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题名ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展
被引量：10
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作者
陈汉鸿
叶志镇
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机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
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出处
《半导体情报》
2001年第2期37-39,共3页
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基金
博士学科点专项科研基金!(970 335 0 5 )
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文摘
本征的 Zn O为高阻材料 ,电阻率高达 1 0 12 Ω· cm,如何对 Zn O进行掺杂 ,精确控制其电学性能 ,制备高质量的 n型和 p型材料是实现 Zn O应用的关键。目前 ,研究表明通过掺杂 ,n型 Zn O的制备已经能够精确控制 ,但由于 Zn O中存在的缺陷 ,如氧空位和锌间隙原子 ,Zn O天然呈 n型 ,p型的制备还有一定难度 。
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关键词
薄膜
宽带半导体材料
有效掺杂
p型转变
氧化锌
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Keywords
ZnO thin film
wide band material
effective doping
p type transition
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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