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电铸Cu的显微组织、晶粒取向和晶界结构
被引量：
1
1
作者
关丽雅
郑秀华
+1 位作者
王富耻
李树奎
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期235-239,共5页
采用SEM,TEM和EBSD研究了电铸Cu的微观组织形貌、晶粒取向和晶界特征.SEM观察表明,沿沉积方向,组织由细小等轴晶区、等轴晶和柱状晶的混合晶区转变为粗大柱状晶区.EBSD分析表明,对于所有晶区,小角度晶界(<15°)的分布频率较小,...
采用SEM,TEM和EBSD研究了电铸Cu的微观组织形貌、晶粒取向和晶界特征.SEM观察表明,沿沉积方向,组织由细小等轴晶区、等轴晶和柱状晶的混合晶区转变为粗大柱状晶区.EBSD分析表明,对于所有晶区,小角度晶界(<15°)的分布频率较小,大角度(≥15°)晶界为电铸Cu组织的主要晶界.在大角度晶界中,CSL晶界占有很大比例,其中Σ3的分布频率较大.柱状晶由平行分布的层状孪晶构成,近似垂直于沉积厚度方向,层间孪晶界为Σ3类型,TEM的观察也显示了孪晶的存在.细等轴晶区晶粒的择优取向不明显,混合晶区和粗柱状晶区有明显的〈111〉和〈101〉择优取向.在粗柱状晶区,平行于沉积厚度方向,具有较强的〈111〉择优取向,表明大多数{111}孪晶面垂直于沉积厚度方向.
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关键词
电铸Cu
晶粒择优取向
晶界特征分布
EBSD
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职称材料
CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响
2
作者
孙红婵
李树奎
+2 位作者
侯岳翔
鲁旭东
郭伟
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期76-78,共3页
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>...
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中Σ3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料。研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使晶粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变。
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关键词
化学气相沉积纯钨
晶界结构
重合位置点阵
晶粒择优取向
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职称材料
题名
电铸Cu的显微组织、晶粒取向和晶界结构
被引量：
1
1
作者
关丽雅
郑秀华
王富耻
李树奎
机构
北京理工大学材料学院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期235-239,共5页
文摘
采用SEM,TEM和EBSD研究了电铸Cu的微观组织形貌、晶粒取向和晶界特征.SEM观察表明,沿沉积方向,组织由细小等轴晶区、等轴晶和柱状晶的混合晶区转变为粗大柱状晶区.EBSD分析表明,对于所有晶区,小角度晶界(<15°)的分布频率较小,大角度(≥15°)晶界为电铸Cu组织的主要晶界.在大角度晶界中,CSL晶界占有很大比例,其中Σ3的分布频率较大.柱状晶由平行分布的层状孪晶构成,近似垂直于沉积厚度方向,层间孪晶界为Σ3类型,TEM的观察也显示了孪晶的存在.细等轴晶区晶粒的择优取向不明显,混合晶区和粗柱状晶区有明显的〈111〉和〈101〉择优取向.在粗柱状晶区,平行于沉积厚度方向,具有较强的〈111〉择优取向,表明大多数{111}孪晶面垂直于沉积厚度方向.
关键词
电铸Cu
晶粒择优取向
晶界特征分布
EBSD
Keywords
electroformed copper
preferred orientation
grain boundary character distribution
EBSD
分类号
TG146.4 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响
2
作者
孙红婵
李树奎
侯岳翔
鲁旭东
郭伟
机构
北京理工大学材料科学与工程学院．北京
出处
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期76-78,共3页
文摘
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中Σ3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料。研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使晶粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变。
关键词
化学气相沉积纯钨
晶界结构
重合位置点阵
晶粒择优取向
Keywords
CVD-W
grain boundary microstructure
coincidence site lattice
preferred orientation
分类号
TG146 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电铸Cu的显微组织、晶粒取向和晶界结构
关丽雅
郑秀华
王富耻
李树奎
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响
孙红婵
李树奎
侯岳翔
鲁旭东
郭伟
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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