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坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制 被引量:5
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作者 谷智 李国强 +1 位作者 介万奇 郭平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期346-350,共5页
根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制... 根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。 展开更多
关键词 坩埚加速旋转-垂直下降法 晶体生长设备 研制 CDZNTE 半导体 Ⅱ-Ⅵ族化合物
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我国人工晶体生长设备的回顾与展望 被引量:3
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作者 李留臣 薛抗美 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期328-331,共4页
本文回顾了我国人工晶体生长设备的发展历史 ,展望了人工晶体生长设备的发展前景。
关键词 中国 人工晶体 回顾 发展前景 晶体生长设备 单晶炉
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我国晶体生长设备的现状与发展 被引量:2
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作者 袁文愈 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期227-,共1页
1 我国晶体生长设备的现状我国人工晶体材料有了很大的发展 ,多种晶体处于世界先进水平。然而 ,从整体来看还很不适应国民经济和国防建设高速发展的需要 ,装备的制约是主要因素之一。在晶体材料的研究和开发方面 ,应重视材料的技术水... 1 我国晶体生长设备的现状我国人工晶体材料有了很大的发展 ,多种晶体处于世界先进水平。然而 ,从整体来看还很不适应国民经济和国防建设高速发展的需要 ,装备的制约是主要因素之一。在晶体材料的研究和开发方面 ,应重视材料的技术水平和技术指标 ,也需要相应的先进工艺装备的研究以及高技术产业的建设。至今 ,不少单位仍使用 6 0年代的TDK 36和TDK 36AZ型硅、锗单晶炉生长氧化物晶体材料 ,机械传动爬行和振动很大 ,电器自动控制精度很低 ,部件已磨损和腐蚀 ,很难满足晶体生长的基本条件。JDL 4 0型激光晶体炉 ,80年通过机械部和电子部组织的鉴定。 2 0年来西安理工大学共生产 4 0型晶体炉 89台 ,加上北京十一所近年生产的约 4 0台 ,12 0余台 4 0型激光晶体炉是当今我国氧化物晶体直拉生长的主要设备。但该炉型从投料量和自动化水平方面已不能适应晶体发展的需要。为此 1998年西安理工大学研制成功TDL J75型晶体炉 ,该炉具有如下特点。(1)高精度的提拉系统 ,采用精密滚珠丝杠传动 ,直线滚动导轨导向 ,没有滑动摩擦 ,爬行大幅的减小。电机传动采用 1:10 0 0 0的谐波减速 ,进一步提高传动精度。标尺采用刻度为 0 .0 0 1mm光栅尺 ,提高了行程指示精度。结构上便于安装上称重系统 ,为今后提高自动化水平提? 展开更多
关键词 晶体生长设备 单晶炉 生长控制装备
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晶体要发展 设备是关键——记陈创天院士对人工晶体生长设备的关心与重视
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作者 李留臣 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第10期1859-1859,共1页
“晶体要发展,设备是关键”这是陈创天院士对于我国人工晶体生长设备产业发展的鲜明观点和实质重视。陈创天院士是国际著名晶体材料学家,是我国非线性光学晶体研究领域的奠基人,在晶体生长理论和实践中做出了突出的贡献。同时,陈老师对... “晶体要发展,设备是关键”这是陈创天院士对于我国人工晶体生长设备产业发展的鲜明观点和实质重视。陈创天院士是国际著名晶体材料学家,是我国非线性光学晶体研究领域的奠基人,在晶体生长理论和实践中做出了突出的贡献。同时,陈老师对我国人工晶体生长设备产业的发展高度重视,对晶体生长设备提出了能够更好地满足工艺要求的创新要求,很多原创性的晶体材料都是陈老师团队在定制的国产设备上完成的,以实际行动支持和推动我国人工晶体生长设备和工艺技术的发展。 展开更多
关键词 晶体生长理论 晶体生长设备 非线性光学晶体 材料学家 晶体材料 国产设备 陈老师 院士
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福建成功研发80kg级蓝宝石晶体
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《黄金科学技术》 2012年第3期79-79,共1页
福建鑫晶精密刚玉科技有限公司利用晶体生长设备和顶部籽晶温度梯度技术,于2012年3月成功研制出80 kg级晶体并投入量产。
关键词 蓝宝石晶体 G级 福建 研发 晶体生长设备 梯度技术 投入量
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Re:LiBaF_(3)晶体的光谱
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作者 崔凤柱 董健 张仁化 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期372-372,共1页
本文用真空高频区域熔化晶体生长设备制备了Re:LiBaF_(3)(Re=Eu^(2+),Ce^(3+),Tb^(3+))。经X射线粉末衍射分析确认为单一物相的LiBaF_(3)。稀土掺杂量均为1mol%。测量了三种样品的室温荧光光谱及其激发光谱。Eu^(2+):LiBaF_(3)既有d-f... 本文用真空高频区域熔化晶体生长设备制备了Re:LiBaF_(3)(Re=Eu^(2+),Ce^(3+),Tb^(3+))。经X射线粉末衍射分析确认为单一物相的LiBaF_(3)。稀土掺杂量均为1mol%。测量了三种样品的室温荧光光谱及其激发光谱。Eu^(2+):LiBaF_(3)既有d-f跃迁宽带发射又有f-f跃迁尖峰发射,峰位分别为410nm和359.4nm。 展开更多
关键词 Re:LiBaF_ 真空高频区域熔化晶体生长设备
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上海硅酸盐研究所成功研制出大尺寸宽板状BGO闪烁单晶
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1329-1329,共1页
日前,中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线在超长晶体的研制和产业化制备技术取得重大突破的基础上,采用自行研制的晶体生长设备和工艺,成功地研制出610×280×30 mm3宽板状锗酸铋(Bi4Ge3O12,BGO)晶体,这是迄今为止国... 日前,中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线在超长晶体的研制和产业化制备技术取得重大突破的基础上,采用自行研制的晶体生长设备和工艺,成功地研制出610×280×30 mm3宽板状锗酸铋(Bi4Ge3O12,BGO)晶体,这是迄今为止国际上公开报道的单体面积最大的BGO闪烁晶体,已申请生长装置和方法发明专利1项以及应用发明专利1项。 展开更多
关键词 中国科学院上海硅酸盐研究所 闪烁晶体 BGO 板状 晶体生长设备 大尺寸 单晶 发明专利
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西安理工大学承担的国家科技重大专项课题顺利通过中期检查
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《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2010年第3期356-356,共1页
关键词 中期检查 科技部 西安理工大学 大专 晶体生长设备 工程研究中心 硅单晶 应用工程
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