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TCTA薄膜多晶型结构与晶体生长动力学
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作者 姚志远 阳禹辉 左彪 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第1期37-45,共9页
4,4',4''-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)是光电器件中常见的有机半导体材料,其结晶行为对器件的光电特性至关重要。然而,研究人员目前对TCTA多晶型结构及其晶体生长动力学过程尚缺乏深入的认识。本研究利用偏光显微镜(POM)及... 4,4',4''-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)是光电器件中常见的有机半导体材料,其结晶行为对器件的光电特性至关重要。然而,研究人员目前对TCTA多晶型结构及其晶体生长动力学过程尚缺乏深入的认识。本研究利用偏光显微镜(POM)及原子力显微镜(AFM),系统研究了TCTA薄膜中多晶型结构的形成条件及晶体生长动力学。结果表明,TCTA薄膜中存在两种熔点差异显著的晶型结构,但当薄膜厚度小于80 nm时,仅观察到熔点较低的晶型I。晶体生长动力学分析表明,低熔点晶型的晶体生长速率更快,活化能更低。本工作深化了对TCTA薄膜结晶行为的理解,为调控其微观结构及其均匀性,进而提升器件性能提供了重要依据。 展开更多
关键词 TCTA 薄膜 多晶型 晶体生长动力学 膜厚 活化能
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极端使役环境探测用Yb∶Lu_(2)O_(3)超快闪烁晶体生长及性能研究
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作者 丁晓圆 王一峰 +2 位作者 马士伟 于畅 尹延如 《发光学报》 北大核心 2026年第1期96-103,共8页
Yb^(3+)掺杂Lu_(2)O_(3)晶体凭借耐高温、高密度及亚纳秒级衰减特性等优势,成为极端使役环境下超快闪烁探测器的理想材料。本文报道了利用温度梯度法制备的超快闪烁晶体Yb∶Lu_(2)O_(3)的相关性能研究。热重-差示扫描量热、热机械分析... Yb^(3+)掺杂Lu_(2)O_(3)晶体凭借耐高温、高密度及亚纳秒级衰减特性等优势,成为极端使役环境下超快闪烁探测器的理想材料。本文报道了利用温度梯度法制备的超快闪烁晶体Yb∶Lu_(2)O_(3)的相关性能研究。热重-差示扫描量热、热机械分析和抗压强度测试表明氧化镥具备良好的热稳定性和抗压性。利用^(137)Cs产生的γ射线源激发观察到衰减时间为1.5 ns,绝对光产额为56 photons/MeV。首次测试了Yb∶Lu_(2)O_(3)超快闪烁晶体的绝对光产额。这标志着Yb∶Lu_(2)O_(3)晶体在高能物理实验领域展现出显著的候选材料潜力,其高效辐射响应和优异的高温、高压服役性为下一代闪烁体器件的性能优化提供了新思路。 展开更多
关键词 Yb∶Lu_(2)O_(3) 晶体生长 超快闪烁 极端使役环境
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水热合成锌锰基脱硫剂中晶体生长机制 被引量:1
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作者 武帅山 孙阳杰 +3 位作者 牛芳芳 王建成 米杰 冯宇 《洁净煤技术》 北大核心 2025年第2期124-133,共10页
中高温煤气脱硫是实现煤炭清洁高效利用的关键技术之一。由金属氧化物脱硫反应动力学中硫化物生长扩散机理可知,保持脱硫剂活性组分高分散和小尺寸有利于减小脱硫反应扩散传质阻力,提高活性相利用率。采用不同种类锌盐和六亚甲基四胺(HM... 中高温煤气脱硫是实现煤炭清洁高效利用的关键技术之一。由金属氧化物脱硫反应动力学中硫化物生长扩散机理可知,保持脱硫剂活性组分高分散和小尺寸有利于减小脱硫反应扩散传质阻力,提高活性相利用率。采用不同种类锌盐和六亚甲基四胺(HMTA)在负载有MnO_(2)种子层的纳米纤维载体上水热合成了一系列锌锰复合氧化物脱硫剂。通过探讨反离子与锌锰氧化物晶粒尺寸的内在关系,阐明了活性相晶体成核及生长机制。研究表明:水热溶液中反离子对Zn^(2+)与OH^(-)络合缩合反应有显著的抑制作用,反离子分别与NO_(3)^(-)和SO_(4)^(2-)相比,脱硫剂中Mn3O4晶相平均晶粒尺寸减小39.2%,活性相颗粒粒径减小24.7%。同时,脱硫测试表明,脱硫剂ZN@MCNFs的总体活性组分利用率比ZS@MCNFs提高7%。研究所阐明的锌锰基脱硫剂晶体生长机制,为开发性能优异的金属氧化物脱硫剂提供了理论支撑。 展开更多
关键词 煤气脱硫 水热合成 晶体生长 反离子 硫化氢
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2~3英寸掺镁近化学计量比钽酸锂晶体生长
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作者 刘首廷 温旭杰 +7 位作者 韩文斌 李陈哲 宋伟 崔建钢 宋松 李勇 孙德辉 刘宏 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1396-1402,共7页
