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用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜
被引量：
1
1
作者
宋佩珂
曾祥斌
+1 位作者
张锐
赵伯芳
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A04期1492-1494,共3页
带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算...
带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙，为约1．87eV，衬底温度为180℃，放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳。
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关键词
本征非晶硅薄膜
HIT
PECVD
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职称材料
a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究
被引量：
2
2
作者
何玉平
黄海宾
+1 位作者
龚洪勇
周浪
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期970-974,共5页
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外...
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和SiH2键构成对n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）表面钝化效果的影响。结果表明：1掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;2在200-350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;3a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化。
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关键词
掺氧
热处理
本征非晶硅薄膜
钝化
SiH键
SiH2键
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职称材料
题名
用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜
被引量：
1
1
作者
宋佩珂
曾祥斌
张锐
赵伯芳
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A04期1492-1494,共3页
基金
基金项目：国家“863”计划项目（2006AA052406）
文摘
带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙，为约1．87eV，衬底温度为180℃，放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳。
关键词
本征非晶硅薄膜
HIT
PECVD
Keywords
intrinsic amorphous silicon film
HIT
PECVD
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究
被引量：
2
2
作者
何玉平
黄海宾
龚洪勇
周浪
机构
南昌大学光伏研究院
南昌工程学院理学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期970-974,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306084
61464007)
+1 种基金
教育部博士点基金资助项目(20113601120006)
江西省教育厅青年基金资助项目(GJJ13010)
文摘
n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和SiH2键构成对n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）表面钝化效果的影响。结果表明：1掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;2在200-350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;3a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化。
关键词
掺氧
热处理
本征非晶硅薄膜
钝化
SiH键
SiH2键
Keywords
Doping-oxygen
Thermal annealing
Intrinsic amorphous silicon films
Passivation
SiH bond
SiH2 bond
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜
宋佩珂
曾祥斌
张锐
赵伯芳
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究
何玉平
黄海宾
龚洪勇
周浪
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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职称材料
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