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一种毫米波双面晶圆的自动化三维测试系统
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作者 杨进 张君直 +4 位作者 朱健 黄旼 郁元卫 闫樊钰慧 王留宝 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期94-101,共8页
近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫... 近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫米波晶上阵列,具有“三免”(免连接器、免电缆、免管壳封装)的颠覆性结构。本文针对毫米波晶上阵列的自动化测试需求,创新性提出一种毫米波双面晶圆测试方法,突破了多尺寸双面晶圆可靠固定、双面探针精确对准和自动切换以及扎针强度精确控制和实时调节等关键技术,在此基础上研制出毫米波双面晶圆自动测试平台,解决了毫米波收发前端晶上阵列三维测试的难点,对毫米波晶上系统的测试具有重大参考价值。 展开更多
关键词 毫米波 双面晶圆 自动化测试 三维测试 测试系统
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声表面波芯片晶圆级封装技术
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作者 王君 孟腾飞 +2 位作者 周培根 于海洋 曹玉 《应用声学》 北大核心 2025年第1期75-79,共5页
为解决声表面波滤波器无法实现系统级封装和高密度系统集成的问题,制作出可保护图形且封装尺寸小的滤波器,该文研究声表面波芯片的晶圆级先进封装技术。针对声表面波滤波器本身特性,提出技术方案并通过实验验证方案的可行性,并制作出晶... 为解决声表面波滤波器无法实现系统级封装和高密度系统集成的问题,制作出可保护图形且封装尺寸小的滤波器,该文研究声表面波芯片的晶圆级先进封装技术。针对声表面波滤波器本身特性,提出技术方案并通过实验验证方案的可行性,并制作出晶圆级封装的声表面波芯片样品,利用有机聚合物键合实现了晶圆级封装,通过测试键合强度、对比封装前后芯片性能等验证该样品的可靠性,测试结果显示键合强度满足要求且封装前后性能基本一致,达到预期结果。为提高器件可靠性,对该方案进行改进,利用金属共晶键合方式实现气密性封装,并制作出满足气密性要求的晶圆级封装的声表面波器件样品。 展开更多
关键词 声表面波芯片 晶圆级封装 聚合物键合
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多项目晶圆(MPW wafer)在引线键合塑封中的常见问题分析
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作者 程传芹 蔡晓峰 +2 位作者 程晋红 张洪波 何良孝 《中国集成电路》 2025年第3期81-85,共5页
随着半导体工艺的更新迭代,晶圆的生产加工成本越来越高,很多研发机构和起步阶段的科技公司会选择多项目晶圆方式来缓解成本压力。但因多项目晶圆是多颗芯片共用一片晶圆,芯片分布不像普通量产晶圆那么规则,且单颗芯片的研磨厚度、上片(... 随着半导体工艺的更新迭代,晶圆的生产加工成本越来越高,很多研发机构和起步阶段的科技公司会选择多项目晶圆方式来缓解成本压力。但因多项目晶圆是多颗芯片共用一片晶圆,芯片分布不像普通量产晶圆那么规则,且单颗芯片的研磨厚度、上片(DA)材料等不能单独管控,在封装作业过程中会有很多的潜在风险,如误吸、线弧净空不足、未灌满等问题。因此,在芯片的研发阶段和封装导入阶段,需要充分考量并评估设计及封装的可行性,提前规避问题的发生,以降低各方面损失。 展开更多
关键词 多项目晶圆 封装 常见问题
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晶圆键合加压精度控制技术
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作者 李安华 李文浩 郭静枫 《电子工艺技术》 2025年第2期42-44,共3页
为解决晶圆键合加压精度控制问题,提高键合质量水平,以伺服电机驱动电动缸加压系统为例进行研究。重点对压力传感器实时反馈与ARM控制器闭环控制技术进行分析,阐述在晶圆键合过程中的应用效果,并以此为基础提出柔性力自平行加压结构设... 为解决晶圆键合加压精度控制问题,提高键合质量水平,以伺服电机驱动电动缸加压系统为例进行研究。重点对压力传感器实时反馈与ARM控制器闭环控制技术进行分析,阐述在晶圆键合过程中的应用效果,并以此为基础提出柔性力自平行加压结构设计建议,通过系统化试验的方式进行研究。结果表明:该控制方法具有优异的加压精度控制能力,位移控制精度可达±1%,键合力控制精度达到±0.5%,研究结果具有较强的实用性,能够为半导体器件制造工艺提供参考。 展开更多
关键词 晶圆键合 加压 精度控制
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旋转批靶离子注入机靶室晶圆传送系统设计
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作者 郭锐利 彭立波 罗才旺 《电子工业专用设备》 2025年第1期28-32,54,共6页