掺镁近化学计量比钽酸锂(MgO∶SLT)晶体具有优异的非线性光学特性与高抗光损伤阈值,其紫外透光波段可达270 nm左右,在紫外日盲探测和高功率激光变频领域具有重要应用潜力。然而采用富锂组分原料生长该晶体过程中易发生锂挥发及组分偏析... 掺镁近化学计量比钽酸锂(MgO∶SLT)晶体具有优异的非线性光学特性与高抗光损伤阈值,其紫外透光波段可达270 nm左右,在紫外日盲探测和高功率激光变频领域具有重要应用潜力。然而采用富锂组分原料生长该晶体过程中易发生锂挥发及组分偏析问题,导致晶体生长难度较大。本文通过改进提拉法生长装置,采用高压氮气环境和流动气体方案从富锂组分熔体中成功获得直径2~3英寸(1英寸=2.54 cm)SLT和MgO∶SLT单晶。测试结果表明,SLT晶体的锂钽组分比例约为49∶51,比传统同成分钽酸锂晶体中锂组分含量高。采用同样富锂组分熔体所生长的MgO∶SLT晶体,镁浓度Mg/Ta摩尔比约为1.47%,镁元素的有效分凝系数达1.69。MgO∶SLT晶体在270~800 nm保持65%以上的光学透过率,矫顽场降低至2.8 kV/mm。同时,MgO∶SLT晶体沿Z轴方向的室温热导率达到7.34 W/(m·K),较传统掺镁同成分钽酸锂晶体提升了约61.7%。 展开更多
关键词 掺镁钽酸锂晶体 近化学计量比 晶体生长 紫外日盲区 非线性光学
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DNP/DAF/H 2O共晶在不同条件下的晶体生长与形貌模拟
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作者 周璇 曾秀琳 +1 位作者 宋亮 居学海 《兵器装备工程学报》 北大核心 2025年第9期267-273,共7页
3,4-二硝基吡唑(DNP)是一种性能优良的熔铸炸药载体,但由于强酸性和高感度的特点限制了其在含能材料领域的广泛应用。而与3,4-二氨基呋咱(DAF)形成共晶后其酸度和感度都显著降低,且具有低熔点的性能。采用MAE模型和分子动力学方法对DNP/... 3,4-二硝基吡唑(DNP)是一种性能优良的熔铸炸药载体,但由于强酸性和高感度的特点限制了其在含能材料领域的广泛应用。而与3,4-二氨基呋咱(DAF)形成共晶后其酸度和感度都显著降低,且具有低熔点的性能。采用MAE模型和分子动力学方法对DNP/DAF/H 2O共晶在不同条件下的晶体生长进行计算和模拟,探讨生长条件对晶体形貌的影响。计算DNP/DAF/H 2O在真空条件下的附着能,求得该共晶有(002)、(011)和(101)3个重要生长晶面。探究温度对晶体形貌的影响,其中在298 K条件下的晶体形貌与实验结果相符;且随着温度的升高,晶体的长径比逐渐减小;当温度升高至358 K时,长径比降至2.233,有利于提高其力学性能并降低感度。最后运用分子动力学模拟研究了DNP/DAF/H 2O在摩尔比为1∶1的乙腈/水、甲醇/水、乙醇/水、丙酮/水、乙酸乙酯/水5种混合溶剂中的晶体形貌。发现相比于单一的水溶剂,在甲醇/水溶剂中,晶体的长径比为2.150,更易生长出接近球形化的晶体,为该三元共晶的实验优化提供新思路。 展开更多
关键词 含能共晶 DNP/DAF/H 2O 晶体生长 球形化 分子动力学模拟
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原位诊断铌酸锂晶体生长界面的翻转现象 被引量:1
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作者 蒋先龙 郑玮涛 朱允中 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期533-542,共10页
在提拉法晶体生长过程中,界面翻转是一种频发且隐蔽的破坏性现象,会导致界面失稳和缺陷富集,损害晶体品质。现有的探测技术难以实时获取生长界面状态,界面翻转现象的观测和解析更无从入手。如何在极端高温且敏感的晶体生长环境中捕捉界... 在提拉法晶体生长过程中,界面翻转是一种频发且隐蔽的破坏性现象,会导致界面失稳和缺陷富集,损害晶体品质。现有的探测技术难以实时获取生长界面状态,界面翻转现象的观测和解析更无从入手。如何在极端高温且敏感的晶体生长环境中捕捉界面翻转过程,是解读生长界面状态、掌握工艺优化策略、提高晶体品质的关键。本文通过界面相本征电动势(GEMF)的时间序列分析,在提拉法晶体炉中成功原位观测到铌酸锂晶体生长的界面翻转过程;并进一步揭示GEMF轨迹的偏移机制,准确解析翻转导致的热质输运起伏。本文提出的GEMF实验方法适用于普遍使用的熔体法晶体生产设备,不仅为规避界面翻转提供了实时判定依据,还归纳了生长界面的稳定控制准则,为生长界面的闭环调控技术提供实时反馈。 展开更多
关键词 铌酸锂 晶体生长 界面相本征电动势 原位诊断 界面翻转
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富加镓业“一键长晶”技术通过专家评估,全自动晶体生长装备助力氧化镓产业腾飞
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作者 齐红基 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期360-360,共1页
近期,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)导模法“一键长晶”技术通过专家组现场评估,全自动晶体生长装备为未来氧化镓材料产业化打下坚实基础。氧化镓单晶材料因为存在高温挥发分解难题,单晶生长难度较大,限制了氧化镓领域... 近期,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)导模法“一键长晶”技术通过专家组现场评估,全自动晶体生长装备为未来氧化镓材料产业化打下坚实基础。氧化镓单晶材料因为存在高温挥发分解难题,单晶生长难度较大,限制了氧化镓领域产业化进程。富加镓业始终坚持产业化方向,坚持工艺与装备“双轮驱动”发展战略及晶体生长“量化控制”思想,以高水平装备助力氧化镓工艺快速突破,加速氧化镓单晶及外延材料产业化。 展开更多
