-
题名基于硅帽键合技术的SAW圆片级封装工艺研究
- 1
-
-
作者
舒平
米佳
雷凯
梁柳洪
林苍海
冷峻林
陈兴
-
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
厦门云天半导体科技有限公司
-
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第3期520-524,共5页
-
文摘
研究了一种基于硅帽键合技术的声表面波(SAW)滤波器圆片级封装工艺,以满足高频通信系统对封装气密性、机械强度及散热性能的严苛要求。通过优化TSV孔的深硅刻蚀工艺和LT层刻蚀工艺,结合低温PECVD沉积的SiO2钝化层,实现了高气密性、高散热性及高可靠性的封装结构。经可靠性测试表明,与传统聚酰亚胺圆片级封装(WLP)相比,硅帽键合WLP在uHAST后频偏量仅为2M-2.5M(B40频段),优于传统封装的5M-6M。该工艺为高性能SAW滤波器的晶圆级封装提供了可靠的技术支持。
-
关键词
晶圆级封装(wlp)
硅帽
刻蚀
钝化
声表面波滤波器
-
Keywords
wlp
silicon cap
etch
passivation
surface acoustic wave filter
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN65
[电子电信—电路与系统]
-
-
题名一种基于WLP封装的声表面波滤波器
被引量：3
- 2
-
-
作者
陈尚权
吕翼
赵雪梅
董加和
米佳
陈彦光
伍平
-
机构
中国电子科技集团第二十六研究所
-
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第4期579-582,共4页
-
基金
预研基金资助项目。
-
文摘
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。
-
关键词
晶圆级封装(wlp)
声表面波滤波器
探卡
-
Keywords
wafer level packaging(wlp)
SAW filter
probe card
-
分类号
TN65
[电子电信—电路与系统]
-
-
题名C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制
被引量：5
- 3
-
-
作者
刘娅
孙科
马晋毅
谢征珍
蒋平英
杜雪松
-
机构
电子科技大学材料与能源学院
中国电子科技集团公司第二十六研究所
-
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2022年第2期260-263,共4页
-
文摘
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。
-
关键词
薄膜体声波谐振器(FBAR)
Mason模型
晶圆极封装(wlp)
覆膜
插入损耗
-
Keywords
film bulk acoustic resonator(FBAR)
Mason model
wafer level package(wlp)
tape
insertion loss
-
分类号
TN65
[电子电信—电路与系统]
-
