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C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究
1
作者
王浩
周卿军
+2 位作者
简科
邵长伟
朱旖华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期763-768,共6页
采用st ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了...
采用st ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接。结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好。
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关键词
C
SIC复合材料
连接
先驱体转化技术
模板技术
有序多孔陶瓷接头
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职称材料
题名
C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究
1
作者
王浩
周卿军
简科
邵长伟
朱旖华
机构
国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期763-768,共6页
基金
国家自然科学基金(50702075
51172280)
+1 种基金
湖南省杰出青年基金(12JJ1008)
湖南省高校科技创新团队支持计划(2012)~~
文摘
采用st ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接。结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好。
关键词
C
SIC复合材料
连接
先驱体转化技术
模板技术
有序多孔陶瓷接头
Keywords
C/SiC composites
joining
precursor conversion technique
template technique
ordered nanoporous ceramic joint
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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题名
作者
出处
发文年
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1
C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究
王浩
周卿军
简科
邵长伟
朱旖华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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