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一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术
被引量：
4
1
作者
冷俊林
杨静
+6 位作者
毛海燕
杨正兵
汤旭东
余欢
杨增涛
董姝
伍平
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期517-519,共3页
总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指...
总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。
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关键词
声表面波(SAW)
晶圆级封装技术
干膜
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职称材料
低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术
2
作者
王鹏程
成立
+2 位作者
吴衍
杨宁
王改
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期150-153,165,共5页
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可...
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。
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关键词
残余应力
等离子体增强化学气相淀积
晶圆
级
薄膜
封装
技术
绝缘膜上硅
微电子机械系统
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职称材料
题名
一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术
被引量：
4
1
作者
冷俊林
杨静
毛海燕
杨正兵
汤旭东
余欢
杨增涛
董姝
伍平
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期517-519,共3页
文摘
总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。
关键词
声表面波(SAW)
晶圆级封装技术
干膜
Keywords
SAW
wafer level package technology
dry film
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术
2
作者
王鹏程
成立
吴衍
杨宁
王改
机构
江苏大学电气与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期150-153,165,共5页
基金
国家"863"计划项目(2006AA10Z258)
文摘
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。
关键词
残余应力
等离子体增强化学气相淀积
晶圆
级
薄膜
封装
技术
绝缘膜上硅
微电子机械系统
Keywords
residual stress
plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）
wafer-lever thinfilm packaging technique
silicon on insulator （SOI）
MEMS
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术
冷俊林
杨静
毛海燕
杨正兵
汤旭东
余欢
杨增涛
董姝
伍平
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011
4
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职称材料
2
低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术
王鹏程
成立
吴衍
杨宁
王改
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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