为满足旋转批靶离子注入机的自动化需求,设计了旋转批靶离子注入机的靶室晶圆传送系统,介绍了靶室结构和晶圆传送流程、片库腔体、机械手腔体和靶室腔体;分析了3种传片流程,并进行比较;论述了靶室运动控制系统及硬件和软件设计思路。最... 为满足旋转批靶离子注入机的自动化需求,设计了旋转批靶离子注入机的靶室晶圆传送系统,介绍了靶室结构和晶圆传送流程、片库腔体、机械手腔体和靶室腔体;分析了3种传片流程,并进行比较;论述了靶室运动控制系统及硬件和软件设计思路。最后对靶室晶圆传送系统进行总结,并展示其研制成功后的应用成果,可交付给芯片厂进行批量生产。 展开更多
关键词 离子注入机 晶圆传送系统 真空机械手 靶室 运动控制
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半导体晶圆无损高速搬运设备集成优化调度研究
6
作者 唐宏博 《电子设计工程》 2025年第3期102-105,110,共5页
为紧凑、科学、高效地调度半导体晶圆搬运设备,研究半导体晶圆无损高速搬运设备集成优化调度方法。基于半导体晶圆无损高速搬运连接情况,考虑半导体晶圆无损高速搬运过程中的任务量大与工序复杂等特性,以整体时间间隔最小与整体搬运时... 为紧凑、科学、高效地调度半导体晶圆搬运设备,研究半导体晶圆无损高速搬运设备集成优化调度方法。基于半导体晶圆无损高速搬运连接情况,考虑半导体晶圆无损高速搬运过程中的任务量大与工序复杂等特性,以整体时间间隔最小与整体搬运时间最短为目标函数,构建半导体晶圆无损高速搬运设备集成优化调度模型,并设定目标函数的相关约束函数。针对双目标函数的调度模型,采用粒子群算法求解多目标函数,考虑标准粒子群算法求解过程中的收敛效率差等问题,利用异步学习因子优化标准粒子群算法,提升算法的收敛速度与全局搜索性能。实验结果显示,该方法目标函数求解效率较快,在保证完成搬运任务的基础上最大限度缩短搬运时间。 展开更多
关键词 半导体晶圆 搬运设备 集成优化调度 目标函数 约束条件 粒子群算法
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【行业动态】台积电启动2纳米晶圆生产
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作者 《印制电路信息》 2025年第1期55-55,共1页
台积电目前在中国台湾本土建立了两个2纳米晶圆生产基地,并将在几年内达到最大产能,从而满足苹果、高通、联发科等多家客户的需求。据报道,在其2纳米技术的试生产达到60%的良品率之后,据说该公司目前已在其宝山工厂启动了每月5000片晶... 台积电目前在中国台湾本土建立了两个2纳米晶圆生产基地,并将在几年内达到最大产能,从而满足苹果、高通、联发科等多家客户的需求。据报道,在其2纳米技术的试生产达到60%的良品率之后,据说该公司目前已在其宝山工厂启动了每月5000片晶圆的小规模生产。在进展方面,公司还推出了一种新的N2P变体,作为公司第一代2纳米工艺的改进版本。据悉,先进的2纳米"N2P"节点将于2026年投入量产,台积电预计于2025年成功开始制造第一代迭代产品。 展开更多
关键词 晶圆生产 纳米工艺 纳米技术 良品率 小规模生产 试生产 改进版本 中国台湾
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星曜半导体5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产
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《中国集成电路》 2025年第1期53-53,共1页
2024年12月24日,浙江星曜半导体有限公司(以下简称“星曜半导体”)在温州湾新区、龙湾区举行了5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产仪式。据悉,该项目总投资7.5亿元,配备了先进的晶圆制造中心、封装测试设施、生产辅助系统以及废气废液纯... 2024年12月24日,浙江星曜半导体有限公司(以下简称“星曜半导体”)在温州湾新区、龙湾区举行了5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产仪式。据悉,该项目总投资7.5亿元,配备了先进的晶圆制造中心、封装测试设施、生产辅助系统以及废气废液纯水动力处理中心等完善的配套设施,预计投产后将实现年产12万片高性能射频滤波器晶圆片,终端客户覆盖国内外众多品牌和通讯设备公司。新产线投产后,星曜半导体在温州形成射频滤波器芯片研发、设计、制造、封装、测试等全环节能力。 展开更多
关键词 通讯设备 终端客户 射频滤波器 封装测试 晶圆制造 半导体 配套设施 芯片研发
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用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
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作者 刘善群 丁雨憧 +5 位作者 陈哲明 石自彬 龙勇 邹少红 庾桂秋 张莉 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期700-703,728,共5页
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合... 高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。 展开更多
