TN151 2004064414 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度=Analysis on the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[刊,中]/解滨(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022))...TN151 2004064414 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度=Analysis on the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[刊,中]/解滨(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022)),陈波∥光学技术.—2004,30(4).—403-405 利用有限元软件ANSYS,对碳纳米管的最佳阵列密度进行了分析。针对碳纳米管阵列静电场分布的特点,建立了碳纳米管的模型,确定了模型的边界条件。为了便于对计算结果进行对照,在分析时采用的参数是:阵列周期T=2 000 nm,单根碳纳米管长度L=1μm,顶端半径r=2nm。展开更多
文摘TN151 2004064414 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度=Analysis on the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[刊,中]/解滨(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022)),陈波∥光学技术.—2004,30(4).—403-405 利用有限元软件ANSYS,对碳纳米管的最佳阵列密度进行了分析。针对碳纳米管阵列静电场分布的特点,建立了碳纳米管的模型,确定了模型的边界条件。为了便于对计算结果进行对照,在分析时采用的参数是:阵列周期T=2 000 nm,单根碳纳米管长度L=1μm,顶端半径r=2nm。
