基于高阶曲率补偿的全CMOS基准电压源设计

1

作者 孙帆 黄海波 +1 位作者 隋纪祥 张程 《微波学报》 北大核心 2025年第3期92-98,共7页

针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产... 针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产生纳安量级的偏置电流和负温度系数(CTAT)电压。采用P型金属氧化物半导体场效应晶体管差分对结构产生正温度系数电压,对CTAT电压进行一阶曲率补偿。同时,利用工作于截止区的NMOS产生随温度近似成指数变化的漏电流,进行高阶曲率补偿,进一步提高基准电压源的精度,且扩展电路工作的温度范围。采用TSMC N12 nm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,设计的基准电压源能够工作在0.45 V~1.20 V的电源电压下,输出平均值为234.5 mV的基准电压。在电源电压为0.45 V、温度范围为-40℃~125℃时,基准电压的温度系数为5.7 ppm/℃;在常温下的功耗为3.7 nW,在1 kHz频率下的电源抑制比为-59.7 dB。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体基准电压源 亚阈值区 低功耗 低电源电压 高阶曲率补偿

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一种二阶曲率补偿的高精度带隙基准电压源 被引量：10

2

作者 来新泉 郝琦 +2 位作者 袁冰 陈雷 叶强 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期911-915,933,共6页

提出了一种输出电压可调的带隙基准电路.通过对双极晶体管基极-发射极电压的二阶温度补偿,大大改善了带隙基准的温度特性,并增加嵌套密勒补偿,进一步提高了系统的稳定性.基于0.6μmCMOS工艺,利用Hspice进行了仿真验证,结果表明,在-40-12... 提出了一种输出电压可调的带隙基准电路.通过对双极晶体管基极-发射极电压的二阶温度补偿,大大改善了带隙基准的温度特性,并增加嵌套密勒补偿,进一步提高了系统的稳定性.基于0.6μmCMOS工艺,利用Hspice进行了仿真验证,结果表明,在-40-120℃温度范围内,0.8 V基准电压的温度系数为6.1×10^-6/℃,低频时电源抑制比为-82 dB,正常工作时静态工作电流小于6.5μA. 展开更多

关键词 带隙基准 高精度 二阶曲率补偿 嵌套密勒补偿

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高性能分段温度曲率补偿基准电压源设计 被引量：11

3

作者 代国定 徐洋 +1 位作者 李卫敏 黄鹏 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2142-2147,共6页

针对带隙基准电压源温漂高、电源抑制比(PSRR)低的问题,提出一种新颖的分段曲率补偿技术.该电路将基准源工作的全温度范围划分为3个区间,对各段温度区间进行不同的温度补偿,同时引入电流环负反馈结构,提高电路在低频时的电源抑制比,实现... 针对带隙基准电压源温漂高、电源抑制比(PSRR)低的问题,提出一种新颖的分段曲率补偿技术.该电路将基准源工作的全温度范围划分为3个区间,对各段温度区间进行不同的温度补偿,同时引入电流环负反馈结构,提高电路在低频时的电源抑制比,实现在-40～150℃内,温度系数为1.24×10-6,在DC时电源抑制比为-137dB.该电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.5mm2,关断电流小于0.1μA,工作静态功耗为125μW.投片测试结果验证了电路设计的正确性,当电源电压为2.5～6.0V时,该基准源输出电压摆幅仅为0.220mV. 展开更多

关键词 分段曲率补偿 带隙基准电压 温度系数 电源抑制比

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一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源 被引量：14

4

作者 张海磊 居水荣 +1 位作者 王津飞 刘锡锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期910-915,共6页

设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙... 设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40~130℃内,温度系数为6.47×10-6/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.0037 mm^2。 展开更多

关键词 带隙基准 低功耗 曲率补偿 温度系数 模数转换器(ADC)

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高精度电流求和型分段曲率补偿的基准电流源 被引量：3

5

作者 初秀琴 丁睿 +2 位作者 来新泉 叶强 何惠森 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期616-620,共5页

