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基于超薄ZnS纳米片日盲紫外光探测器的研制: 1; 作者白欣齐瑞岳李冬《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第12期24-28,共5页; 日盲紫外探测器性能的高低,取决于半导体材料质量的优劣。因此,开发高质量的具有日盲紫外光吸收能力的半导体材料,是构建高性能日盲紫外探测器的关键。利用溶剂热法制备出厚度约2.2 nm,宽度约400 nm~4μm的超薄ZnS纳米片。该纳米片在279... 展开更多; 关键词超薄ZnS纳米片溶剂热法光电化学型日盲紫外光探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究: 2; 作者杜桐付俊杰 +6 位作者王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期319-328,共10页; 本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基... 展开更多; 关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属日盲紫外光电探测器热离子场发射普尔-弗兰克发射缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器性能研究: 3; 作者张献岳志昂 +6 位作者赵恩钦魏帅康叶文轩黄敏怡辛美波赵洋王辉《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期462-469,共8页; 日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比... 展开更多; 关键词 Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜氩氧流量比磁控溅射异质结日盲紫外光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究被引量：1: 4; 作者杨瑞杨斯铄钱凌轩《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期96-104,共9页; 非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga_(2)O_(3)薄膜内的氧空位有关,氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡,本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压,调控... 展开更多; 关键词非晶氧化镓日盲紫外光电探测器响应度射频磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器被引量：1: 5; 作者杨莲红张保花 +1 位作者郭福强陈敦军《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1240-1243,共4页; 本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性... 展开更多; 关键词肖特基 β-Ga2O3 日盲紫外光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备被引量：3: 6; 作者汪正鹏张崇德 +8 位作者孙新雨胡天澄崔梅张贻俊巩贺贺任芳芳顾书林张荣叶建东《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1007-1015,共9页; 本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射... 展开更多; 关键词超宽禁带半导体氧化镓薄膜金属有机物化学气相沉积日盲紫外光电探测器切割角外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器研究进展: 7; 作者李晓旭石蔡语 +4 位作者沈磊曾光李晓茜陈宇畅卢红亮《人工晶体学报》 2025年第8期1352-1368,共17页; β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O... 展开更多; 关键词 β-Ga_(2)O_(3) 纳米带场效应晶体管日盲紫外光电探测器光电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于超薄ZnS纳米片日盲紫外光探测器的研制: 1; 作者白欣齐瑞岳李冬; 机构邯郸学院机电学院邯郸学院邯郸市智能感知与应用重点实验室邯郸学院化学化工与材料学院邯郸学院河北省纳米无机光电新材料应用技术研发中心; 出处《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第12期24-28,共5页; 基金国家自然科学基金项目(22171062) 邯郸市科技计划项目(21422111162) 邯郸学院校级项目(J202210,2022xjjg006,XZ2019106)。; 文摘日盲紫外探测器性能的高低,取决于半导体材料质量的优劣。因此,开发高质量的具有日盲紫外光吸收能力的半导体材料,是构建高性能日盲紫外探测器的关键。利用溶剂热法制备出厚度约2.2 nm,宽度约400 nm~4μm的超薄ZnS纳米片。该纳米片在279 nm处具强烈吸收峰,带隙值约4.44 eV,表明其具有日盲紫外光吸收能力。基于该纳米片良好的日盲吸收性质,将其作为光敏活性层构建了自供能光电化学型日盲紫外光探测器。该探测器展示了较好的日盲紫外光选择性[日盲光/紫外光(R279 nm/R290 nm)抑制比约为43]、优良的响应性能[光电流/暗电流开关比约为3500、响应性为1.4 mA/W、上升/衰减时间(约0.3/0.4 s)、探测率为1.7×10^(12) Jones]和良好的稳定性,表明该无机ZnS材料在探测、火灾监测和光通信等领域中具有很大的应用潜力。; 关键词超薄ZnS纳米片溶剂热法光电化学型日盲紫外光探测器; Keywords ultrathin ZnS nanosheets solvothermal strategy photoelectrochemical type solarblind UV photodetector; 分类号 O6-33 [理学—化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究: 2; 作者杜桐付俊杰王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院江苏新广联光电股份有限公司; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期319-328,共10页; 基金国家自然科学基金(62104024,11875097,12075045,11975257,11961141014,62074146) 大连市科技创新基金(2023JJ12GX013,2023JJ12GX016)。; 文摘本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器在高温环境下的潜在应用,对该器件在高温下的电流-电压(I-V)和光响应(I-T)特性进行了测试,分析器件在高温下的载流子输运机制。