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基于显微红外热点定位系统的发光二极管失效分析 被引量:3
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作者 张槐洋 文尚胜 +6 位作者 方方 唐浩洲 林凯旋 邵沅玲 魏志权 康丽娟 廖少雄 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1185-1191,共7页
失效定位技术是发光二极管失效性分析中的重要组成部分,本文在主流的3种失效定位技术:光子辐射显微技术、光诱导电阻变化、红外热成像显微技术的基础上,提出了一种显微红外热点定位测试系统。该系统通过双线性插值算法使源图像放大至原... 失效定位技术是发光二极管失效性分析中的重要组成部分,本文在主流的3种失效定位技术:光子辐射显微技术、光诱导电阻变化、红外热成像显微技术的基础上,提出了一种显微红外热点定位测试系统。该系统通过双线性插值算法使源图像放大至原来的4倍,在使用20μm微距镜头的条件下,能达到与5μm微距镜头接近的效果,降低了LED失效检验成本。利用可见光图像和红外热像图的叠加,提高电压对LED芯片失效点进行锁定,能在大范围内迅速定位LED芯片缺陷所在。在此基础上,结合FIB技术和SEM设备分析LED芯片微观结构,可以进一步分析LED芯片的失效原因,最终得到LED芯片的失效机理。实验结果表明,在初步的缺陷定位中,显微红外热点定位系统可快速地在无损条件下大范围区域内提供LED热数据分布,定位关键失效点,有效地提高了工作效率,降低了失效检测成本。 展开更多
关键词 显微红外热点定位 发光二极管 失效分析 失效定位 双线性插值算法
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