基于电流求和原理和跨导线性结构,设计了一款分段曲率补偿的基准电流源,并对电阻进行了温度特性优化。所设计的电路无需运算放大器,具有功耗低、结构简单、精度高和电源抑制比高等优点。在0.4μm BCD工艺下,经HSPICE仿真验证表明,在40℃... 基于电流求和原理和跨导线性结构,设计了一款分段曲率补偿的基准电流源,并对电阻进行了温度特性优化。所设计的电路无需运算放大器,具有功耗低、结构简单、精度高和电源抑制比高等优点。在0.4μm BCD工艺下,经HSPICE仿真验证表明,在40℃～125℃的温度范围内电流仅变化0.06μA,温度系数为27 ppm/℃;在25℃、7～20 V范围内,基准电流变化率0.000 68%/V;在12 V工作电压下,电路的静态电流为128.09μA。该电路可用于高电压、低功耗、高精度的系统设计中。 展开更多

关键词 电流基准 电流求和 高精度 分段曲率补偿 温度系数

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一种高精度曲率补偿带隙基准电压源设计 被引量：6

6

作者 陈睿 丁召 +1 位作者 杨发顺 鲁冬梅 《现代电子技术》 2014年第12期140-142,147,共4页

根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅极电压的指数关系，在高温段对温度特性曲线进行补偿。通过Spectre仿真，得到输出基准电压为2．5V的... 根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅极电压的指数关系，在高温段对温度特性曲线进行补偿。通过Spectre仿真，得到输出基准电压为2．5V的电压基准源。工作电压范围为3.35～7．94V，1kHz时电源抑制比为-71．73dB，温度从-25～125℃之间变化时温度系数为7．003×10^-6℃^-1。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 亚阈值区 漏极电流

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一种三阶曲率补偿带隙基准电压源的设计 被引量：11

7

作者 张献中 张涛 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期67-71,共5页

在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,... 在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,通过PTAT2电流进行三阶补偿。基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,采用Cadence软件对设计电路进行仿真分析。结果表明,在-40-125℃温度范围内,5V电源电压下,基准源输出电压为1.226V,输出电压变化范围为0.51mV,基准源的温度系数为2.5×10^-6/℃,低频时的电源抑制比为-67dB。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 高阶曲率补偿 PTAT2电流 温度系数 基准电路

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高阶曲率补偿电流模式的CMOS带隙基准源 被引量：2

8

作者 李斌桥 许延华 +1 位作者 徐江涛 姚素英 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1459-1464,共6页

为获得一个稳定而精确的基准电压，提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路,通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路，实现了高阶曲率补偿。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺，经过Spectre仿真验... 为获得一个稳定而精确的基准电压，提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路,通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路，实现了高阶曲率补偿。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺，经过Spectre仿真验证，输出电压为800mV，在-40～85℃温度范围内温度系数达到3×10^-6℃^-1，电源抑制比在10kHz频率时可达-60dB，在较低电源电压为1．7V时电路可以正常启动，补偿改进后的电路性能较传统结构有很大提高． 展开更多

关键词 CMOS带隙基准源 高阶曲率补偿 电流模式 低电源电压

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基于曲率补偿的低温度系数带隙基准源设计 被引量：2

9

作者 尹勇生 汪涛 邓红辉 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2017年第6期37-40,43,共5页

为了减小基准源输出信号随温度变化的波动,设计了一种基于温度曲率补偿的带隙基准电压源电路结构,采用负反馈箝位技术,简化了电路结构,减小了噪声和失调误差;同时应用β倍增器电流源作为温度曲率补偿电路,有效降低了温度系数。仿真结果... 为了减小基准源输出信号随温度变化的波动,设计了一种基于温度曲率补偿的带隙基准电压源电路结构,采用负反馈箝位技术,简化了电路结构,减小了噪声和失调误差;同时应用β倍增器电流源作为温度曲率补偿电路,有效降低了温度系数。仿真结果表明,在-20~105℃范围内,所设计的带隙基准电压源的温度系数仅为0.904 ppm/℃,低频时电源电压抑制比为46 dB。该电路结构可以有效地提高带隙基准电压源的温度性能。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 负反馈箝位 曲率补偿 β倍增器电流源

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带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源设计 被引量：9

10

作者 王永顺 井冰洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期14-18,共5页

设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正... 设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正常启动，电路正常工作后启动电路停止工作。该设计基于CSMC0．5μmCMOS工艺，在3．3V电源电压下，输出基准电压800mV，采用Cadence公司Spectre软件进行仿真和实验测试，结果表明，温度为-50～150℃．基准电压的温度系数为2．4×10^-6／℃，电源电压为2．5～4．5V，电压调整率为0．08％／V。该基准电压源已成功应用在DC／DC转换器中，并取得了良好的应用效果。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 低温度系数 启动电路 互补型金属氧化物半导体 (CMOS)

