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题名光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管
被引量：1
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作者
尹顺政
齐利芳
赵永林
张豫黔
车向辉
张宇
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期759-763,共5页
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文摘
针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5-12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。
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关键词
InP
吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(SAGCM
APD)
雪崩
本地电场模型
光通信
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Keywords
In P
absorption
grading
charge and multiplication avalanche photodiode（SAGCM APD）
avalanche
local field model
optical communication
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分类号
TN304.26
[电子电信—物理电子学]
TN364.2
[电子电信—物理电子学]
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