关键词 压电单晶薄膜晶圆 清洗技术 离子注入 晶圆键合 表面洁净度
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半导体晶圆键合加压精确控制方法 被引量:1
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作者 张慧 周字涛 +4 位作者 鲁统伟 王成君 张辉 李早阳 张志胜 《电子工艺技术》 2024年第6期46-49,共4页
晶圆键合质量受键合压力控制精度显著影响。对于本身有一定翘曲度的晶圆,容易在键合过程中产生非预期位移,造成键合工艺偏差,甚至碎片。因此,提出了一种基于模糊PID(比例-积分-微分)和RBF(Radial Basis Function)径向基函数神经网络算... 晶圆键合质量受键合压力控制精度显著影响。对于本身有一定翘曲度的晶圆,容易在键合过程中产生非预期位移,造成键合工艺偏差,甚至碎片。因此,提出了一种基于模糊PID(比例-积分-微分)和RBF(Radial Basis Function)径向基函数神经网络算法的半导体晶圆键合压力控制方法。由于加入了模糊PID和深度学习算法控制,使得键合工艺过程响应更迅速,控制更精准,且安全性更高。采用铝样片进行加压试验,结果表明RBF神经网络模糊PID控制算法能够满足压力精度为±1%的控制需求。 展开更多
关键词 晶圆键合压力 RBF神经网络 模糊PID控制 压力控制精度
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伯努利晶圆传输机械手指的结构优化与吸附力研究 被引量:1
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作者 余少强 周海波 +1 位作者 徐云浪 李嘉俊 《动力学与控制学报》 2024年第12期29-36,共8页
晶圆传输机器人是晶圆传输过程中的重要设备,主要承担晶圆的高精度、高速、稳定传输任务.而作为直接接触晶圆的传输机械手指,很大程度上会决定着晶圆传输的可靠性.针对晶圆搬运过程中的无损高刚度要求和轻量化设计目标,本文提出了一种... 晶圆传输机器人是晶圆传输过程中的重要设备,主要承担晶圆的高精度、高速、稳定传输任务.而作为直接接触晶圆的传输机械手指,很大程度上会决定着晶圆传输的可靠性.针对晶圆搬运过程中的无损高刚度要求和轻量化设计目标,本文提出了一种基于伯努利排气负压原理的超薄机械手指结构.该机械手指整体厚度5 mm,装有6个吸盘,供给气体从吸盘圆筒侧面喷口高速喷出,在筒内形成旋转气流致负压,吸附晶圆,随后经机械手指与晶圆间隙释放至外界.此气流在吸盘与晶圆之间形成稳定层流,造成晶圆上下压力差,最终实现晶圆向上吸附力.仿真结果表明,晶圆吸附力与吸盘供气压力呈近似线性关系,与吸盘和晶圆的间隙遵循指数函数关系.当间隙为0.6 mm时,吸附力效果达到最优. 展开更多
关键词 伯努利原理 晶圆机器人 机械手指 超薄晶圆
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深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究
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作者 商庆杰 康建波 +1 位作者 张发智 宋洁晶 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期162-167,共6页
晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放... 晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放不充分的主要因素,表面聚合物的清除有助于优化晶圆位置偏移。电动三针在固有残留静电力的情况下,通过缓慢连续升针方案缓解了跳片现象。优化片间清洗方案大幅减小表面聚合物残留。实验结果表明:优化后的解吸附配方为工艺时长90 s、电极功率1000 W、气压20 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)、氩气体积流量250 mL/min,电动三针接触晶圆前、接触中、脱离静电吸盘后的升针速度分别为3、2和6 mm/s,在上述工艺条件下,通过进一步优化片间清洗方案,使得晶圆位置偏移量从初始的2~6 mm降至0.2 mm以内。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 晶圆位置偏移 静电吸盘 解吸附配方 电动三针 片间清洗
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磁流变超精密加工硅晶圆片的力学特性及其质量控制
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作者 李俊烨 曹欣锐 +1 位作者 汤家旭 朱金宝 《长春工业大学学报》 CAS 2024年第4期322-330,共9页
