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用于射频电路的CMOS器件设计
1
作者
甘学温
程伟
张兴
《中国集成电路》
2002年第9期21-24,共4页
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。
关键词
射频电路
双极晶体管
截止频率
有效沟道长度
深亚微米
最小噪声系数
双极器件
工作频率
电流比
比例缩小
在线阅读
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职称材料
题名
用于射频电路的CMOS器件设计
1
作者
甘学温
程伟
张兴
机构
北京大学微电子所
出处
《中国集成电路》
2002年第9期21-24,共4页
文摘
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。
关键词
射频电路
双极晶体管
截止频率
有效沟道长度
深亚微米
最小噪声系数
双极器件
工作频率
电流比
比例缩小
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
用于射频电路的CMOS器件设计
甘学温
程伟
张兴
《中国集成电路》
2002
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