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p型TOPCon结构的隧穿氧化和钝化工艺研究
1
作者
高嘉庆
屈小勇
+5 位作者
吴翔
郭永刚
王永冈
汪梁
谭新
杨鑫泽
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第1期133-138,共6页
为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准...
为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准升每分钟)以上,p-poly的隐开路电压平均值达到730 mV,暗饱和电流密度低至3.5 fA/cm^(2)。氧化温度和时间分别达到620℃和30 min时,p-poly的隐开路电压可提升至735 mV;随着氧化温度的提高或者氧化时间的延长,p-poly的隐开路电压趋于稳定。硼扩散温度为960℃时,p-poly的方块电阻保持在132Ω/,硅基体中的掺杂结深为0.25μm,获得了良好的钝化性能。本文所确定的工艺参数可制备出具有良好钝化性能的p-poly结构,对未来p型TOPCon结构在高效晶硅电池上的产业化应用提供了一定的数据支撑。
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关键词
p型TOPCon结构
低压化学气相沉积
钝化质量
隐开路电压
暗饱和电流密度
太阳能电池
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职称材料
掺(Ga, Si)银铝浆对n型TOPCon太阳能电池电性能的影响
被引量：
1
2
作者
陈飞彪
许亚文
+1 位作者
张谋翔
谢贤清
《材料科学与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期76-83,共8页
银铝浆是新一代太阳能电池(n型TOPCon)的关键材料,但其金属化后在Si发射极表面形成很大且很深的“银铝尖钉”,尖钉易击穿p-n结造成短路,成为限制其应用的瓶颈。引入Si、Ga元素对银铝浆进行优化,分别制备了掺Si和掺Ga,Si的银铝浆,研究其...
银铝浆是新一代太阳能电池(n型TOPCon)的关键材料,但其金属化后在Si发射极表面形成很大且很深的“银铝尖钉”,尖钉易击穿p-n结造成短路,成为限制其应用的瓶颈。引入Si、Ga元素对银铝浆进行优化,分别制备了掺Si和掺Ga,Si的银铝浆,研究其对金属化区域暗态饱和电流密度J0.metal、欧姆接触电阻Rc的影响机制。结果表明:掺入少量Si后,金属化区域未见明显“银铝尖钉”,说明掺Si后抑制了在浆料金属化时出现“银铝尖钉”的现象,对p-n结损伤较小,J0.metal下降,开路电压Voc上升,但是Rc增大。再掺入Ga组分后“银铝尖钉”明显变浅,数量变多,Rc下降,弥补了掺Si银铝浆欧姆接触差的弊端,有较高的电池转换效率;用扩散浓度测试仪(ECV)对发射极表层进行元素浓度分析,发现Ga分布于表层0~50 nm处,有利于改善欧姆接触。研究了Ga、Si的掺入量对银铝浆电性能的影响,电池转换效率最高达到24.68%,太阳能电池效率提升0.55%。
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关键词
银铝浆
欧姆接触
暗
态
饱和电流
密度
金属化
转换效率
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职称材料
题名
p型TOPCon结构的隧穿氧化和钝化工艺研究
1
作者
高嘉庆
屈小勇
吴翔
郭永刚
王永冈
汪梁
谭新
杨鑫泽
机构
青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司
青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第1期133-138,共6页
基金
国家电投黄河上游水电开发有限责任公司科研项目(KY-C-2023-GF06)。
文摘
为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准升每分钟)以上,p-poly的隐开路电压平均值达到730 mV,暗饱和电流密度低至3.5 fA/cm^(2)。氧化温度和时间分别达到620℃和30 min时,p-poly的隐开路电压可提升至735 mV;随着氧化温度的提高或者氧化时间的延长,p-poly的隐开路电压趋于稳定。硼扩散温度为960℃时,p-poly的方块电阻保持在132Ω/,硅基体中的掺杂结深为0.25μm,获得了良好的钝化性能。本文所确定的工艺参数可制备出具有良好钝化性能的p-poly结构,对未来p型TOPCon结构在高效晶硅电池上的产业化应用提供了一定的数据支撑。
关键词
p型TOPCon结构
低压化学气相沉积
钝化质量
隐开路电压
暗饱和电流密度
太阳能电池
Keywords
p-type TOPCon structure
low pressure chemical vapor deposition
passivation quality
imply open circuit voltage
dark saturation current density
solar cell
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
掺(Ga, Si)银铝浆对n型TOPCon太阳能电池电性能的影响
被引量：
1
2
作者
陈飞彪
许亚文
张谋翔
谢贤清
机构
江西师范大学化学化工学院
江西佳银科技有限公司
江西师范大学国家单糖化学合成工程技术研究中心
出处
《材料科学与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期76-83,共8页
基金
江西省重大技术需求揭榜挂帅项目(20213AAE02013)
江西省教育厅科研项目(170217)。
文摘
银铝浆是新一代太阳能电池(n型TOPCon)的关键材料,但其金属化后在Si发射极表面形成很大且很深的“银铝尖钉”,尖钉易击穿p-n结造成短路,成为限制其应用的瓶颈。引入Si、Ga元素对银铝浆进行优化,分别制备了掺Si和掺Ga,Si的银铝浆,研究其对金属化区域暗态饱和电流密度J0.metal、欧姆接触电阻Rc的影响机制。结果表明:掺入少量Si后,金属化区域未见明显“银铝尖钉”,说明掺Si后抑制了在浆料金属化时出现“银铝尖钉”的现象,对p-n结损伤较小,J0.metal下降,开路电压Voc上升,但是Rc增大。再掺入Ga组分后“银铝尖钉”明显变浅,数量变多,Rc下降,弥补了掺Si银铝浆欧姆接触差的弊端,有较高的电池转换效率;用扩散浓度测试仪(ECV)对发射极表层进行元素浓度分析,发现Ga分布于表层0~50 nm处,有利于改善欧姆接触。研究了Ga、Si的掺入量对银铝浆电性能的影响,电池转换效率最高达到24.68%,太阳能电池效率提升0.55%。
关键词
银铝浆
欧姆接触
暗
态
饱和电流
密度
金属化
转换效率
Keywords
silver aluminum paste
Ohmic contact
dark saturation current density
metallization
conversion efficiency
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p型TOPCon结构的隧穿氧化和钝化工艺研究
高嘉庆
屈小勇
吴翔
郭永刚
王永冈
汪梁
谭新
杨鑫泽
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
掺(Ga, Si)银铝浆对n型TOPCon太阳能电池电性能的影响
陈飞彪
许亚文
张谋翔
谢贤清
《材料科学与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
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职称材料
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