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一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源 被引量：1

11

作者 任若冰 王亚军 +2 位作者 陶健 武晓伟 孙天锡 《现代电子技术》 2011年第6期163-165,共3页

提出了一种新型的低压带隙基准源,与传统的带隙基准不同,该电路引入了第三个电流,以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项,从而实现曲率补偿。采用0.18μm CMOS工艺进行设计验证,HSpice仿真结果表明,室温下的输出电压为623 mV,-55～+... 提出了一种新型的低压带隙基准源,与传统的带隙基准不同,该电路引入了第三个电流,以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项,从而实现曲率补偿。采用0.18μm CMOS工艺进行设计验证,HSpice仿真结果表明,室温下的输出电压为623 mV,-55～+125℃范围内的温度系数为4.2 ppm/℃,1.0～2.1 V之间的电源调整率为0.9 mV/V。 展开更多

关键词 带隙基准源 曲率补偿 低压 温度系数

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基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准 被引量：1

12

作者 刘锡锋 王津飞 +1 位作者 林婵 居水荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期117-123,共7页

工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZT... 工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。 展开更多

关键词 电压基准 MOSFET 零温度系数(ZTC) 曲率补偿 熔丝 修调电路

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1.5×10^(-6)/℃高阶参考电压曲率补偿电路 被引量：1

13

作者 王兴君 史凌峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期411-416,共6页

针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明... 针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明,所设计的电路参考电压正常值为1.8 V。另外,设计的电路具有1.5×10-6/℃的温度系数,在低频上具有55 d B电源抑制比(PSRR),从1.8~5 V具有0.4 m V/V的线性调整率,并得到20 f V2/Hz的输出噪声水平。提出的电路已应用在一款电源管理芯片中,且该电路可应用在多种便携式电子产品中。 展开更多

关键词 曲率补偿 带隙参考电压(BVR) 温度系数 电源抑制比(PSRR) BCD工艺

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一种带有曲率补偿的CMOS带隙基准电压源

14

作者 都文和 杨轲 +2 位作者 康嘉浩 潘靖雪 徐正 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第1期83-88,I0002,共7页

为降低传统双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)型带隙基准源温度系数高的问题,提出了一种带有高阶曲率补偿的带隙基准电压源,极大降低了带隙基准源的温度系数.设计基于传统BJT型带隙基准电路,采用高阶曲率补偿电路对温度... 为降低传统双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)型带隙基准源温度系数高的问题,提出了一种带有高阶曲率补偿的带隙基准电压源,极大降低了带隙基准源的温度系数.设计基于传统BJT型带隙基准电路,采用高阶曲率补偿电路对温度系数进行优化,并采用折叠式cascode运算放大器和自偏置cascode电流镜对输入电压范围进行优化.设计的带隙基准源具有低温度系数、高电源电压抑制比、结构简单的优点,是各类片上系统的优良选择. 展开更多

关键词 带隙基准 运算放大器 曲率补偿 温度系数 Cadence仿真

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带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路 被引量：5

15

作者 徐超 吴灯鹏 +3 位作者 李新昌 徐大伟 俞跃辉 程新红 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期112-118,共7页

为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,... 为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,在高温段和低温段分别对带隙基准电压进行曲率补偿,提出了一种新的快速优化基准电压温度系数的芯片级修调方法,包含温度系数修调和电压幅值修调,可以快速获得最低温度系数对应码值以提升工作效率.基于0.35μm BCD工艺,流片验证了该修调方案的可行性.结果表明:在-40℃~125℃内,基准电压最低仿真温度系数为0.84×10^-6/℃,最低实测温度系数为5.33×10^-6/℃,随机抽样结果显示温度系数的平均值为7.47×10^-6/℃;采用基于计算斜率的修调方法,测试10块芯片的平均修调次数为3.5次,与使用逐次逼近的修调方法相比,效率提升59.8%;低温度系数的带隙基准电压有利于提升电池管理芯片对电池剩余电量估算的准确性,该带隙基准电路已成功应用于电池管理芯片内高精度模数转换器中. 展开更多

