展开更多; 关键词 SiGe异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性杂质浓度分布 GE组分分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

快速晶闸管通态特性的改善被引量：2: 4; 作者刘国辉田石《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期188-192,共5页; 从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂... 展开更多; 关键词快速晶闸管通态特性镓铝双质掺杂杂质浓度分布注入比; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管被引量：1: 5; 作者刘国辉田石《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期30-34,共5页; 介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双... 展开更多; 关键词快速晶闸管镓铝双质掺杂杂质浓度分布图形设计电子辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化: 1; 作者王昱琳叶玉堂吴云峰赵爱英焦世龙范超; 机构电子科技大学光电信息学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-10,共5页; 基金国家自然科学基金资助课题(60277008) 教育部重点科技项目资助课题(03147) 四川省科技厅资助课题(04GG021-020-01); 文摘激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质浓度分布的均匀化整形。对于InP衬底的CO2激光诱导Zn扩散,利用温度闭环测控系统测得的基片表面热斑温度场分布,分析计算了两次激光诱导扩散重叠区域的浓度分布积分效应。在此基础上模拟计算出,用双次曝光积分效应做杂质浓度分布的均匀化整形时,基片上两次激光照射位置的最佳间隔为20μm。这为改进激光诱导扩散工艺,用多次曝光实现面均匀的杂质浓度分布奠定了理论基础。; 关键词激光诱导扩散双次曝光积分效应扩散杂质浓度分布均匀化整形; Keywords Laser induced diffusion Integration effects of twice irradiations Distribution of impurity concentration Homogenization; 分类号 TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶体硅扩散层有效杂质的浓度分布被引量：2: 2; 作者屈盛刘祖明廖华陈庭金; 机构云南师范大学太阳能研究所云南省农村能源工程重点实验室; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期295-299,共5页; 基金云南省科技厅省院省校合作项目(2003JAACA02A04); 文摘在求解半导体扩散层中有效杂质浓度分布时,如果将半导体的载流子迁移率μ当作常数,所得的结果与实际分布有较大的出入。为了将迁移率的变化考虑到计算中,提出一个分段函数对n型硅的迁移率实验曲线进行拟合。考虑载流子迁移率μ的分布后,实验求得的分布曲线与实际分布更加接近了。; 关键词有效杂质浓度分布迁移率分段函数; Keywords effective doping concentration profile mobility diuiding function; 分类号 TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计: 3; 作者付强张万荣金冬月赵彦晓张良浩; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院; 出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期686-692,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61006059) 北京市自然科学基金资助项目(4142007) 北京市教委科技发展计划项目(KM200910005001); 文摘为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱.; 关键词 SiGe异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性杂质浓度分布 GE组分分布; Keywords SiGe heterojunction bipolur transistors（HBTs） temperature sensitivity doping profile Ge profile; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速晶闸管通态特性的改善被引量：2: 4; 作者刘国辉田石; 机构锦州天维电子有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期188-192,共5页; 文摘从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂质浓度分布,增大j3结两侧杂质浓度的比值,在快速晶闸管的制造中,p型扩散工艺采用了固态源闭管式镓铝双质掺杂技术。研究结果表明:采用该技术制造的快速晶闸管,通态基本特性参数具有较好的一致性,通态压降明显降低,通态特性明显改善,关断时间与通态压降的关系也得到了合理的协调,提高了器件的综合电气性能。; 关键词快速晶闸管通态特性镓铝双质掺杂杂质浓度分布注入比; Keywords fast switching thyristor on-state characteristics Ga-Al double-impurity doping distribution of impurity concentration injection ratio; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管被引量：1: 5; 作者刘国辉田石; 机构锦州天维电子有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期30-34,共5页; 文摘介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。; 关键词快速晶闸管镓铝双质掺杂杂质浓度分布图形设计电子辐照; Keywords fast switching thyristor Ga-Al double-impurity doping distribution of impurity concentration graphic design electron irradiation; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化	王昱琳叶玉堂吴云峰赵爱英焦世龙范超	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	晶体硅扩散层有效杂质的浓度分布	屈盛刘祖明廖华陈庭金	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计	付强张万荣金冬月赵彦晓张良浩	《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	快速晶闸管通态特性的改善	刘国辉田石	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管	刘国辉田石	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料