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不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响
1
作者
朱慧
孙烨镕
+4 位作者
李屹林
姚智文
张轶群
张之壤
刘行
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第8期914-920,共7页
为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不...
为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不同温度的陷阱去俘获峰值曲线提取的激活能分析得到不同俘获过程所对应的不同位置的3种陷阱。其次,用仪器测量器件的I-V特性曲线,提取器件的阈值电压V_(TH)、亚阈值摆幅S和迁移率μ进行比对分析。结果显示,样品A2的工艺改善了膜质,降低了器件的阈值电压和关态漏电流,同时降低了栅氧化层的陷阱密度;样品A4的工艺填补了界面和沟道内的悬挂键,优化了器件的迁移率和亚阈值摆幅,同时降低了界面和晶界的陷阱密度。
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关键词
薄膜晶体管
陷阱
瞬态电流法
界面
陷阱
密度
晶界陷阱密度
电学特性
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职称材料
题名
不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响
1
作者
朱慧
孙烨镕
李屹林
姚智文
张轶群
张之壤
刘行
机构
北京工业大学信息学部
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第8期914-920,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61201046)
北京市自然科学基金资助项目(4202009,4162013)。
文摘
为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不同温度的陷阱去俘获峰值曲线提取的激活能分析得到不同俘获过程所对应的不同位置的3种陷阱。其次,用仪器测量器件的I-V特性曲线,提取器件的阈值电压V_(TH)、亚阈值摆幅S和迁移率μ进行比对分析。结果显示,样品A2的工艺改善了膜质,降低了器件的阈值电压和关态漏电流,同时降低了栅氧化层的陷阱密度;样品A4的工艺填补了界面和沟道内的悬挂键,优化了器件的迁移率和亚阈值摆幅,同时降低了界面和晶界的陷阱密度。
关键词
薄膜晶体管
陷阱
瞬态电流法
界面
陷阱
密度
晶界陷阱密度
电学特性
Keywords
thin film transistor
trap
current transient method
interface trap density
grain boundary trap density
electrical properties
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响
朱慧
孙烨镕
李屹林
姚智文
张轶群
张之壤
刘行
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
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