期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究
被引量：
1
1
作者
贺小敏
唐佩正
+3 位作者
刘若琪
宋欣洋
胡继超
苏汉
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第8期1361-1368,共8页
器件的频率特性影响较为复杂,本文利用Sentaurus TCAD研究了AlN势垒层厚度、栅长、栅漏间距和功函数对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)频率特性的影响,得到以下结论:随着AlN势垒层厚度从10 nm增加到25 nm,截止频率(f_(T))...
器件的频率特性影响较为复杂,本文利用Sentaurus TCAD研究了AlN势垒层厚度、栅长、栅漏间距和功函数对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)频率特性的影响,得到以下结论:随着AlN势垒层厚度从10 nm增加到25 nm,截止频率(f_(T))和最高振荡频率(f_(max))分别增加了18和17 GHz,栅电容减小是f_(T)增加的主要原因,同时研究表明势垒层厚度减小有利于增强栅极对沟道电子的控制。栅长从0.9μm减小到0.1μm,f_(T)和f_(max)分别增加了84和98 GHz,其对频率特性的影响远远超过了势垒层厚度;栅长小于0.1μm时,发生短沟道效应。栅漏间距增大时,f_(T)微弱减小,在源电阻和f_(T)共同减小作用下,器件仅在栅源电压(V_(GS))大于-1.2 V时,f_(max)与f_(T)的变化趋势相同。功函数几乎不会影响器件的f_(T)和f_(max),但是功函数的增加改善了器件的夹断特性。本文研究表明,在栅长缩短的同时,增加AlN势垒层厚度、栅漏间距和功函数可以在提高频率特性的同时改善器件的夹断特性,对AlN/β-Ga_(2)O_(3) HEMT器件的设计有一定的指导意义。
展开更多
关键词
β-Ga_(2)O_(3)
ALN
HEMT
截止
频率
最高振荡频率
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究
被引量：
1
2
作者
刘道广
郝跃
+8 位作者
徐世六
李开成
刘玉奎
刘嵘侃
张静
胡辉勇
李培咸
张晓菊
徐学良
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期432-434,488,共4页
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2...
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.
展开更多
关键词
自对准
最高振荡频率
SiGe合金材料
在线阅读
下载PDF
职称材料
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
3
作者
张效玮
贾科进
+2 位作者
房玉龙
冯志红
赵正平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期589-592,608,共5页
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结...
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。
展开更多
关键词
INALN
GaN
AlGaN双异质结
异质结场效应晶体管(HFET)
附加功率效率
碳
化硅(SiC)
功率增益截止
频率
最高振荡频率
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究
被引量：
1
1
作者
贺小敏
唐佩正
刘若琪
宋欣洋
胡继超
苏汉
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第8期1361-1368,共8页
基金
国家自然科学青年基金(62104190,61904146)
西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122)
陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-YBQN-0655)。
文摘
器件的频率特性影响较为复杂,本文利用Sentaurus TCAD研究了AlN势垒层厚度、栅长、栅漏间距和功函数对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)频率特性的影响,得到以下结论:随着AlN势垒层厚度从10 nm增加到25 nm,截止频率(f_(T))和最高振荡频率(f_(max))分别增加了18和17 GHz,栅电容减小是f_(T)增加的主要原因,同时研究表明势垒层厚度减小有利于增强栅极对沟道电子的控制。栅长从0.9μm减小到0.1μm,f_(T)和f_(max)分别增加了84和98 GHz,其对频率特性的影响远远超过了势垒层厚度;栅长小于0.1μm时,发生短沟道效应。栅漏间距增大时,f_(T)微弱减小,在源电阻和f_(T)共同减小作用下,器件仅在栅源电压(V_(GS))大于-1.2 V时,f_(max)与f_(T)的变化趋势相同。功函数几乎不会影响器件的f_(T)和f_(max),但是功函数的增加改善了器件的夹断特性。本文研究表明,在栅长缩短的同时,增加AlN势垒层厚度、栅漏间距和功函数可以在提高频率特性的同时改善器件的夹断特性,对AlN/β-Ga_(2)O_(3) HEMT器件的设计有一定的指导意义。
关键词
β-Ga_(2)O_(3)
ALN
HEMT
截止
频率
最高振荡频率
Keywords
β-Ga_(2)O_(3)
AlN
HEMT
cutoff frequency
maximum oscillation frequency
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN312 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究
被引量：
1
2
作者
刘道广
郝跃
徐世六
李开成
刘玉奎
刘嵘侃
张静
胡辉勇
李培咸
张晓菊
徐学良
机构
西安电子科技大学微电子研究所
国家模拟集成电路重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期432-434,488,共4页
基金
国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401)
文摘
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.
关键词
自对准
最高振荡频率
SiGe合金材料
Keywords
Alignment
Alloys
Frequencies
Oscillations
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
3
作者
张效玮
贾科进
房玉龙
冯志红
赵正平
机构
河北工业大学信息工程学院
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期589-592,608,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60890192
60876009)
文摘
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。
关键词
INALN
GaN
AlGaN双异质结
异质结场效应晶体管(HFET)
附加功率效率
碳
化硅(SiC)
功率增益截止
频率
最高振荡频率
Keywords
InAlN/GaN/AlGaN double heterostructure
heterostructure field effect transistor （HFET）
power-added efficiency
SiC
power gain cut-off frequency/maximum oscillating frequency
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究
贺小敏
唐佩正
刘若琪
宋欣洋
胡继超
苏汉
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究
刘道广
郝跃
徐世六
李开成
刘玉奎
刘嵘侃
张静
胡辉勇
李培咸
张晓菊
徐学良
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
张效玮
贾科进
房玉龙
冯志红
赵正平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
