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晶体管放大器偏置电路的噪声计算 被引量:2
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作者 王军 戴逸松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期56-59,共4页
本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法.该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声,从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具.
关键词 晶体管放大器 偏置噪声 计算 偏置电路
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微波功率晶体管放大器匹配电路的设计 被引量:4
2
作者 郭潇菲 刘凤莲 王传敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第5期67-69,共3页
对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制... 对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。 展开更多
关键词 微波功率晶体管放大器 匹配 多节并联导纳匹配法
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晶体管放大器三种组态的En—In人噪声分析与比较
3
作者 王军 戴逸松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期93-95,99,共4页
准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键.本文在晶体管三种组态En—In人噪声分析等方面给出了若干新结果.
关键词 晶体管组态 噪声模型 晶体管放大器
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TriQuint推出绿色基站RF晶体管放大器系列
4
《电子与电脑》 2010年第6期94-94,共1页
TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络基站放大器的所需... TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络基站放大器的所需的电力,同时运营商能更容易地提高网络容量和速度。 展开更多
关键词 晶体管放大器 无线基站 网络运营商 RF 射频集成电路 半导体公司 绿色环保 智能手机
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11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器
5
作者 S.Aihara H.Katoh 李春发 《微纳电子技术》 1978年第3期63-70,共8页
采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作... 采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。 展开更多
关键词 千兆赫 噪声系数 砷化镓场效应晶体管 谐振器 共振器 放大器电路 场效应晶体管放大器 低噪声
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L波段小信号放大器ADS设计与仿真 被引量:4
6
作者 南敬昌 冯永生 刘元安 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第B08期143-147,共5页
对小信号晶体管放大器的设计步骤、设计理论进行了阐述,利用ADS软件通过实例详细地设计了L波段小信号放大器,并给出了仿真结果。仿真结果表明,放大器匹配电路设计完全满足性能指标要求。本文提出的利用ADS软件对L波段的LNA和小信号功率... 对小信号晶体管放大器的设计步骤、设计理论进行了阐述,利用ADS软件通过实例详细地设计了L波段小信号放大器,并给出了仿真结果。仿真结果表明,放大器匹配电路设计完全满足性能指标要求。本文提出的利用ADS软件对L波段的LNA和小信号功率放大器的设计方法可以加速放大器产品化进程,具有重要的实用价值。这种放大器主要应用于微波中继、数字音频卫星直播、全球定位系统等无线系统中。 展开更多
关键词 小信号晶体管放大器 L波段 设计 双共轭匹配 先进设计系统
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基于HEMT的单片微波集成放大器设计 被引量:2
7
作者 杨学斌 吕善伟 +1 位作者 苏东林 王良臣 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期290-292,共3页
