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硅像素探测器读出芯片的设计
被引量：
3
1
作者
樊磊
魏微
+2 位作者
王铮
刘湘
刘刚
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1296-1300,共5页
针对应用在高能物理实验的硅像素探测器,设计了一种基于时间过阈技术的像素阵列读出芯片。芯片采用商用的130nm CMOS工艺进行流片,共有30×10个像素单元,像素单元的面积为50μm×250μm。测试结果表明,像素单元电路的等效噪声...
针对应用在高能物理实验的硅像素探测器,设计了一种基于时间过阈技术的像素阵列读出芯片。芯片采用商用的130nm CMOS工艺进行流片,共有30×10个像素单元,像素单元的面积为50μm×250μm。测试结果表明,像素单元电路的等效噪声电荷低于100e^-,积分非线性优于4.2%,基本实现了设计的功能。
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关键词
硅像素探测器
读出芯片
时间过阈技术
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职称材料
题名
硅像素探测器读出芯片的设计
被引量：
3
1
作者
樊磊
魏微
王铮
刘湘
刘刚
机构
核探测与核电子学国家重点实验室
中国科学院高能物理研究所
中国科学院大学
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1296-1300,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(1123501346)
文摘
针对应用在高能物理实验的硅像素探测器,设计了一种基于时间过阈技术的像素阵列读出芯片。芯片采用商用的130nm CMOS工艺进行流片,共有30×10个像素单元,像素单元的面积为50μm×250μm。测试结果表明,像素单元电路的等效噪声电荷低于100e^-,积分非线性优于4.2%,基本实现了设计的功能。
关键词
硅像素探测器
读出芯片
时间过阈技术
Keywords
silicon pixel detector
readout chip
time over threshold technology
分类号
TL82 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅像素探测器读出芯片的设计
樊磊
魏微
王铮
刘湘
刘刚
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
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