关键词 产业化方向 晶体生长 氧化镓 现场评估 双轮驱动 量化控制 单晶材料 单晶生长
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晶体生长溶液、熔体结构与生长基元 被引量:14
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作者 仲维卓 郑燕青 +1 位作者 施尔畏 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期425-431,共7页
根据喇曼光谱、红外光谱测试了晶体生长的水溶液、溶剂和熔体的结构 ,并且在水热条件下进行了外加直流电场的实验 ,证实了晶体生长基元为负离子配位多面体 ,在不同的温度和溶液浓度条件下 ,负离子配位多面体相互联结成不同结构形式和不... 根据喇曼光谱、红外光谱测试了晶体生长的水溶液、溶剂和熔体的结构 ,并且在水热条件下进行了外加直流电场的实验 ,证实了晶体生长基元为负离子配位多面体 ,在不同的温度和溶液浓度条件下 ,负离子配位多面体相互联结成不同结构形式和不同维度的生长基元 (聚集体 ) ,不同维度的生长基元往晶体各个面族上的叠合速率是各不相同的 ,表现在同一种晶体在不同的生长条件下 ,其结晶形态可以各不相同 ,由此进一步阐述了负离子配位多面体生长基元理论模型的合理性。 展开更多
关键词 晶体生长 溶液 熔体结构 生长基元 喇曼光谱 负离子配位多面体 晶体生长习性
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水溶液中硫酸钾晶体生长动力学 被引量:8
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作者 陈勇 邵曼君 陈慧萍 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1766-1769,共4页
The single crystal growth rates of potassium sulfate in pure aqueous solution under different conditions were determined by photomicrography in a flow system for crystal growth. The effects of the main controlling fac... The single crystal growth rates of potassium sulfate in pure aqueous solution under different conditions were determined by photomicrography in a flow system for crystal growth. The effects of the main controlling factors, such as supersaturation, crystal size, solution velocity and crystal growth temperature, on crystal growth rates of potassium sulfate were discussed in detail by using non-linear regression from the experimental data, and several empirical relationships were given.The results showed that the growth rates of crystals increased with supersaturation, crystal size, solution velocity and temperature. Moreover supersaturation was the most important controlling factor influencing growth rates of crystals,crystal size and solution velocity were the secondary and temperature was the least. Furthermore, It was found that the growth rate of crystals along the crystallographic axis was higher than that along the in the same condition. The effect of every factor on crystal growth rates along the crystallographic axis was stronger than that along the . 展开更多
关键词 硫酸钾 晶体生长 晶体生长速率
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NaBi(WO_4)_2晶体生长研究 被引量:3
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作者 郑燕宁 陈刚 +2 位作者 任绍霞 徐玉恒 李铭华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期294-294,共1页