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑 ,在HEMT的输入端并联一个 2 0 0... 介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑 ,在HEMT的输入端并联一个 2 0 0Ω电阻 ,用HP EESOF公司的Libra 2 .1软件进行了小信号电路仿真与设计 .仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的 ,在 2~ 3GHz频带内增益为1 4.2dB ,纹波小于 0 .4dB ,噪声系数约 2 .7dB ,满足实用要求 . 展开更多
关键词 微波晶体管放大器 微波集成电路 仿真 HEMT
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微波放大器稳定性分析与设计 被引量:7
8
作者 于洪喜 《空间电子技术》 2003年第2期10-13,17,共5页
提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤,总结了放大器稳定性设计方法。
关键词 微波场效应晶体管放大器 串联电阻 稳定性分析 设计
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电池内阻对晶体管放大电路性能的影响
9
作者 董爱华 张习睿 《河南理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第3期318-321,333,共5页
电池内阻将随着使用时间的增长而不断增大,它会引起供电电压不稳定,以致影响使用电池供电的电子系统和电子仪器仪表装置正常工作.介绍了铅酸蓄电池在充放电状态下的电化原理,研究了原电池内阻及电压的变化机理,论述了干电池放电过程中... 电池内阻将随着使用时间的增长而不断增大,它会引起供电电压不稳定,以致影响使用电池供电的电子系统和电子仪器仪表装置正常工作.介绍了铅酸蓄电池在充放电状态下的电化原理,研究了原电池内阻及电压的变化机理,论述了干电池放电过程中内阻变化的原因,分析了干电池内阻对晶体管放大器静态工作点、电压放大倍数的影响,提出了在实际电子电路中减小电池内阻变化对晶体管放大器影响的有效措施,指出了对蓄电池进行在线检测的必要性. 展开更多
关键词 电池内阻 晶体管放大器 电路性能
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用h参数讨论阻容耦合放大器高频特性的误差分析
10
作者 石焕玉 《大学物理》 1999年第7期22-24,共3页
运用h参数和π参数等效电路,对单级阻容耦合共射放大器的高频特性进行分析比较。
关键词 晶体管放大器 高频特性 h参数 π参数
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基于STM32的非线性失真放大器设计与测试分析 被引量:3
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作者 熊宇鹏 方如意 +1 位作者 黄煜 陈炳权 《电子设计工程》 2022年第7期53-57,62,共6页
非线性失真放大器装置主要由晶体管、模拟开关等元器件所构成的非线性失真信号发生放大器和基于STM32的总谐波失真度测量仪组成,可以用于产生在模拟电子电路中常见的4种非线性失真信号,即顶部、底部、双向和交越失真信号,测试仪可以用... 非线性失真放大器装置主要由晶体管、模拟开关等元器件所构成的非线性失真信号发生放大器和基于STM32的总谐波失真度测量仪组成,可以用于产生在模拟电子电路中常见的4种非线性失真信号,即顶部、底部、双向和交越失真信号,测试仪可以用于对上述4种非线性失真信号进行总谐波失真度的测量。在软硬联调测试中,该非线性失真放大器装置可以输出4种增益大于100倍的非线性失真信号,测量得到顶部、底部、双向、交越失真信号的总谐波失真度分别为17.0%、16.0%、10.9%、18.5%,与专业的频谱测试仪器测量得到结果近似。 展开更多
关键词 非线性失真 晶体管放大器 OCL电路 失真度
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具有LC谐振网络放大器的设计
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作者 王莉莉 《大学物理实验》 1999年第3期42-45,共4页
在电子线路设计试验中,学生经常进行各种电路的设计训练。本文介绍了一种具有 L C 谐振网络的晶体管放大器的设计思路及方法。
关键词 LC谐振网络 晶体管放大器 设计
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低噪声放大器对收信系统热噪声性能改善的分析
13
作者 范例 《山东煤炭科技》 2002年第3期42-43,共2页
关键词 收信系统 热噪声 噪声系统 增益 低噪声放大器 场效应晶体管放大器
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X波段宽带低噪声场效应管放大器
14
作者 王开然 《航天电子对抗》 1989年第3期30-34,共5页
本文介绍一种设计方法简单、调试方便、性能优良的x波段宽频带低噪声场效应晶体管放大器的设计研制过程。该放大器采用常用的单端式放大器方案,并通过一些调试技巧,使之达到令人满意的结果。其性能指标:频率范围8~12GHz;工作带宽大于2G... 本文介绍一种设计方法简单、调试方便、性能优良的x波段宽频带低噪声场效应晶体管放大器的设计研制过程。该放大器采用常用的单端式放大器方案,并通过一些调试技巧,使之达到令人满意的结果。其性能指标:频率范围8~12GHz;工作带宽大于2GHz,噪声系数小于3dB,功率增益大于30dB;带内平坦度优于1dB。体积175×48×30mm^2;重量400g。 展开更多
