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基于SiC的NPN双极型晶体管设计
1
作者
冷贺彬
朱平
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第2期91-96,137,共7页
利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流...
利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。
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关键词
NPN双极型
晶体管
SIC
工作温度
击穿电压
特征频率
禁带宽度
晶体管增益
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职称材料
牵引级高压IGBT模块短路特性研究及其优化
被引量:
8
2
作者
刘国友
覃荣震
+3 位作者
黄建伟
Ian Deviny
吴义伯
余伟
《机车电传动》
北大核心
2014年第1期7-10,15,共5页
介绍了IGBT 3种短路类型,通过优化器件的晶体管增益提高第二类短路能力,以承受更大短路电流的冲击,采取驱动电路栅极电压箝位措施来限制短路状态下的过流。经过设计与工艺优化后的高压IGBT成功通过了短路特性试验,满足轨道交通的应用需求。
关键词
绝缘栅双极
晶体管
短路
晶体管增益
箝位
大功率变流器
轨道牵引
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职称材料
题名
基于SiC的NPN双极型晶体管设计
1
作者
冷贺彬
朱平
机构
中北大学仪器与电子学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第2期91-96,137,共7页
文摘
利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。
关键词
NPN双极型
晶体管
SIC
工作温度
击穿电压
特征频率
禁带宽度
晶体管增益
Keywords
NPN bipolar transistor
SiC
operating temperature
breakdown voltage
characteristic frequency
band gap
transistor gain
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
牵引级高压IGBT模块短路特性研究及其优化
被引量:
8
2
作者
刘国友
覃荣震
黄建伟
Ian Deviny
吴义伯
余伟
机构
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心
出处
《机车电传动》
北大核心
2014年第1期7-10,15,共5页
文摘
介绍了IGBT 3种短路类型,通过优化器件的晶体管增益提高第二类短路能力,以承受更大短路电流的冲击,采取驱动电路栅极电压箝位措施来限制短路状态下的过流。经过设计与工艺优化后的高压IGBT成功通过了短路特性试验,满足轨道交通的应用需求。
关键词
绝缘栅双极
晶体管
短路
晶体管增益
箝位
大功率变流器
轨道牵引
Keywords
IGBT
short circuit
transistor gain
clamp
high-power converter
rail traction
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
U264.37 [机械工程—车辆工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于SiC的NPN双极型晶体管设计
冷贺彬
朱平
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019
0
在线阅读
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职称材料
2
牵引级高压IGBT模块短路特性研究及其优化
刘国友
覃荣震
黄建伟
Ian Deviny
吴义伯
余伟
《机车电传动》
北大核心
2014
8
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职称材料
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参考文献
引证文献
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