NaBi(WO4)2晶体生长研究郑燕宁陈刚任绍霞徐玉恒李铭华(北京玻璃研究院,北京100062)(哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨150006)StudyonGrowthforNaBi(WO4)2Crystal... NaBi(WO4)2晶体生长研究郑燕宁陈刚任绍霞徐玉恒李铭华(北京玻璃研究院,北京100062)(哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨150006)StudyonGrowthforNaBi(WO4)2CrystalZhengYanningChemG... 展开更多
关键词 钨酸钠铋晶体 引上法晶体生长 晶体生长
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固相晶体生长技术的发展——从籽晶诱导到无籽晶生长 被引量:4
11
作者 江民红 倪双阳 +4 位作者 姚小玉 李文迪 李德东 许亚萍 饶光辉 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第6期965-978,共14页
文章综合概述了固相法晶体生长技术的发展过程与研究进展。首先,回顾了在陶瓷烧结与冶金工艺中经常出现的晶粒异常长大现象,以及由此发展起来的固相法晶体生长技术。对固相法晶体生长工艺和应用领域等进行了简要介绍,对固相法晶体生长... 文章综合概述了固相法晶体生长技术的发展过程与研究进展。首先,回顾了在陶瓷烧结与冶金工艺中经常出现的晶粒异常长大现象,以及由此发展起来的固相法晶体生长技术。对固相法晶体生长工艺和应用领域等进行了简要介绍,对固相法晶体生长技术的典型应用案例和发展历程进行了叙述。然后,着重介绍了一种新的固相晶体生长技术——无籽晶固相晶体生长技术。对无籽晶固相晶体生长技术在无铅铁电压电晶体—铌酸钾钠基晶体中的应用进行详细介绍,并将该方法与常规的高温熔体法和籽晶诱导固相法晶体生长技术的特点进行了比较。最后,在介绍当前关于固相法晶体生长机理讨论的基础上,针对无籽晶固相晶体生长技术,提出了一种新的综合机制模型,力图解释无籽晶固相晶体生长的机理。对无籽晶固相晶体生长技术当前存在的问题以及未来的发展,分别进行了简要的说明与展望。 展开更多
关键词 晶粒异常长大 固相晶体生长 无籽晶固相晶体生长 铌酸钾钠无铅压电晶体 生长机理
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一种提高熔盐法晶体生长速率的新工艺 被引量:1
12
作者 唐鼎元 王元康 姚子健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期281-281,共1页
一种提高熔盐法晶体生长速率的新工艺唐鼎元王元康姚子健(中国科学院福建物质结构研究所,福州350002)ANewTechniqueforImprovingtheRateofCrystalGrowthfromFluxTa... 一种提高熔盐法晶体生长速率的新工艺唐鼎元王元康姚子健(中国科学院福建物质结构研究所,福州350002)ANewTechniqueforImprovingtheRateofCrystalGrowthfromFluxTangDingyuanWangYua... 展开更多
关键词 熔盐法 晶体生长速率 晶体生长
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晶体生长学科的新进展——第九届国际晶体生长会议介绍 被引量:1
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作者 陈万春 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1989年第4期344-348,共5页
第九届国际晶体生长会议(ICCC-9)于1989年8月20日到25日在日本仙台市召开。来自近30个国家和地区的八百多名代表参加了会议。选入论文摘要文集的有847篇论文。会议期间除学术交流外,还有科学成果展览和商业性晶体产品展览。学术交流分... 第九届国际晶体生长会议(ICCC-9)于1989年8月20日到25日在日本仙台市召开。来自近30个国家和地区的八百多名代表参加了会议。选入论文摘要文集的有847篇论文。会议期间除学术交流外,还有科学成果展览和商业性晶体产品展览。学术交流分五个报告厅进行。代表们就15个一般课题,11个专门课题以及3个特别专题开展了讨论。 展开更多
关键词 晶体生长科学 国际会议 晶体生长
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改进晶体生长温控设备的几条途径
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作者 郑连荣 刘铁林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期412-412,共1页
温度控制设备是保证晶体生长顺利进行的重要一环。老式仪表存在控制精度差、长时间频繁使用故障率高,严重影响晶体生长的顺利进行。近年来,计算机技术发展迅速,国外很多厂家竞相推出以单片机为核心的新型过程控制仪,无论可靠性、精... 温度控制设备是保证晶体生长顺利进行的重要一环。老式仪表存在控制精度差、长时间频繁使用故障率高,严重影响晶体生长的顺利进行。近年来,计算机技术发展迅速,国外很多厂家竞相推出以单片机为核心的新型过程控制仪,无论可靠性、精度、功能以及灵活的组态和适用范围等各方面,都是老的模拟过程控制仪所不能比的,而且随着芯片价格的下降,其性能价格比也不断提高,使其成为晶体生长设备改造的首选仪表。在改造设备的过程中,我们本着尽可能利用老设备以节约资金的原则,对不同的设备采用了不同的改进方法,取得了良好的效果。英国欧陆公司生产的818型单回路调节器是近年来在我国应用较广的一种新型过程控制装置,现以此为例,介绍几种温控设备的改造方法。1.XXL550型单晶炉的改造该设备是华北光电技术研究所制造的一种真空下降炉。其控制部分采用DWT702和其自制的程序控制装置,只能执行单一程序且故障率较高,我们采用818P4型单回路调节器替代DWT702和程序控制装置组成的温控系统,实现了控制设备的升级换代。2.上海自动化仪表六厂生产的DWT702柜式程序控制装置。我们利用了其原来的可控硅触发部分,将DWT702的PID板引至自动/手动切换的输出断开,? 展开更多
