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纳米掺铁二氧化钛的sol-gel法制备与表征 (II)纳米掺铁二氧化钛的微晶特性与晶体生长
被引量：
5
1
作者
水淼
徐铸德
岳林海
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期32-36,共5页
本文结合透射电镜分析研究了 sol-gel方法制备的纯二氧化钛和掺铁二氧化钛干凝胶的晶化过程。计算了在不同的煅烧温度下二氧化钛微晶的晶胞参数，晶粒度，畸变等参数的变化关系。应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算的晶粒生长活化能...
本文结合透射电镜分析研究了 sol-gel方法制备的纯二氧化钛和掺铁二氧化钛干凝胶的晶化过程。计算了在不同的煅烧温度下二氧化钛微晶的晶胞参数，晶粒度，畸变等参数的变化关系。应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算的晶粒生长活化能表明晶粒生长分为两个阶段，临界点大约为相变温度。纯的和掺铁的二氧化钛在两个阶段的晶粒生长活化能分别约为 20.8kJ· mol-1,70.9kJ· mol-1和 26.6kJ· mol-1,78.8kJ· mol-1。这个差别可能是由于相变过程首先发生在小晶粒上，导致小晶粒生长较为困难所致。
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关键词
二氧化钛
掺铁
SOL-GEL
晶粒
度
晶粒生长活化能
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职称材料
Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷烧结过程的动力学研究
2
作者
汪开强
杨康
+3 位作者
靖正阳
陈博文
涂兵田
王皓
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第11期1972-1980,共9页
尖晶石型Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)是优秀的介电和长余辉基体材料,透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷的无压烧结动力学进行研究,结果表明Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷烧结过程的...
尖晶石型Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)是优秀的介电和长余辉基体材料,透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷的无压烧结动力学进行研究,结果表明Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷烧结过程的致密化和晶粒生长均由O 2-晶界扩散控制,其烧结中期的致密化活化能为(426±35)kJ/mol,烧结末期的晶粒生长活化能为(439±14)kJ/mol。通过将烧结工艺参数控制在“烧结窗口”中,获得了良好的无压烧结体显微结构。经过高温热等静压处理后得到Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷,其光学透过范围为0.3~9μm,在2.5μm处直线透过率达到81.2%。
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关键词
Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)尖晶石
透明陶瓷
烧结路径
致密化
活化能
晶粒生长活化能
光学透明性
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职称材料
题名
纳米掺铁二氧化钛的sol-gel法制备与表征 (II)纳米掺铁二氧化钛的微晶特性与晶体生长
被引量：
5
1
作者
水淼
徐铸德
岳林海
机构
浙江大学化学系
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期32-36,共5页
文摘
本文结合透射电镜分析研究了 sol-gel方法制备的纯二氧化钛和掺铁二氧化钛干凝胶的晶化过程。计算了在不同的煅烧温度下二氧化钛微晶的晶胞参数，晶粒度，畸变等参数的变化关系。应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算的晶粒生长活化能表明晶粒生长分为两个阶段，临界点大约为相变温度。纯的和掺铁的二氧化钛在两个阶段的晶粒生长活化能分别约为 20.8kJ· mol-1,70.9kJ· mol-1和 26.6kJ· mol-1,78.8kJ· mol-1。这个差别可能是由于相变过程首先发生在小晶粒上，导致小晶粒生长较为困难所致。
关键词
二氧化钛
掺铁
SOL-GEL
晶粒
度
晶粒生长活化能
Keywords
sol-gel grain size activation energy of grain growth
分类号
O614.411 [理学—无机化学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷烧结过程的动力学研究
2
作者
汪开强
杨康
靖正阳
陈博文
涂兵田
王皓
机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第11期1972-1980,共9页
基金
国家重点研发计划(2023YFB3812000)
国家自然科学基金(52272072)
湖北隆中实验室自主创新研究项目(2022ZZ-13)。
文摘
尖晶石型Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)是优秀的介电和长余辉基体材料,透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷的无压烧结动力学进行研究,结果表明Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)陶瓷烧结过程的致密化和晶粒生长均由O 2-晶界扩散控制,其烧结中期的致密化活化能为(426±35)kJ/mol,烧结末期的晶粒生长活化能为(439±14)kJ/mol。通过将烧结工艺参数控制在“烧结窗口”中,获得了良好的无压烧结体显微结构。经过高温热等静压处理后得到Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷,其光学透过范围为0.3~9μm,在2.5μm处直线透过率达到81.2%。
关键词
Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)尖晶石
透明陶瓷
烧结路径
致密化
活化能
晶粒生长活化能
光学透明性
Keywords
Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)spinel
transparent ceramics
sintering path
densification activation energy
grain growth activation energy
optical transparency
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米掺铁二氧化钛的sol-gel法制备与表征 (II)纳米掺铁二氧化钛的微晶特性与晶体生长
水淼
徐铸德
岳林海
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2001
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_(4)透明陶瓷烧结过程的动力学研究
汪开强
杨康
靖正阳
陈博文
涂兵田
王皓
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
0
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职称材料
已选择
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