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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
被引量：
8
1
作者
王中健
王龙彦
+2 位作者
马仙梅
付国柱
荆海
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期210-216,共7页
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高...
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
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关键词
透明非晶态氧化物半导体
薄膜晶体管
有源
矩阵
有机发光二极管
有源矩阵电泳显示器
集约化模型
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职称材料
题名
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
被引量：
8
1
作者
王中健
王龙彦
马仙梅
付国柱
荆海
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心
中国科学院研究生院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期210-216,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60576056)
长春市高技术成果产业化计划项目(No.2006303)
文摘
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
关键词
透明非晶态氧化物半导体
薄膜晶体管
有源
矩阵
有机发光二极管
有源矩阵电泳显示器
集约化模型
Keywords
transparent amorphous oxide semiconductors
thin-film transistors
active matrix organic light emitting diode
active matrix electrophoretic display
compact model
分类号
TN911.72 [电子电信—通信与信息系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
王中健
王龙彦
马仙梅
付国柱
荆海
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
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