晶圆是一种超薄且具有硬脆性的高精度光学材料,传统加工难度较大且具有一定的局限性,高集成度的集成电路发展对硅晶圆片表面的线宽、硅晶片的平直度要求越来越苛刻。磁流变超精密加工技术作为柔性加工手段通过调控磁场的变化规律,进而... 晶圆是一种超薄且具有硬脆性的高精度光学材料,传统加工难度较大且具有一定的局限性,高集成度的集成电路发展对硅晶圆片表面的线宽、硅晶片的平直度要求越来越苛刻。磁流变超精密加工技术作为柔性加工手段通过调控磁场的变化规律,进而控制磁流变抛光液的流变特性,实现晶圆表面材料去除和表面误差校正。为揭示磁流变超精密加工晶圆表面质量控制规律,基于晶圆材料的JH2本构模型,对磁流变超精密加工过程中的表面应力、表面压力及切削方向规律残余压力进行探讨,获得磁流变超精密加工晶圆的力学特性,形成磁流变超精密加工硅晶圆片的质量控制。 展开更多
关键词 磁流变 超精密加工 晶圆 质量控制
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碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象
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作者 王川宝 默江辉 +3 位作者 朱延超 王帅 张力江 付兴中 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期157-161,共5页
在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常... 在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常和异常区域表面形貌和粗糙度,结果表明“斑点”区域粗糙度明显低于正常区域,两者分别为1.7和5.6 nm。采用聚焦离子束分析技术对比剖面结构差异,发现“斑点”区域存在明显晶粒合并现象,金属表面晶界比正常区域少很多。“斑点”形成的可能原因是沉积过程温度过高,导致Al膜沉积初始成核过程中大量晶核合并、晶界消失,从而表面粗糙度显著降低。 展开更多
关键词 SiC晶圆 铝薄膜 磁控溅射 异常结晶 溅射温度
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晶圆键合台温度均匀性提升研究
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作者 徐星宇 李早阳 +6 位作者 史睿菁 罗金平 王成君 李安华 薛志平 张慧 张辉 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期119-127,共9页
为提升集成电路用晶圆键合台的温度均匀性,以当前主流的200 mm晶圆键合台为研究对象,开展了键合台升温实验,建立并验证了键合过程三维热量传递数值模型,研究了键合台内部温度形成与分布规律,提出了能够显著提升键合台温度均匀性的简便... 为提升集成电路用晶圆键合台的温度均匀性,以当前主流的200 mm晶圆键合台为研究对象,开展了键合台升温实验,建立并验证了键合过程三维热量传递数值模型,研究了键合台内部温度形成与分布规律,提出了能够显著提升键合台温度均匀性的简便有效策略。结果表明:加热盘内部加热丝缠绕的非中心对称分布引起键合台工作面温度的不均匀分布,在不考虑上、下加热盘高低温区匹配的情况下,工作面整体温度均匀性为3.2%,径向温度均匀性为1.1℃;对上或下加热盘进行旋转,使得两个加热盘的高低温区分布形成空间补偿,可大幅提升键合台温度均匀性;在将上加热盘逆时针匹配旋转50°后,键合台工作面的整体温度均匀性达到1.3%,径向温度均匀性达到0.3℃。该研究有助于深入认识晶圆键合台内部的热量传递与温度分布规律,对于键合台的精细设计和键合工艺水平的提升具有参考意义。 展开更多
关键词 集成电路 晶圆键合台 温度均匀性 数值模拟
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Chiplet晶圆混合键合技术研究现状与发展趋势 被引量:1
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作者 王成君 张彩云 +4 位作者 张辉 刘红雨 薛志平 李早阳 乔丽 《电子工艺技术》 2024年第4期6-11,共6页
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。混合键合技术作为微电子封装和先进制造领域的一种新型连接技术,已经成为实现芯片堆叠、未来3D封装的一项关键技术,是实现高性能、高密度... 半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。混合键合技术作为微电子封装和先进制造领域的一种新型连接技术,已经成为实现芯片堆叠、未来3D封装的一项关键技术,是实现高性能、高密度和低功耗芯片设计的关键技术之一。分析了Chiplet晶圆混合键合技术应用背景,梳理了典型工艺及设备研究的现状,并展望了晶圆混合键合技术发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆键合 混合键合 异质异构 直接键合 Chiplet
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基于硅基晶圆级封装模组技术的W波段T/R组件
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作者 凌显宝 张君直 +2 位作者 葛逢春 侯芳 朱健 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期F0003-F0003,共1页
