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基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升
1
作者 李强 丁莉峰 +4 位作者 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期23-31,共9页
电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定... 电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力。测试结果表明,经过60d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91%,电流开关比降低到原来的81.90%,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法。 展开更多
关键词 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 有机薄膜晶体管(otft) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混
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多层栅介质层有机薄膜晶体管的存储与光响应特性 被引量：5
2
作者 王伟 马东阁 +2 位作者 高强 石家纬 曹军胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期729-735,共7页
在真空室内一次性制备了具有多层栅介质层结构的有机薄膜晶体管(OTFTs)。结果表明,制备的OTFTs具有电控开关、存储和光敏多重功能特性。分析认为,存储特性归功于器件的结构,采用了分离的CaF2纳米粒子岛作为电荷俘获中心。在光照环境下,... 在真空室内一次性制备了具有多层栅介质层结构的有机薄膜晶体管(OTFTs)。结果表明,制备的OTFTs具有电控开关、存储和光敏多重功能特性。分析认为,存储特性归功于器件的结构,采用了分离的CaF2纳米粒子岛作为电荷俘获中心。在光照环境下,观察到了两种不同类型的光响应特性。快速的光响应来自于有源层吸收了能量大于带隙的光子所产生的可移动的电荷,慢的光响应归因于电场作用下光感应的电子在栅介质陷阱的俘获与释放。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 存储效应 光响应
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有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展 被引量：2
3
作者 谢光忠 吴寸雪 +3 位作者 蒋亚东 太惠玲 苏元捷 杜晓松 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期664-673,共10页
重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管(OTFT)气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜(CuPc)薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结... 重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管(OTFT)气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜(CuPc)薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结构参数进行了优化,研究了其对H_2S气体的敏感特性。同时制备了P3HT-ZnO纳米棒的复合薄膜、P3HT单层薄膜、P3HT-MoS_2分层膜和复合膜的有机薄膜晶体管气体传感器,系统地分析了OTFT器件的电学性能和气敏特性。 展开更多
关键词 复合薄膜 气体传感器 分层薄膜 有机薄膜晶体管 P3HT薄膜
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蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管 被引量：4
4
作者 王伟 石家纬 +5 位作者 郭树旭 刘明大 张宏梅 梁昌 全宝富 马东阁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期203-206,共4页
以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电... 以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。 展开更多
关键词 全蒸镀 全有机薄膜场效应晶体管
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喷墨印刷制备有机薄膜晶体管及其电路的研究进展 被引量：2
5
作者 张平 胡文华 +2 位作者 景亚霓 唐正宁 钟传杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期34-39,共6页
有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景。喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法。文章综述了近年来基于喷墨印... 有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景。喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法。文章综述了近年来基于喷墨印刷技术制备有机薄膜晶体管的研究进展,探讨了在制造过程中存在的问题。 展开更多
关键词 喷墨印刷 有机薄膜晶体管 有机电路 微图案化
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双栅酞菁铜有机薄膜晶体管 被引量：2
6
作者 宋林 徐征 +3 位作者 赵谡玲 张福俊 黄金昭 黄金英 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期393-397,共5页
有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管... 有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5V,场效应迁移率0.025cm2/V.s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 双栅 酞菁铜
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有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究 被引量：2
7
作者 严剑飞 吴志明 +2 位作者 太惠玲 李娴 付嵩琦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期361-364,共4页
采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻... 采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40。 展开更多
关键词 刻蚀 有机薄膜晶体管 钛/金 最佳工艺条件
