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Cr_(2)O_(3)掺杂UO_(2)芯块晶粒生长动力学研究
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作者 郑新海 吴学志 尹邦跃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S02期5-10,共6页
本工作采用恒速升温和等温烧结实验方法研究了不同Cr_(2)O_(3)掺杂量UO_(2)芯块的晶粒生长动力学。结果表明,掺杂少量Cr_(2)O_(3)可以提高UO_(2)烧结速度,降低烧结温度。1500~1750℃下烧结,添加0.1wt%、0.5wt%Cr_(2)O_(3)均可以加速芯... 本工作采用恒速升温和等温烧结实验方法研究了不同Cr_(2)O_(3)掺杂量UO_(2)芯块的晶粒生长动力学。结果表明,掺杂少量Cr_(2)O_(3)可以提高UO_(2)烧结速度,降低烧结温度。1500~1750℃下烧结,添加0.1wt%、0.5wt%Cr_(2)O_(3)均可以加速芯块致密化进程,添加Cr_(2)O_(3)后,烧结温度可以降低至1600℃,而标准UO_(2)烧结温度需在1700℃以上。掺杂Cr_(2)O_(3)可以明显促进UO_(2)晶粒生长,Cr_(2)O_(3)掺杂量越多,温度越高,UO_(2)晶粒生长速度越快。掺杂0.1wt%Cr_(2)O_(3)的UO_(2)芯块的晶粒生长动力学符合3次方模型,晶粒生长指数n=3,激活能Q=454.2 kJ/mol,掺杂0.5wt%Cr_(2)O_(3)的UO_(2)芯块的晶粒生长动力学符合2.2次方模型,晶粒生长指数n=2.2,激活能Q=371.3 kJ/mol。 展开更多
关键词 掺杂Cr_(2)O_(3) UO_(2)芯块 晶粒尺寸 晶粒生长动力学 晶粒生长指数 激活能
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UO2-x燃料芯块的晶粒生长动力学 被引量:2
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作者 尹邦跃 吴学志 +4 位作者 魏国良 屈哲昊 郑新海 王轩 任劲如 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期296-304,共9页
本文采用恒速升温和等温烧结实验方法研究了亚化学计量UO2-x燃料芯块的晶粒生长动力学。结果表明,以UO2+x+5%U为原料,可得到密度为94.91%TD~96.23%TD(TD为理论密度)、O与U的原子个数比为1.975~1.990的合格的亚化学计量UO2-x燃料芯块;在... 本文采用恒速升温和等温烧结实验方法研究了亚化学计量UO2-x燃料芯块的晶粒生长动力学。结果表明,以UO2+x+5%U为原料,可得到密度为94.91%TD~96.23%TD(TD为理论密度)、O与U的原子个数比为1.975~1.990的合格的亚化学计量UO2-x燃料芯块;在烧结温度≤1 650℃时晶粒生长速率较低,在烧结温度≥1 750℃时晶粒生长速率较高;初始晶粒尺寸G0不能忽略不计,亚化学计量UO2-x燃料芯块的晶粒生长动力学符合4次方模型G^4-G0^4=k0texp(-1 000Q/RT),晶粒生长速率常数k0=78.76μm4/h,激活能Q=433.35 kJ/mol。 展开更多
关键词 二氧化铀 晶粒尺寸 晶粒生长动力学 激活能 亚化学计量
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铸态7075铝合金均匀化过程中晶粒生长动力学研究 被引量:2
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作者 张俊杰 何涛 +2 位作者 霍元明 杜向阳 陈细林 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期184-191,共8页
对铸态7075铝合金进行温度分别为435、465和480℃与时间分别为8、24和36 h的单级均匀化热处理,并在优化的单级均匀化制度上进行温度为475℃与时间分别为1、4、8和12 h的双级均匀化热处理;观察了铸态7075铝合金不同均匀化制度下的晶粒尺... 对铸态7075铝合金进行温度分别为435、465和480℃与时间分别为8、24和36 h的单级均匀化热处理,并在优化的单级均匀化制度上进行温度为475℃与时间分别为1、4、8和12 h的双级均匀化热处理;观察了铸态7075铝合金不同均匀化制度下的晶粒尺寸演变;计算了晶粒生长指数与生长活化能,并建立了晶粒生长动力学方程。结果表明:铸态7075铝合金在465℃/24 h制度下,平均晶粒尺寸由铸态的44μm增长至95μm,晶粒增长速度较快;而均匀化温度与时间分别超过465℃和24 h后,晶粒生长速度变得缓慢。双级均匀化过程中,当保温时间超过4 h后,铸态7075铝合金平均晶粒尺寸随着保温时间的延长增加不明显。铸态7075铝合金的晶粒生长指数为3.9,活化能为144.241 kJ·mol^(-1);铸态7075铝合金平均晶粒尺寸在生长动力学模型中的预测值与实验值之间的均方差R_(MSE)与平均绝对相对误差e_(AARE)数值分别为4.951和3.565%,模型具有较高的预测精度,表明采用所建立的晶粒生长动力学模型预测铸态7075铝合金在不同均匀化处理后的晶粒尺寸是可行的。 展开更多
关键词 铸态7075铝合金 均匀化 晶粒尺寸 晶粒生长动力学
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纳米氧化铁晶体生长动力学研究 被引量:2
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作者 冯宇 贾磊 +1 位作者 武蒙蒙 米杰 《天然气化工—C1化学与化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期31-35,共5页
采用室温固相法制备前驱体Fe_2(C_2O_4)_3·5H_2O,考察了焙烧时间、焙烧温度及焙烧保温时间对纳米氧化铁晶粒的影响,并研究了氧化铁晶粒生长动力学。使用扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪和X射线衍射仪对前驱体和纳米氧化铁进行表征... 采用室温固相法制备前驱体Fe_2(C_2O_4)_3·5H_2O,考察了焙烧时间、焙烧温度及焙烧保温时间对纳米氧化铁晶粒的影响,并研究了氧化铁晶粒生长动力学。使用扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪和X射线衍射仪对前驱体和纳米氧化铁进行表征。结果表明,对比焙烧温度和焙烧时间的影响,焙烧保温时间对氧化铁纳米晶粒的粒径影响较大,是其最主要的影响因素。通过计算,草酸铁焙烧制备纳米氧化铁的晶粒生长平均激活能为279.46kJ/mol,纳米氧化铁的晶粒生长平均动力学指数n=18.24。 展开更多
关键词 纳米氧化铁 制备 晶粒生长动力学
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微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长 被引量:10
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作者 林枞 徐政 +1 位作者 彭虎 孙丹峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期917-921,共5页