关键词 分段曲率补偿 修调 基准 温度系数 芯片级修调

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一种高精度曲率补偿带隙基准电压电路 被引量：3

16

作者 方海莹 吕坚 +1 位作者 于军胜 蒋亚东 《现代电子技术》 2010年第6期1-3,7,共4页

设计一种采用电流模式和Buck′s电压转移单元对VBE进行高阶补偿的带隙基准电压源。电路采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺制造。温度在-40～125℃之间变化时,基准电压源的温度系数为3.15 ppm/℃,在3.5～5.0 V之间的电压调整率为0.35 mV/V。

关键词 带隙基准源 高阶曲率补偿 电流模式 低温漂

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一种CMOS高阶曲率补偿的带隙基准源电路的设计 被引量：10

17

作者 李树镇 冯全源 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期95-99,共5页

为解决传统CMOS带隙基准电压源的温度系数较高的问题,采用高阶曲率补偿方法,提出了一种新型的带隙基准电压源,这种基准电压源的结构简单同时具有良好耗能性能,并且基准电压的温度系数得到一定的优化.利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电... 为解决传统CMOS带隙基准电压源的温度系数较高的问题,采用高阶曲率补偿方法,提出了一种新型的带隙基准电压源,这种基准电压源的结构简单同时具有良好耗能性能,并且基准电压的温度系数得到一定的优化.利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅源电压的非线性特性,通过引入与基准电压温度系数成相反趋势的高阶补偿电流,降低基准电压的温度系数,以较少的硬件消耗为代价大幅提高了其温度特性,最后推导出补偿后的基准电压的计算公式.基于0.18μm BCD工艺进行仿真,结果表明:在-40℃~150℃温度范围内,基准电压的温度系数为6.94×10^(-6);电源电压VDD在2.5~5.0 V范围内,线性调整率为0.033%,电路在5 V电源电压为下工作电流为7.36μA;在典型工艺下(TT),电源抑制比(PSRR)为77.4 dB.基准电压的温度特性的理论分析结果与仿真结果吻合较好,通过高阶补偿后,带隙基准电压源表现出优良的性能,满足了带隙基准源的低功耗和低温漂的设计要求. 展开更多

关键词 带隙基准 高阶曲率补偿 低功耗 高精度 温度系数

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一种应用于ADC带曲率补偿的高精度带隙基准源 被引量：3

18

作者 朱晓宇 居水荣 《现代电子技术》 北大核心 2015年第2期128-131,共4页

设计了一种应用于工作电压为1.8 V的流水型模数转换器（ADC）的带隙基准源。与传统电流模式带隙基准源不同，该带隙基准源采用曲率补偿技术，降低了温度系数，提高了精度。分析提高电源抑制比的方法，设计低压共源共栅电流镜偏置的折叠... 设计了一种应用于工作电压为1.8 V的流水型模数转换器（ADC）的带隙基准源。与传统电流模式带隙基准源不同，该带隙基准源采用曲率补偿技术，降低了温度系数，提高了精度。分析提高电源抑制比的方法，设计低压共源共栅电流镜偏置的折叠式共源共栅运放，提高了带隙基准源的电源抑制比。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺，获得了900 mV的带隙基准， Spectre仿真结果表明，带隙基准源正常启动，在-40～125℃温度范围内温度系数低至3 ppm/℃，低频时的电源抑制比达89 dB。 展开更多

关键词 带隙基准源 曲率补偿 电压抑制比 模/数转换器

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一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源 被引量：13

19

作者 陈昊 张彩珍 +1 位作者 王梓淇 王永功 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期905-909,共5页

基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一... 基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45~165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10-6/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 高电源抑制比(PSRR) 低温度系数 曲率补偿 启动时间

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一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计 被引量：2

20

作者 李娟 常昌远 李弦 《现代电子技术》 2007年第22期169-171,共3页

运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温... 运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温度范围内，输出电压为0．6V，温度系数为9．1ppm／℃，即基准输出电压随温度变化不超过±0．1％。低频（f=1kHz）时PSRR为-78dB。在室温电源电压为1．2V时总功耗约为38μw。整个带隙基准电压源具有良好的综合性能。 展开更多

关键词 CMOS带隙基准电压源 高阶曲率补偿 低温度系数 低电源电压

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