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2,5-二(2-菲基)-[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用 被引量：2
8
作者 田洪坤 史建武 +3 位作者 闫东航 王利祥 耿延候 王佛松 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1677-1679,共3页
近年来，有机薄膜晶体管（OTFFs）因其成本低、加工简便，特别适用于制备大面积柔性器件而引起人们的广泛关注．并苯类化合物和噻吩衍生物是目前最重要的两类高迁移率OTFT材料．由并五苯制备的多晶OTFFs器件迁移率可达到5cm^2／（V... 近年来，有机薄膜晶体管（OTFFs）因其成本低、加工简便，特别适用于制备大面积柔性器件而引起人们的广泛关注．并苯类化合物和噻吩衍生物是目前最重要的两类高迁移率OTFT材料．由并五苯制备的多晶OTFFs器件迁移率可达到5cm^2／（V·s）；烷基修饰齐聚噻吩的场致迁移率也可达到非晶硅[0．1～1cm^2／（V·s）]的水平．但是，这两类材料具有较窄的能隙和较高的最高被占分子轨道（HOMO）能级，容易与空气中的氧气和水发生作用，所制备的器件在空气中衰减较快， 展开更多
关键词 菲 [3 2-b]并二噻吩 有机半导体 薄膜晶体管
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基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管 被引量：6
9
作者 王晓鸿 邱龙臻 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期857-862,共6页
选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混... 选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 cm2.V-1.s-1,开关电流比为5×103,阈值电压为45.5 V。原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显的垂直相分离,在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 半导体/绝缘聚合物 相分离 电性能
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有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管 被引量：1
10
作者 李桂锋 冯佳涵 +1 位作者 周俊 张群 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期558-560,共3页
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明... 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 PVP有机介质层 铟锌氧化物
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新型并三苯有机薄膜晶体管
11
作者 王鹏 李东仓 +2 位作者 陈金伙 胡加兴 张福甲 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期85-88,共4页
以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2．34×10-2cm2／... 以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2．34×10-2cm2／(V·s),跨导为0．49 μs． 展开更多
关键词 并三苯 环氧树脂 有机薄膜场效应晶体管
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溶液法制备有机薄膜晶体管的碳纳米管电极
12
作者 王晓鸿 胡大庆 +1 位作者 丁运生 邱龙臻 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期782-786,共5页
采用十二烷基磺酸钠(SDS)和聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)做分散剂制备了分散性能良好的多壁碳纳米管溶液,借助聚二甲基硅氧烷(PDMS)在硅片表面形成亲水疏水区域,采用溶液法制备了图案化的碳纳米管薄膜电极。应用图... 采用十二烷基磺酸钠(SDS)和聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)做分散剂制备了分散性能良好的多壁碳纳米管溶液,借助聚二甲基硅氧烷(PDMS)在硅片表面形成亲水疏水区域,采用溶液法制备了图案化的碳纳米管薄膜电极。应用图案化碳纳米管电极制作聚(3-己基噻吩)有机薄膜晶体管,以SDS和PEDOT/PSS为分散剂获得的器件迁移率分别为0.01 cm2.V-1.s-1和0.007 5 cm2.V-1.s-1,开关电流比均为3×103。 展开更多
关键词 多壁碳纳米管 溶液法 有机薄膜晶体管 电极 图案化
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一种精确的有机薄膜晶体管模型参数提取方法研究
13
作者 尹飞飞 徐征 +4 位作者 赵谡玲 乔泊 张成文 陈跃宁 徐叙瑢 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期281-286,共6页
提出了一种可以精确获得有机薄膜晶体管(OTFT)的直流电流-电压模型中的参数提取方法。该方法通过对实验获得的输出特性曲线和转移特性曲线进行计算和处理,精确获得OTFT器件模型中的7个参数。实验制备了两种采用不同绝缘栅的基于并五苯... 提出了一种可以精确获得有机薄膜晶体管(OTFT)的直流电流-电压模型中的参数提取方法。该方法通过对实验获得的输出特性曲线和转移特性曲线进行计算和处理,精确获得OTFT器件模型中的7个参数。实验制备了两种采用不同绝缘栅的基于并五苯的底栅顶接触的OTFT,并对其进行了参数提取。利用提取的参数及直流电流-电压模型对OTFT进行模拟,将模拟结果与实验测试结果相比较发现,模拟得到的输出特性及转移特性与测试结果拟合得很好,验证了本文中参数提取方法的正确性。应用建立的模型及本文中的参数提取方法可以用于OTFT器件的设计与模拟。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 直流电流-电压模型 参数提取
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MoO_3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响
14
作者 徐洁 李青 +1 位作者 林慧 王洪 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期941-943,共3页
以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V... 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 A,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。 展开更多
关键词 空穴迁移率 MoO3缓冲层 有机薄膜晶体管 阈值电压
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基于薄膜晶体管的冠状病毒检测研究进展
