检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

金属薄膜中的杂质散射效应: 1; 作者董正超喻美竹《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1997年第4期40-43,共4页; 考虑到杂质散射效应，运用量子统计的方法，计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率．计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，具有量子尺寸效应．; 关键词杂质散射效应量子尺寸效应金属薄膜量子力学; 在线阅读下载PDF 职称材料

YBa_2Cu_3O_(7-y)体系中掺Zn的杂质散射机理研究: 2; 作者诸葛向彬赵勇《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期52-54,共3页; Zn取代Cu的YB_2Cu_2O_7 体系中,Zn作为杂质散射中心存在于体系中,并推算了Zn杂质的散射截面。; 关键词掺Zn 杂质散射; 在线阅读下载PDF 职称材料

杂质和粗糙界面散射影响下NIS结的隧道谱和束缚态: 3; 作者魏健文《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-83,共5页; 在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导.计算表明:(1)电导峰的位置与绝缘层的厚度密切相关,当绝... 展开更多; 关键词 NIS结杂质散射粗糙界面散射隧道谱束缚态; 在线阅读下载PDF 职称材料

激子绝缘体杂质态的研究: 4; 作者蒋欢欢王锐《南京大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2024年第6期1036-1044,共9页; 激子绝缘体作为电子-空穴束缚对——激子凝聚形成的宏观相干态,自开展其理论研究以来,一直未能在实际材料中找到明确证据证明激子绝缘体在实验中的实现.理论探究更多新奇体系、寻找更多可实现激子绝缘体的候选材料,仍是当前热门的研究课... 展开更多; 关键词激子绝缘体杂质散射效应平均场理论 T矩阵近似; 在线阅读下载PDF 职称材料

n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型被引量：1: 5; 作者王平杨银堂屈汉章《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期538-542,584,共6页; 采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温... 展开更多; 关键词 4H—SiC 电子霍耳迁移率霍耳散射因子中性杂质散射补偿率; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究: 6; 作者王平杨燕 +3 位作者杨银堂屈汉章崔占东付俊兴《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1512-1515,共4页; 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随... 展开更多; 关键词 4H-SIC 蒙特卡罗研究中性杂质散射饱和漂移速度; 在线阅读下载PDF 职称材料

SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析: 7; 作者张文华《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期61-63,共3页; 等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡... 展开更多; 关键词电导率电子补偿杂质散射晶界电阻氧化锡三氧化二铁复合膜电导机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纤维温度传感器的感温机理及其应用研究被引量：4: 8; 作者郑锦涛温锦秀 +5 位作者胡晓燕胡凤鸣陈国宁黄景诚陈智明罗坚义《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期461-466,共6页; 碳基材料的温度传感机理研究报道中很少讨论碳材料的固有杂质对温度响应的影响,因此选择了杂质和缺陷较多的碳纤维丝束作为研究对象,研究杂质散射机理与其温度响应的关系。基于杂质散射机理和碳纤维的几何特点,分析了碳纤维的感温机理,... 展开更多; 关键词杂质散射机理碳纤维标定公式柔性温度传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响: 9; 作者甘柳忠吴炳俊 +2 位作者黄烽李明谢斌《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期699-705,共7页; 利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导... 展开更多; 关键词 AZO薄膜自由基辅助磁控溅射中性杂质散射掺杂效率后退火处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属薄膜中的杂质散射效应: 1; 作者董正超喻美竹; 机构淮阴师范学院物理系; 出处《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1997年第4期40-43,共4页; 基金江苏省教委科研基金; 文摘考虑到杂质散射效应，运用量子统计的方法，计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率．计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，具有量子尺寸效应．; 关键词杂质散射效应量子尺寸效应金属薄膜量子力学; Keywords impurities scattering effect quantum size effect relaxation time conductivity; 分类号 O413.1 [理学—理论物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名YBa_2Cu_3O_(7-y)体系中掺Zn的杂质散射机理研究: 2; 作者诸葛向彬赵勇; 机构浙江大学物理学系; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期52-54,共3页; 基金霍英东青年教师基金国家自然科学基金; 文摘 Zn取代Cu的YB_2Cu_2O_7 体系中,Zn作为杂质散射中心存在于体系中,并推算了Zn杂质的散射截面。; 关键词掺Zn 杂质散射; 分类号 N55 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名杂质和粗糙界面散射影响下NIS结的隧道谱和束缚态: 3; 作者魏健文; 机构淮阴师范学院物理系; 出处《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-83,共5页; 基金江苏省教育厅自然科学基金(04KJD140036)资助的课题; 文摘在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导.计算表明:(1)电导峰的位置与绝缘层的厚度密切相关,当绝缘层厚度具有几个相干长度时,隧道谱中的能级谐振峰数目增多,从而在超导能隙内形成一些束缚态;(2)粗糙界面散射和绝缘层中的杂质散射均能有效地压低电导峰,由此可解释理论与实验间尚存的偏差.; 关键词 NIS结杂质散射粗糙界面散射隧道谱束缚态; Keywords NIS junctions impurities scattering rough interface scattering tunneling spectra bound state; 分类号 O511.4 [理学—低温物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激子绝缘体杂质态的研究: 4; 作者蒋欢欢王锐; 机构南京大学物理学院; 出处《南京大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2024年第6期1036-1044,共9页; 基金国家自然科学基金(12322402,12274206); 文摘激子绝缘体作为电子-空穴束缚对——激子凝聚形成的宏观相干态,自开展其理论研究以来,一直未能在实际材料中找到明确证据证明激子绝缘体在实验中的实现.理论探究更多新奇体系、寻找更多可实现激子绝缘体的候选材料,仍是当前热门的研究课题.以杂质为探针,利用平均场理论以及T矩阵近似的方法,系统地探究了以半导体、普通半金属和狄拉克半金属为母体材料形成的激子绝缘体体系,发现非磁性杂质在激子绝缘体中具有拆对效应,诱导产生束缚态.对于以普通半金属和半导体为母体材料的激子绝缘体,带内及带间杂质散射对束缚态能级位置及数目具有显著调制效应.相较之下,以狄拉克半金属为母体材料的激子绝缘体中的束缚态能级几乎不受杂质散射的影响.此外,杂质束缚态在三种不同母体激子绝缘体中表现出截然不同的能量特征,在普通半金属和半导体的激子绝缘体中可以产生能量较低的能隙间束缚态,且前者能量更低,而以狄拉克半金属为母态的激子绝缘体中的束缚态能级紧靠能隙边缘.; 关键词激子绝缘体杂质散射效应平均场理论 T矩阵近似; Keywords excitonic insulator impurity scattering effect mean‐field theory T‐matrix approximation; 分类号 O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型被引量：1: 5; 作者王平杨银堂屈汉章; 机构西安电子科技大学微电子研究所西安邮电学院信息与控制系; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期538-542,584,共6页; 基金教育部重点资助项目(02074) 国家部委科技预研基金资助项目(51408010601DZ1032); 文摘采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大.; 关键词 4H—SiC 电子霍耳迁移率霍耳散射因子中性杂质散射补偿率; Keywords Electron mobility Energy gap Hall effect Numerical methods Silicon carbide; 分类号 TN304.0 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究: 6; 作者王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴; 机构西安电子科技大学微电子学院西安邮电学院信控系中国电子科技集团公司第; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1512-1515,共4页; 基金教育部重点资助项目(No.02074) 国防科技预研基金(No.51408010601DZ1032); 文摘在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.; 关键词 4H-SIC 蒙特卡罗研究中性杂质散射饱和漂移速度; Keywords 4H-SiC Monte Carlo study neutral impurity scattering saturation velocity; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析: 7; 作者张文华; 机构华中师范大学化学系; 出处《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期61-63,共3页; 基金国家自然科学基金资助课题 !(880 1 0 1 0 2 ); 文摘等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡与铁在过渡层中浓度接近时 ,杂质散射和晶界电阻增大。; 关键词电导率电子补偿杂质散射晶界电阻氧化锡三氧化二铁复合膜电导机理; Keywords electrical conductivity electrical- compensation reflection of donor grain interfaces risistivity defect centers associatio; 分类号 O484.42 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纤维温度传感器的感温机理及其应用研究被引量：4: 8; 作者郑锦涛温锦秀胡晓燕胡凤鸣陈国宁黄景诚陈智明罗坚义; 机构五邑大学应用物理与材料学院柔性传感材料与器件研究中心五邑大学智能制造学部五邑大学柔性传感技术联合实验室; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期461-466,共6页; 基金国家自然科学基金(12004285) 广东省基础与应用基础研究基金(2019A1515111190) +7 种基金广东省合作办学平台([2016]31) 广东大学生科技创新培育专项资金项目(pdjh2021b0509)。; 文摘碳基材料的温度传感机理研究报道中很少讨论碳材料的固有杂质对温度响应的影响,因此选择了杂质和缺陷较多的碳纤维丝束作为研究对象,研究杂质散射机理与其温度响应的关系。基于杂质散射机理和碳纤维的几何特点,分析了碳纤维的感温机理,并提出了相应的温度标定公式,即碳纤维在123.15 K至423.15 K的宽温度范围内,电导G对温度T^(3/2)具有良好的线性响应。两者的变化量可定义为碳纤维丝束温度传感器的灵敏度,此温度传感器的灵敏度可以通过灵活调控碳纤维的几何结构和化学掺杂来改变,这进一步验证了碳纤维的电荷传输行为在123 K~423 K的温度范围都符合杂质散射。此外,结合温度标定公式和无线蓝牙电路,设计出一种响应时间快达0.6 s的便携式柔性温度传感器,可快速、实时地监测人体和环境温度。; 关键词杂质散射机理碳纤维标定公式柔性温度传感器; Keywords impurity scattering mechanism carbon fiber calibration formula flexible temperature sensor; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TQ342.74 [化学工程—化纤工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响: 9; 作者甘柳忠吴炳俊黄烽李明谢斌; 机构中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室; 出处《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期699-705,共7页; 基金国家自然科学基金(50772109)资助; 文摘利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1.; 关键词 AZO薄膜自由基辅助磁控溅射中性杂质散射掺杂效率后退火处理; Keywords AZO films radical assisted magnetron sputtering neutral impurity scattering doping efficiency post-annealing treatment; 分类号 O472 [理学—半导体物理] O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	金属薄膜中的杂质散射效应	董正超喻美竹	《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	YBa_2Cu_3O_(7-y)体系中掺Zn的杂质散射机理研究	诸葛向彬赵勇	《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	杂质和粗糙界面散射影响下NIS结的隧道谱和束缚态	魏健文	《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	激子绝缘体杂质态的研究	蒋欢欢王锐	《南京大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型	王平杨银堂屈汉章	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究	王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析	张文华	《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	碳纤维温度传感器的感温机理及其应用研究	郑锦涛温锦秀胡晓燕胡凤鸣陈国宁黄景诚陈智明罗坚义	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2022	4	在线阅读下载PDF 职称材料
9	氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响	甘柳忠吴炳俊黄烽李明谢斌	《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料