研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900~200℃,保温时间从20min~2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升... 研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900~200℃,保温时间从20min~2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9~3.4,生长激活能为225kj/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6~4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi_2O_3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素. 展开更多
关键词 微波烧结 氧化锌压敏电阻 致密化 晶粒生长动力学
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纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究 被引量:2
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作者 秦秀娟 邵光杰 +1 位作者 王文魁 刘日平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1201-1204,共4页
以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700~900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与... 以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700~900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制. 展开更多
关键词 纳米烧结 ZnO纳米块材 晶粒生长动力学指数 表观活化能
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铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻性能影响 被引量:7
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作者 万帅 吕文中 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期811-814,共4页
研究了铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻微观结构和非线性特性的影响.由SEM结果可知:在900℃烧结时,低熔点铋硼玻璃通过液相烧结机制能够促进氧化锌晶粒生长和提高晶粒分布的均匀性;然而,未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻... 研究了铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻微观结构和非线性特性的影响.由SEM结果可知:在900℃烧结时,低熔点铋硼玻璃通过液相烧结机制能够促进氧化锌晶粒生长和提高晶粒分布的均匀性;然而,未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了氧化锌压敏陶瓷晶粒的生长.当铋硼玻璃掺杂量为2wt%时,可以得到最佳非线性特性:电位梯度E_(1mA)=124.9V/mm,非线性系数a=46.2,漏电流密度J_L=0.2μA/cm^2.对铋硼玻璃掺杂压敏电阻来说,其晶粒生长动力学指数和激活能Q要远小于锌硼玻璃掺杂压敏电阻,仅为n≈2.15和146.2 kJ/mol.以上分析表明:与锌硼玻璃相比,铋硼玻璃能够更有效的促进氧化锌晶粒生长,改善ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻的微观结构,提高非线性特性. 展开更多
关键词 锌硼玻璃 铋硼玻璃 压敏电阻 电性能 晶粒生长动力学
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Electrical Properties and Grain Growth Kinetics of PZN-based Ceramics Using Microwave Sintering
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作者 M.B.Suresh CHOU Chen-chia 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期878-882,891,共6页
Effectiveness of microwave sintering process through investigation of microstructural characteristics and electrical properties of x(0.94PbZn_ 1/3Nb_ 2/3O_3 + 0.06BaTiO_3)+(1-x)PbZr_yTi_ 1-yO_3(PBZNZT)ceramics with x=... Effectiveness of microwave sintering process through investigation of microstructural characteristics and electrical properties of x(0.94PbZn_ 1/3Nb_ 2/3O_3 + 0.06BaTiO_3)+(1-x)PbZr_yTi_ 1-yO_3(PBZNZT)ceramics with x=0.6 and y=0.52 was evaluated.The relative density of 95% was achieved with sintering at 800℃ for 2 h.The small grain growth exponents indicate how easy the grain growth in these materials sintered using microwave radiation.Grain growth rate increases abruptly and is higher than that of conventional sintering at a temperature higher than 1050℃.This is attributed to the lower activation energy and higher grain boundary mobility.The activation energy required for the grain growth is found to be 132kJ/mol.Higher remanent polarization(Pr=50.1μC/cm2)and increase in remanent polarization with sintering temperature are observed in microwave sintering process when compared to that of conventional sintering process,due to fast increase in grain growth rate and homogeneity in the specimen.The results indicate lower sintering energy and reduction of PbO pollution in the working environment by microwave sintering process. 展开更多
关键词 电学性质 晶粒生长动力学 微波烧结 活化能 扩散 铁电体 制陶术
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