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CdTe核辐射探测器
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作者 吴绍云 张文成 +2 位作者 毛裕芳 蒋瑞娟 马呈德 《原子能科学技术》 EI CAS 1975年第4期369-371,共3页
近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(... 近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14), 展开更多
关键词 CDTE 探测器 单晶 核辐射 Cs 电子 晶形 轻子 晶体生长技术 反向漏电流
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