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Ti3SiC2晶粒生成模型
被引量：
1
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作者
汤珂
汪长安
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第Z10期108-109,共2页
提出了关于Ｔｉ３ＳｉＣ２晶粒生长的模型。在Ｔｉｓ３ＳｉＣ２晶粒的生长中，Ｔｉ６Ｃ八面体可以作为一个独立的生长单元，Ｔｉ６Ｃ八面体的联接方式（如共面，共梭、共顶）将会对Ｔｉ３ＳｉＣ２的生长形貌和生长行为产生很大的影响。...
提出了关于Ｔｉ３ＳｉＣ２晶粒生长的模型。在Ｔｉｓ３ＳｉＣ２晶粒的生长中，Ｔｉ６Ｃ八面体可以作为一个独立的生长单元，Ｔｉ６Ｃ八面体的联接方式（如共面，共梭、共顶）将会对Ｔｉ３ＳｉＣ２的生长形貌和生长行为产生很大的影响。这个模型可以解释有关Ｔｉ３ＳｉＣ２生长形貌的许多现象，如在使用ＣＶＤ法制备Ｔｉ３ＳｉＣ２时出现的｛１１２＾－０｝织构。
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关键词
TI3SIC2
晶粒生长模型
陶瓷材料
晶体结构
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职称材料
退火过程中均质和异质结构纯铜晶粒的生长
被引量：
3
2
作者
孙书琪
王润梓
+5 位作者
苑光健
陈浩
高建宝
彭威
张显程
张利军
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期62-69,共8页
通过相场模型和理想晶粒生长模型,模拟了均质结构及异质结构(梯度结构和双峰结构)纯铜在退火过程中的晶粒生长。结果表明:晶界能垒变化对均质结构晶粒生长速率的影响较小;退火时间大于600 s时,均质结构晶粒的生长速率有一个较大的阶梯...
通过相场模型和理想晶粒生长模型,模拟了均质结构及异质结构(梯度结构和双峰结构)纯铜在退火过程中的晶粒生长。结果表明:晶界能垒变化对均质结构晶粒生长速率的影响较小;退火时间大于600 s时,均质结构晶粒的生长速率有一个较大的阶梯性变化;对于异质结构晶粒,晶界能垒越大,晶粒生长越慢;梯度结构中,小晶粒的生长速率最快,中晶粒的次之,大晶粒的最慢,且晶粒尺寸越大,晶界能垒对生长速率的影响越小;双峰结构中,晶界能垒对粗晶生长速率的影响较细晶的大,增加粗晶数目,细晶的生长速率明显降低,粗晶的生长速率增加。
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关键词
相场
模型
理想
晶粒生长模型
均质结构
异质结构
晶界能垒
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职称材料
题名
Ti3SiC2晶粒生成模型
被引量：
1
1
作者
汤珂
汪长安
机构
清华大学材料科学与工程系
清华大学材料科学与工程系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第Z10期108-109,共2页
文摘
提出了关于Ｔｉ３ＳｉＣ２晶粒生长的模型。在Ｔｉｓ３ＳｉＣ２晶粒的生长中，Ｔｉ６Ｃ八面体可以作为一个独立的生长单元，Ｔｉ６Ｃ八面体的联接方式（如共面，共梭、共顶）将会对Ｔｉ３ＳｉＣ２的生长形貌和生长行为产生很大的影响。这个模型可以解释有关Ｔｉ３ＳｉＣ２生长形貌的许多现象，如在使用ＣＶＤ法制备Ｔｉ３ＳｉＣ２时出现的｛１１２＾－０｝织构。
关键词
TI3SIC2
晶粒生长模型
陶瓷材料
晶体结构
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
O781 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
退火过程中均质和异质结构纯铜晶粒的生长
被引量：
3
2
作者
孙书琪
王润梓
苑光健
陈浩
高建宝
彭威
张显程
张利军
机构
华东理工大学
中南大学
出处
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期62-69,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(51725503,51805501,52005186)。
文摘
通过相场模型和理想晶粒生长模型,模拟了均质结构及异质结构(梯度结构和双峰结构)纯铜在退火过程中的晶粒生长。结果表明:晶界能垒变化对均质结构晶粒生长速率的影响较小;退火时间大于600 s时,均质结构晶粒的生长速率有一个较大的阶梯性变化;对于异质结构晶粒,晶界能垒越大,晶粒生长越慢;梯度结构中,小晶粒的生长速率最快,中晶粒的次之,大晶粒的最慢,且晶粒尺寸越大,晶界能垒对生长速率的影响越小;双峰结构中,晶界能垒对粗晶生长速率的影响较细晶的大,增加粗晶数目,细晶的生长速率明显降低,粗晶的生长速率增加。
关键词
相场
模型
理想
晶粒生长模型
均质结构
异质结构
晶界能垒
Keywords
phase field model
ideal grain growth model
homogeneous structure
heterogeneous structure
grain boundary energy barrier
分类号
TG111 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ti3SiC2晶粒生成模型
汤珂
汪长安
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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职称材料
2
退火过程中均质和异质结构纯铜晶粒的生长
孙书琪
王润梓
苑光健
陈浩
高建宝
彭威
张显程
张利军
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
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