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用于射频电路的CMOS器件设计
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作者 甘学温 程伟 张兴 《中国集成电路》 2002年第9期21-24,共4页
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。
关键词 射频电路 双极晶体管 截止频率 有效沟道长度 深亚微米 最小噪声系数 双极器件 工作频率 电流比 比例缩小
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