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InP系列多薄层材料本征辐射复合光荧光谱研究
1
作者
丁国庆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期36-41,共6页
报告了ＩｎＰ系列异质结构材料几种典型的本征辐射复合付立叶变换光荧光谱。观察到压应变量子阱结构材料１０Ｋ下光荧光峰所对应的能隙却比室温（２９５Ｋ）下的能隙小的事实，指出了带间辐射复合光荧光峰双峰结构是室温下轻掺杂体材料...
报告了ＩｎＰ系列异质结构材料几种典型的本征辐射复合付立叶变换光荧光谱。观察到压应变量子阱结构材料１０Ｋ下光荧光峰所对应的能隙却比室温（２９５Ｋ）下的能隙小的事实，指出了带间辐射复合光荧光峰双峰结构是室温下轻掺杂体材料光荧光谱的本征特征，分析和讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质材料光荧光谱正常和异常温度特性。光荧光谱对确定多元化合物能带结构、组分。
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关键词
本征辐射复合光
荧
光
光
谱
磷化铟
多薄层材料
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职称材料
题名
InP系列多薄层材料本征辐射复合光荧光谱研究
1
作者
丁国庆
机构
武汉电信器件公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期36-41,共6页
文摘
报告了ＩｎＰ系列异质结构材料几种典型的本征辐射复合付立叶变换光荧光谱。观察到压应变量子阱结构材料１０Ｋ下光荧光峰所对应的能隙却比室温（２９５Ｋ）下的能隙小的事实，指出了带间辐射复合光荧光峰双峰结构是室温下轻掺杂体材料光荧光谱的本征特征，分析和讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质材料光荧光谱正常和异常温度特性。光荧光谱对确定多元化合物能带结构、组分。
关键词
本征辐射复合光
荧
光
光
谱
磷化铟
多薄层材料
分类号
O433.5 [机械工程—光学工程]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP系列多薄层材料本征辐射复合光荧光谱研究
丁国庆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
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