-
题名场效应管时间相关介质击穿的失效机制研究
被引量：3
- 1
-
-
作者
刘峰松
陆金
陶有飞
-
机构
上海先进半导体制造股份有限公司
-
出处
《集成电路应用》
2017年第11期30-34,共5页
-
基金
上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300)
-
文摘
TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)时间相关介质击穿,表征与时间相关的介质电击穿。在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层可靠性的关键参数。PEM(process evaluation module)可靠性测试片上发现,多晶叉齿结构更易造成TDDB失效。交叉实验研究表明氮化硅上顶层金属在热过程下的形变是TDDB在PEM结构上失效的主要原因。可以通过降低退火温度和氮化硅压应力的补偿来改善,可有效解决TDDB失效。同时发现介质层ILD的膜质组成也会对TDDB失效有一定影响。
-
关键词
集成电路制造
时间相关介质击穿
栅氧
场效应管
应力
退火
-
Keywords
integrated circuit manufacturing, TDDB, gate oxide, MOSFET, stress, alloy
-
分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名多晶硅CVD HfO2栅层叠的时间相关介质击穿
- 2
-
-
-
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第6期69-69,共1页
-
-
关键词
多晶硅栅叠层
CVD
HFO2
时间相关介质击穿
可靠性
栅氧化
-
分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名铜离子迁移现象及其对Cu金属化TDDB寿命的影响
- 3
-
-
-
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2004年第3期76-76,共1页
-
-
关键词
铜离子
迁移
Cu金属化
TDDB寿命
时间相关介质击穿
-
分类号
TM241
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
