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一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路
1
作者
陈碧超
赵恒
《光通信技术》
2023年第6期38-41,共4页
为了解决传统T型偏置器(Bias-T)在硅基高速调制器测试过程中,因直流(DC)源导通/截止或者链路产生热插拔时容易导致高速信号源出现不可逆的损坏问题,首先分析了问题产生的原因和常规解决方法的优缺点,然后设计了一种用于硅基高速调制器...
为了解决传统T型偏置器(Bias-T)在硅基高速调制器测试过程中,因直流(DC)源导通/截止或者链路产生热插拔时容易导致高速信号源出现不可逆的损坏问题,首先分析了问题产生的原因和常规解决方法的优缺点,然后设计了一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路。该电路在传统Bias-T基础上利用微波放大器芯片中晶体管的特性来隔离直流源在馈电导通/截止或者热插拔时产生的冲击电压。最后,对有源Bias-T电路进行了仿真设计和测试。测试结果表明:该电路带宽大于25 GHz,脉冲电压为±0.055 V左右,消除了信号源设备损坏的风险。
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关键词
硅基高速调制
器
热插拔
有源t型偏置器
信号抑制
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职称材料
题名
一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路
1
作者
陈碧超
赵恒
机构
联合微电子中心有限责任公司
出处
《光通信技术》
2023年第6期38-41,共4页
文摘
为了解决传统T型偏置器(Bias-T)在硅基高速调制器测试过程中,因直流(DC)源导通/截止或者链路产生热插拔时容易导致高速信号源出现不可逆的损坏问题,首先分析了问题产生的原因和常规解决方法的优缺点,然后设计了一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路。该电路在传统Bias-T基础上利用微波放大器芯片中晶体管的特性来隔离直流源在馈电导通/截止或者热插拔时产生的冲击电压。最后,对有源Bias-T电路进行了仿真设计和测试。测试结果表明:该电路带宽大于25 GHz,脉冲电压为±0.055 V左右,消除了信号源设备损坏的风险。
关键词
硅基高速调制
器
热插拔
有源t型偏置器
信号抑制
Keywords
silicon-based high-speed modula
t
or
ho
t
swap
ac
t
ive Bias-
t
signal suppression
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路
陈碧超
赵恒
《光通信技术》
2023
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