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适合于本体微机械加工的改进的MOSIC工艺
1
作者
李栓庆
《半导体情报》
1997年第2期51-54,共4页
介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ（乙二胺－焦儿苯酚混合物）进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性，这对ＫＯＨ腐蚀是非...
介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ（乙二胺－焦儿苯酚混合物）进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性，这对ＫＯＨ腐蚀是非常重要的。
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关键词
本体微机械加工
MOS
集成电路
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职称材料
下世纪初微电子机械系统的发展
被引量：
3
2
作者
李栓庆
《半导体情报》
1997年第2期11-22,共12页
介绍了微电子机械系统的四种基本制作技术，即本体微机械加工、表面微机械加工、铸模工艺和晶片键合工艺。重点讨论了实现微系统突破的集成工艺技术。最后简单概述了传感器。
关键词
本体微机械加工
微电子机
械
系统
半导体技术
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职称材料
题名
适合于本体微机械加工的改进的MOSIC工艺
1
作者
李栓庆
出处
《半导体情报》
1997年第2期51-54,共4页
文摘
介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ（乙二胺－焦儿苯酚混合物）进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性，这对ＫＯＨ腐蚀是非常重要的。
关键词
本体微机械加工
MOS
集成电路
分类号
TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
下世纪初微电子机械系统的发展
被引量：
3
2
作者
李栓庆
机构
电子工业部第十三研究所
出处
《半导体情报》
1997年第2期11-22,共12页
文摘
介绍了微电子机械系统的四种基本制作技术，即本体微机械加工、表面微机械加工、铸模工艺和晶片键合工艺。重点讨论了实现微系统突破的集成工艺技术。最后简单概述了传感器。
关键词
本体微机械加工
微电子机
械
系统
半导体技术
Keywords
Bulk micromachining Surface micromachining Micro Electro Mechanical System Sensor Actuator
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
适合于本体微机械加工的改进的MOSIC工艺
李栓庆
《半导体情报》
1997
0
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职称材料
2
下世纪初微电子机械系统的发展
李栓庆
《半导体情报》
1997
3
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