关键词 晶体生长 温控设备 晶体生长装置
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溶液中晶体生长动力学的MC计算机模拟研究 被引量:3
15
作者 杨卫兵 孙立功 卢贵武 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期429-433,共5页
用蒙特卡罗计算机模拟方法研究了溶液中晶体表面的生长台阶和生长动力学 ,着重讨论了表面尺寸、表面粗糙度以及溶液过饱和度对晶体生长速率的影响以及相应的生长机制。
关键词 晶体生长动力学 蒙特卡罗 计算机模拟 晶体生长机制
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钨酸铅晶体生长及其组份挥发 被引量:29
16
作者 廖晶莹 沈炳孚 +1 位作者 邵培发 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期286-290,共5页
本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅(PWO)晶体;研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发,得到的结果是PbO的挥发速率高于WO3,并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究.
关键词 钨酸铅晶体 X线 发光性 晶体生长
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Fe^(3+)对KDP晶体生长影响的研究 被引量:19
17
作者 王波 王圣来 +5 位作者 房昌水 孙洵 顾庆天 李义平 王坤鹏 李云南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页
金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,F... 金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,Fe3+的掺入既可以增加生长溶液的稳定性,又可以有效抑制晶体柱面的扩展,而且晶体基本不楔化,同时,对晶体光学性能的影响也不大。 展开更多
关键词 KDP晶体 晶体生长 铁离子 过饱和度 生长习性
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KDP/DKDP晶体生长的研究进展 被引量:18
18
作者 王波 房昌水 +6 位作者 王圣来 孙洵 顾庆天 许心光 李义平 刘冰 牟晓明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期247-252,共6页
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKD... 采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。 展开更多
关键词 KDP/DKDP晶体 惯性约束核聚变 溶液晶体生长 传统降温法 “点籽晶”快速生长
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大尺寸优质钒酸钇(YVO_4)双折射晶体生长 被引量:13
19
作者 李敢生 吴喜泉 +4 位作者 位民 诸月梅 俞振森 滕硕 王建国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期27-30,共4页
采用硝酸脱水合成的原料,异型大口径铱坩埚,近平界面生长技术以及真空增氧退火工艺,成功地生长出直径为30~35mm,长度为50mm完整透明,无散射中心,无核芯的YVO4单晶。
关键词 钒酸钇 双折射晶体 晶体生长 脱水 激光材料
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提拉法晶体生长数值模拟研究进展 被引量:11
20
作者 邵淑芳 张庆礼 +4 位作者 苏静 孙敦陆 王召兵 张霞 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期687-692,共6页
数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考。本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、... 数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考。本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数值模拟进行了介绍。 展开更多
关键词 提拉法 数值模拟 晶体生长 对流 界面形状
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