碳传统的W波段T/R组件需要将复杂精密的波导机械结构和精巧的耦合探针以及高频芯片一体化集成。该类组件的工程制造中将面临气密性、工艺复杂性以及多芯片组装良率的挑战。随着W波段复杂组件的工程化需求激增,对于W波段组件的可制造性... 碳传统的W波段T/R组件需要将复杂精密的波导机械结构和精巧的耦合探针以及高频芯片一体化集成。该类组件的工程制造中将面临气密性、工艺复杂性以及多芯片组装良率的挑战。随着W波段复杂组件的工程化需求激增,对于W波段组件的可制造性提出更高要求。南京电子器件研究所通过采用先进的硅基半导体集成工艺,将高性能的化合物芯片、硅芯片等多种工艺制程的芯片集成到硅基晶圆上,再利用硅基三维刻蚀工艺制作波导结构,实现高性能的W波段硅基晶圆级封装集成模组制造。如图1所示,基于硅基晶圆级封装模组技术的W波段T/R组件具有良好的电性能。 展开更多
关键词 T/R组件 晶圆级封装 模组 一体化集成 集成工艺 波导结构 硅芯片 可制造性
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薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势
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作者 王成君 杨晓东 +6 位作者 张辉 周幸叶 戴家赟 李早阳 段晋胜 乔丽 王广来 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期36-49,共14页
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低... 半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低等技术瓶颈。开展超薄界面异质异构晶圆键合装备研发,大幅度降低键合界面热阻、提高互连密度和键合精度,是解决当前技术瓶颈、提高器件性能的重要途径。但由于核心零部件被国外垄断、设备整机技术攻关难度大,目前尚无成熟的国产异质异构晶圆键合装备,这就严重制约了我国新一代半导体器件的自主创新发展。本文梳理了超薄界面异质异构晶圆键合技术及典型工艺研究现状,并展望了超薄界面异质异构晶圆键合技术发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆键合 超薄界面 异质异构 直接键合 金刚石基氮化镓微波功率器件
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SCARA型晶圆传输机器手结构设计与减振优化 被引量:1
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作者 李嘉俊 周海波 +1 位作者 徐云浪 余少强 《动力学与控制学报》 2024年第12期70-78,共9页
晶圆传输机器手是晶圆在搬运过程中实现高精度和高效率自动化的重要组成设备.工作过程中其结构模态固有频率直接影响了晶圆传输中运动控制过程中的精度和稳定性,基于平面3关节直驱旋转运动和垂直升降运动原理,设计了一款SCARA(Selective... 晶圆传输机器手是晶圆在搬运过程中实现高精度和高效率自动化的重要组成设备.工作过程中其结构模态固有频率直接影响了晶圆传输中运动控制过程中的精度和稳定性,基于平面3关节直驱旋转运动和垂直升降运动原理,设计了一款SCARA(Selective Compliance Assembly Robot Arm)型四自由度晶圆传输机器手.首先,采用Ansys Workbench软件对SCARA型晶圆传输机器手的超薄机械手指进行了模态分析,采用均匀轮形筋结构对手指进行了结构尺寸优化,优化后的一阶模态提高了42.79%;然后,采用Ansys Workbench对晶圆传输的整体结构进行了优化,研究发现底座部分刚度较弱,是造成机器手整体低阶模态频率较低的主要原因,对此特别针对底座进行了结构优化,优化后的一阶和二阶模态频率分别提高了52.03%和30.55%.通过结构优化,提高了晶圆传输机器手的整体低阶模态频率,改善了晶圆传输机器手的运动控制过程中的精度和稳定性,避免了共振,进而降低了振动的影响,有效保证了晶圆传输机器手在实际工作中的稳定性和可靠性. 展开更多
关键词 晶圆传输机器手 模态分析 共振 结构优化
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使用晶圆级键合技术制备金属微结构
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作者 廖承举 张剑 +3 位作者 卢茜 彭挺 林玉敏 赵明 《电子工艺技术》 2024年第5期4-7,20,共5页
使用金属材料的晶圆级键合技术可以制备半封闭结构的金属矩形微同轴线。基于柔性金属衬底的晶圆级键合技术,制备了金属矩形微同轴结构。通过选择合适的对准标记和键合工艺,实现了≤10 μm的对准误差。通过多个金属矩形微同轴线的微组装... 使用金属材料的晶圆级键合技术可以制备半封闭结构的金属矩形微同轴线。基于柔性金属衬底的晶圆级键合技术,制备了金属矩形微同轴结构。通过选择合适的对准标记和键合工艺,实现了≤10 μm的对准误差。通过多个金属矩形微同轴线的微组装,初步展示了使用单层金属矩形微同轴线构建射频开关矩阵单元的能力。 展开更多
关键词 晶圆级键合技术 金属微结构 矩形微同轴线 3D MERFS
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