关键词 宽频带放大器—研制 微波放大器 低噪声放大器 场效应晶体管放大器
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前向波放大链发射机的可靠性
15
作者 李永增 廖永君 《雷达与对抗》 1993年第4期15-18,33,共5页
结合发射机工作的特点,重点介绍了由微波晶体管放大器-栅控行波管放大器-前向波管放大器构成的固态调制发射机的可靠性,尤其值得提出的是,在前向波放大器的可控硅调制器中,其快速保护器具有下列特殊功能即复载短路或开路时的快速保护,... 结合发射机工作的特点,重点介绍了由微波晶体管放大器-栅控行波管放大器-前向波管放大器构成的固态调制发射机的可靠性,尤其值得提出的是,在前向波放大器的可控硅调制器中,其快速保护器具有下列特殊功能即复载短路或开路时的快速保护,无高频激励的快速保护以及线型调制器人工线脉宽的快速转换。在栅控行波管放大器中的快速链锁保护装置,它不仅可保证栅控行波管的加电顺序,而且还能实现故障保护。在控保系统中采用矩阵式数字电路,大大简化了逻辑电路的设计。另外还有一个突出的特点是,在修改保护功能或增加任何数量的保护功能时,不必修改逻辑电路,这些都大大提高了放大链发射机的可靠性。 展开更多
关键词 发射机 可靠性 晶体管放大器 雷达
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大功率FET的输入输出电路设计 被引量:1
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作者 李磊 《火控雷达技术》 2006年第3期74-77,共4页
对于设计功率放大器输入、输出电路的原理作了简单介绍,并且以两个放大器的设计过程为例,详细说明了这种以阻抗为基础的设计方法。
关键词 微波晶体管放大器 插入损耗 驻波
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产品
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《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第2期138-139,共2页
潜力巨大的三模石墨烯晶体管 莱斯大学(Rice University)利用石墨烯多样化的性能拓展电路的应用范围,预计可替代目前常用的各项硅基技术,且功能多尺寸小。基于石墨烯的三模单晶体管放大器将是未来电子电路中不可或缺的元件。
关键词 晶体管放大器 产品 电子电路 硅基技术 石墨 多样化 可替代 三模
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一种实验性1GHZ集成化接收机
18
作者 庄昆杰 何立权 《南京工学院学报》 EI CAS 1981年第3期18-23,共6页
本文探讨了实现微波接收机集成化的方案及电路组成。着重讨论了平衡电路技术在集成化设备中的应用。所研制的接收机用在传输电视和数字通信的微波转发系统中,已获得良好的试验结果。
关键词 微波接收机 匹配性能 晶体管放大器 环流器 薄膜工艺 石机 集成电路工艺 中频放大器 实验性
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21厘米全固态反馈辐射计
19
作者 周寿根 孙敏松 《南京工学院学报》 EI CAS 1981年第3期38-44,共7页
本文讨论了一种适用于研究地物波谱特性的反馈辐射计。为了消除增益变化的影响,将接收机和易受漂移影响的元件接入反馈回路,改善了系统的稳定性。还分析了系统的原理和设计,叙述了微波集成电路,给出了校正曲线和实地观察的实验数据。该... 本文讨论了一种适用于研究地物波谱特性的反馈辐射计。为了消除增益变化的影响,将接收机和易受漂移影响的元件接入反馈回路,改善了系统的稳定性。还分析了系统的原理和设计,叙述了微波集成电路,给出了校正曲线和实地观察的实验数据。该设备的输出噪声起伏均方值达0.35°K±0.1°K。 展开更多
关键词 辐射计 天线 混频器 传感器 噪声温度 微波晶体管放大器 中频放大器 电调衰减器 微带传输线
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全能大力士PASS——Pass Labs X600单声道后级功效
20
作者 程平 《消费电子》 2003年第9期60-61,共2页
作为美国HI-END器材的代表厂商,Nelsen Pass曾经制造过一些真正出色的晶体管放大器,而X600是目前为止做得最优秀的一部,它轻松地超越了我的参考放大器——同厂的Aleph 1.2单声道后级。我从来没见过像这样同时拥有优异的声音表现和漂亮... 作为美国HI-END器材的代表厂商,Nelsen Pass曾经制造过一些真正出色的晶体管放大器,而X600是目前为止做得最优秀的一部,它轻松地超越了我的参考放大器——同厂的Aleph 1.2单声道后级。我从来没见过像这样同时拥有优异的声音表现和漂亮外观的放大器,它没有明显的缺点,而且同其它的功放一样,它音色上的细微之处也能把我带入音乐的氛围中去。 展开更多
关键词 单声道 大力士 对称电路 晶体管放大器 参考放大器 仪表盘 PASS 输出状态 运算放大器 立体造型
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