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对晶体管阵列热阻和电老炼相关技术的探讨
1
作者 曹耀龙 于学东 徐立生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期132-134,共3页
为解决在未知最大额定功耗的情况下进行电老炼的问题,提供了晶体管阵列热阻和电老炼的相关技术与方法,指出了如何利用热阻去推算最大功耗以及如何验证推算的正确性,最后给出了晶体管阵列老炼时应注意的问题。
关键词 晶体管阵列 热阻 电老炼
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磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响 被引量：4
2
作者 刘晓伟 郭会斌 +2 位作者 李梁梁 郭总杰 郝昭慧 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期548-552,共5页
纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对... 纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究。实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度-应力曲线中屈服点温度也相应提高。量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率。 展开更多
关键词 薄膜晶体管阵列工艺 磁控溅射 纯铝薄膜 小丘 量产良率
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离子氧化物晶体管阵列多级痛觉敏化仿生研究
3
作者 李彦冉 谢叮咚 蒋杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期429-436,共8页
多级痛觉感知对于生物避免外界伤害刺激具有十分重要的意义。本工作以海藻酸钠生物聚合物作为离子耦合栅介质,成功制备了5×5无结痛觉感知晶体管阵列。该器件能够在低电压下(2 V)正常工作,且具有较大的电流开关比(>10^(4))以及... 多级痛觉感知对于生物避免外界伤害刺激具有十分重要的意义。本工作以海藻酸钠生物聚合物作为离子耦合栅介质,成功制备了5×5无结痛觉感知晶体管阵列。该器件能够在低电压下(2 V)正常工作,且具有较大的电流开关比(>10^(4))以及开态电流(>10μA)。这种器件不仅能模拟突触的重要功能,如兴奋性突触后电流、双脉冲易化、动态滤波等,而且还成功模拟了痛觉神经网络的多级空间感知敏化特性。构建该网络系统为下一代神经形态类脑系统应用提供了新的途径。 展开更多
关键词 氧化物半导体 晶体管阵列 痛觉神经网络 时空致敏
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三维晶体管阵列有望打破摩尔定律
4
《机床与液压》 北大核心 2019年第22期69-69,共1页
目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入三维空间,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管... 目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入三维空间,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。 展开更多
关键词 硅集成电路 二维阵列 晶体管阵列 硅芯片 摩尔定律 计算机处理器 三维空间 研究团队
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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量：14
5
作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页
主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多
关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列
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一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源 被引量：3
6
作者 王鹏飞 刘博 +2 位作者 段文娟 张立文 张金灿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期24-29,共6页
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF... 设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比。结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75μW;在温度为-55~125℃时,温度系数为6.85×10~(-6)/℃。此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 带隙基准电压源 低温度系数 亚阈值区 晶体管阵列版图
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液晶材料的分类、发展和国内应用情况 被引量：22
7
作者 徐晓鹏 底楠 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期81-83,共3页
介绍了液晶材料的种类,及国内主要液晶材料的分类性能,论述了实际应用和市场前景。
关键词 液晶聚合物 液晶 近晶相 胆甾相 向列相 扭曲向列型 薄膜晶体管阵列
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TFT-LCD过孔接触电阻研究 被引量：7
8
作者 白金超 王玉堂 +3 位作者 郭总杰 丁向前 袁剑峰 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期432-436,共5页
研究了过孔接触电阻变化规律,并进行机理分析,为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先,运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后,通过扫描电子显... 研究了过孔接触电阻变化规律,并进行机理分析,为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先,运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后,通过扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱仪和聚焦离子束显微镜对过孔内部形貌进行表征。最后,对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明:过孔面积越大,接触电阻越小;过孔面积相同时,长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻,多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻,栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻,过孔面积尽可能最大化,采用长方形过孔优于正方形过孔,多小过孔优于单大孔设计,同时优化过孔刻蚀工艺,减少过孔内顶层钼的损失。 展开更多
关键词 薄膜晶体管阵列工艺 接触电阻 过孔设计优化
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各膜层对光刻胶灰化的影响 被引量：2
9
作者 白金超 张光明 +3 位作者 郭总杰 郑云友 袁剑峰 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期616-620,共5页
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属... 研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响。对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1%,灰化速率下降14nm/min。有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率。 展开更多
关键词 薄膜晶体管阵列工艺 四次光刻 光刻胶 灰化
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通过喷墨打印的低成本数字显示器
10
《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期68-68,共1页
关键词 美国施乐公司 喷墨打印 半导体油墨 平面显示器 晶体管阵列 数字显示器
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