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高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用
被引量：
5
1
作者
王文
孟志国
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002年第5期323-330,共8页
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅...
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术 ,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。
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关键词
金属单向诱导横向晶化
多晶硅薄膜晶体管
有源平板显示器
有源
矩阵液晶
显示器
有源
矩阵
有机发光二极管
显示器
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职称材料
题名
高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用
被引量：
5
1
作者
王文
孟志国
郭海成
机构
香港科技大学电机电子工程系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002年第5期323-330,共8页
文摘
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术 ,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。
关键词
金属单向诱导横向晶化
多晶硅薄膜晶体管
有源平板显示器
有源
矩阵液晶
显示器
有源
矩阵
有机发光二极管
显示器
Keywords
metal induced laterally crystallization
poly Si thin film transistor
flat panel displays
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用
王文
孟志国
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002
5
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