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电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
1
作者
武大猷
文林
+6 位作者
汪朝敏
何承发
郭旗
李豫东
曾俊哲
汪波
刘元
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期711-719,共9页
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压...
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。
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关键词
电荷耦合器件
暗
信号
低剂量率损伤增强效应
暗场像素统计
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职称材料
题名
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
1
作者
武大猷
文林
汪朝敏
何承发
郭旗
李豫东
曾俊哲
汪波
刘元
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院大学
重庆光电技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期711-719,共9页
基金
国家自然科学基金(11005152)
中国科学院“西部之光”人才培养计划重点项目“CCD的空间位移损伤效应及评估技术研究”资助
文摘
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。
关键词
电荷耦合器件
暗
信号
低剂量率损伤增强效应
暗场像素统计
Keywords
charge coupled device
dark signal
enhanced low-dosed rate sensitivity
dark pixel statistics
分类号
TP212.14 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
武大猷
文林
汪朝敏
何承发
郭旗
李豫东
曾俊哲
汪波
刘元
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
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