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题名本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
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作者
葛超洋
杨强
李燕妃
孙家林
谢儒彬
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
集成电路与微系统全国重点实验室
电子科技大学集成电路科学与工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第11期1036-1042,共7页
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文摘
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。
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关键词
双极器件
总电离剂量(TID)辐射
本征基区
0.18μm
BCD工艺
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Keywords
bipolar device
total ionizing dose(TID)radiation
intrinsic base region
0.18μm
BCD process
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
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