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关于结构振型参与系数和振型贡献的分析
被引量：
19
1
作者
孙广俊
李爱群
《防灾减灾工程学报》
CSCD
2009年第5期485-490,共6页
采用振型分解反应谱法求解多自由度弹性体系的地震反应时,为了在满足所需计算精度的前提下减少工作量,需要对振型数量进行合理的选择,而振型数的确定主要取决于结构各阶振型对总体反应的贡献。通过数学推导,对振型贡献及振型数量的选择...
采用振型分解反应谱法求解多自由度弹性体系的地震反应时,为了在满足所需计算精度的前提下减少工作量,需要对振型数量进行合理的选择,而振型数的确定主要取决于结构各阶振型对总体反应的贡献。通过数学推导,对振型贡献及振型数量的选择问题进行了研究。首先,讨论了振型参与系数的性质,在此基础上给出了能够反映结构振型贡献参数的数学表达式,对这些参数的力学含义进行了解释,并给出了相关证明;其次,对有效质量法、振型位移控制法等基于不同振型贡献标准的确定振型数的方法进行了分析比较,指出了其合理性和不足。本文研究对进一步理解结构振型贡献和振型数的选择问题具有一定的理论意义。
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关键词
结构振型
振型参与系数
振型贡献
有效质量法
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职称材料
通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
2
作者
陈其苗
宋禹忻
+5 位作者
张振普
刘娟娟
芦鹏飞
李耀耀
王庶民
龚谦
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期1004-1009,共6页
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖...
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。
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关键词
张应变Ge
量子点
有限元
有效质量法
直接带隙
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职称材料
题名
关于结构振型参与系数和振型贡献的分析
被引量：
19
1
作者
孙广俊
李爱群
机构
东南大学土木工程学院东南大学混凝土及预应力混凝土结构教育部重点实验室
出处
《防灾减灾工程学报》
CSCD
2009年第5期485-490,共6页
基金
国家"十一五"科技支撑计划课题(2006BAJ03A04)资助
文摘
采用振型分解反应谱法求解多自由度弹性体系的地震反应时,为了在满足所需计算精度的前提下减少工作量,需要对振型数量进行合理的选择,而振型数的确定主要取决于结构各阶振型对总体反应的贡献。通过数学推导,对振型贡献及振型数量的选择问题进行了研究。首先,讨论了振型参与系数的性质,在此基础上给出了能够反映结构振型贡献参数的数学表达式,对这些参数的力学含义进行了解释,并给出了相关证明;其次,对有效质量法、振型位移控制法等基于不同振型贡献标准的确定振型数的方法进行了分析比较,指出了其合理性和不足。本文研究对进一步理解结构振型贡献和振型数的选择问题具有一定的理论意义。
关键词
结构振型
振型参与系数
振型贡献
有效质量法
Keywords
structural vibration mode
modal participation factor
modal contribution
effective modal mass method
分类号
TU352.1 [建筑科学—结构工程]
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职称材料
题名
通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
2
作者
陈其苗
宋禹忻
张振普
刘娟娟
芦鹏飞
李耀耀
王庶民
龚谦
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院大学
北京邮电大学信息光子学与光通信研究院
查尔姆斯理工大学
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期1004-1009,共6页
基金
国家自然科学基金(61404153)
国家自然科学基金重点项目(61334004)
+6 种基金
国家自然科学基金创新研究组项目(61321492)
上海浦江人才计划(14PJ1410600)
国家重点基础研究发展规划(973计划)(2014CB643902)
中国科学院战略性先导专项(XDA5-1)
中国科学院重点项目(KGZD-EW-804)
中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新项目
信息功能材料重点实验室开放项目
文摘
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。
关键词
张应变Ge
量子点
有限元
有效质量法
直接带隙
Keywords
tensile-strained Ge
quantum dot
finite element method
effective mass approach
direct band gap
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
关于结构振型参与系数和振型贡献的分析
孙广俊
李爱群
《防灾减灾工程学报》
CSCD
2009
19
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
陈其苗
宋禹忻
张振普
刘娟娟
芦鹏飞
李耀耀
王庶民
龚谦
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
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