15
作者 涂建新 郝魁 +1 位作者 孙乐 李爱军 《上海大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2024年第6期989-1005,共17页
薄膜晶体管(thin-film transistors,TFTs)已广泛应用于生物电子学领域,用来检测代谢物、核酸、蛋白质、细胞活动和电生理信号.在新冠病毒大流行期间,基于TFTs的COVID-19生物传感器展现出良好的性能和高应用潜力.石墨烯场效应晶体管(grap... 薄膜晶体管(thin-film transistors,TFTs)已广泛应用于生物电子学领域,用来检测代谢物、核酸、蛋白质、细胞活动和电生理信号.在新冠病毒大流行期间,基于TFTs的COVID-19生物传感器展现出良好的性能和高应用潜力.石墨烯场效应晶体管(graphene field-effect transistors,GFETs)、氧化物薄膜晶体管、有机场效应晶体管(organic field-effect transistors,OFETs)和有机电化学晶体管(organic electrochemical transistors,OECTs)等薄膜晶体管在病毒、RNA、抗原、抗体的检测中均取得了良好的结果.总结了基于薄膜晶体管的新冠病毒和相关生物标志物检测的生物传感器,讨论了基于不同沟道材料晶体管的传感策略.最后,对未来薄膜晶体管应用于病毒检测的研究方向提出展望. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 生物传感器 冠状病毒检测 有机电化学晶体管 有机场效应晶体管
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高性能顶栅结构有机薄膜晶体管 被引量：4
16
作者 洪飞 谭莉 +5 位作者 朱棋锋 向长江 韩学斌 张其国 郭晓东 申剑锋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期313-317,共5页
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top... 采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6cm2/V.s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁
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石墨烯电极有机薄膜晶体管研究 被引量：8
17
作者 陈世琴 陈梦婕 邱龙臻 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期595-598,共4页
利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs)。原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大... 利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs)。原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大。电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率。转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103。基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效应迁移率约2×10-2 cm2.V-1.s-1。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 层状石墨烯 图案化 电性能
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有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究 被引量：6
18
作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第3期168-173,共6页
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场... 研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 阈值电压漂移 栅绝缘膜陷阱 C-V特性
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n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能(英文) 被引量：2
19
作者 李谊 刘琪 +2 位作者 蔡婧 王喜章 胡征 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2621-2625,共5页
在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl）-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide（NTCDI-C8... 在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl）-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide（NTCDI-C8F）和N,N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide（PTCDI-C8）层后,器件的阈值电压由-19.4V显著降低到-1.8和-8.7V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在10^5~10^6。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 n-型有机半导体 插入层 阈值电压 迁移率
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低电压有机薄膜晶体管驱动顶发射有机发光二极管的集成像素的研制 被引量：2
20
作者 胡胜坤 金玉 +1 位作者 吴志军 王伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1370-1375,共6页
研究了有机薄膜晶体管(OTFT)驱动顶发射有机发光二极管(OLED)的集成制备技术。通过减小栅绝缘层的厚度,达到降低OTFT工作电压的目的。OLED采用标准的绿光器件,利用超薄的Al薄膜作为半透明阴极实现顶发射功能。实现了低电压工作的OTFT与... 研究了有机薄膜晶体管(OTFT)驱动顶发射有机发光二极管(OLED)的集成制备技术。通过减小栅绝缘层的厚度,达到降低OTFT工作电压的目的。OLED采用标准的绿光器件,利用超薄的Al薄膜作为半透明阴极实现顶发射功能。实现了低电压工作的OTFT与顶发射OLED的集成,其中OTFT的阈值电压为2.0 V,饱和场效应迁移率为0.40 cm2·V-1·s-1。基于实验数据,对集成像素的电特性进行了计算分析,在-5^-10 V的栅电压调控下,像素亮度能在50~250 cd/m2的范围内实现线性灰度调控。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 有机发光二极管 集成像素 灰度控制
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