结果表明:在300~375 K时,器件的暗电流主要由低压下的热离子场发射(TFE)和高压下的普尔-弗兰克发射(PFE)主导,由PFE模型拟合的I-V曲线可知,PFE由导带下的0.200 eV附近的缺陷引起;根据光响应特性拟合结果,得到上升时间拟合活化能为0.280 eV,下降时间拟合活化能为0.036 eV。由分析结果可知,光电流的输运过程如下:光生电子首先被导带下0.200~0.280 eV附近的缺陷能级捕获并通过PFE发射进入到导带产生光电流。光生载流子的复合过程为:光电子更倾向于被导带下的0.036 eV附近的缺陷能级捕获,进而与价带中的光生空穴复合。; 关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属日盲紫外光电探测器热离子场发射普尔-弗兰克发射缺陷; Keywords β-Ga_(2)O_(3) metal-semiconductor-metal solar-blind ultraviolet photodetector thermionic-field emission Poole-Frenkel emission defect; 分类号 O799 [理学—晶体学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器性能研究: 3; 作者张献岳志昂赵恩钦魏帅康叶文轩黄敏怡辛美波赵洋王辉; 机构河南科技大学物理工程学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期462-469,共8页; 基金国家自然科学基金(61674052,52002120) 河南省自然科学基金(242300420280) 河南省科技研发计划联合基金(242103810049)。; 文摘日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比为30∶20时,薄膜的结晶质量最好。Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜沿(402)晶面择优生长,表面平整光滑,无微孔洞,400~800 nm波段的平均透过率为90%。基于优化的Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备条件,本文制备了p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)∶Si自供电SBPDs,其在0 V偏压254 nm光照下的上升时间和衰减时间分别为0.450和0.509 s,光暗电流比(PDCR)、响应度(R)和比探测率(D*)分别为23、0.24 mA/W和1.67×10^(8)Jones。研究了器件在0~-6 V偏压下的周期性时间响应特性,在0 V偏压下,器件在254 nm辐照瞬间出现尖峰,当施加反向偏压时,尖峰消失。最后分析了p-GaN/Ga_(2)O_(3)∶Si异质结在接触前、后及反向偏压下的能带图。; 关键词 Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜氩氧流量比磁控溅射异质结日盲紫外光电探测器; Keywords Ga_(2)O_(3)∶Si thin film argon-oxyge flow ratio magnetron sputtering heterojunction solar-blind ultraviolet photodetector; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究被引量：1: 4; 作者杨瑞杨斯铄钱凌轩; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室电子科技大学重庆微电子产业技术研究院; 出处《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期96-104,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(62174025)。; 文摘非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga_(2)O_(3)薄膜内的氧空位有关,氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡,本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压,调控薄膜内的氧空位浓度,并在此基础上成功制备金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器。研究结果显示,通过掺入氧气能减少薄膜内的氧空位,改善薄膜的致密度。适当条件的氧分压可以使探测器在维持良好响应度的前提下,同时拥有较快的响应速度,在两种互相制约的特性上达到了平衡。特别地,在3%氧分压条件下制备得到的日盲探测器在254 nm、80μW/cm^(2)的紫外光照射下具有2.6 A/W的响应度以及2.2 s/0.96 s的快速响应速度。; 关键词非晶氧化镓日盲紫外光电探测器响应度射频磁控溅射; Keywords a-Ga_(2)O_(3) solar-blind photodetector responsivity radio frequency magnetron sputtering; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器被引量：1: 5; 作者杨莲红张保花郭福强陈敦军; 机构昌吉学院物理系南京大学电子科学与工程学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1240-1243,共4页; 基金新疆维吾尔自治区科技厅自然科学基金项目(No.2016D01C002)。; 文摘本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗电流保持在0.1nA量级,正向导通电压为1.5V;光电流谱显示器件在240nm处存在显著的峰值响应,并在260nm左右呈现陡峭的截止边,日盲紫外的带内带外抑制比达到1000.同时,也研究了不同掺杂对Ga2O3晶体质量的影响.; 关键词肖特基 β-Ga2O3 日盲紫外光电探测器; Keywords Schottky β-Ga2O3 solar-blind UV photodetector; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备被引量：3: 6; 作者汪正鹏张崇德孙新雨胡天澄崔梅张贻俊巩贺贺任芳芳顾书林张荣叶建东; 机构南京大学电子科学与工程学院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1007-1015,共9页; 基金国家重点研发计划(2022YFB3605403) 国家自然科学基金(62234007,62293521,U21A20503,U21A2071) 广东省重点研发计划(2020B010174002)。; 文摘本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。; 关键词超宽禁带半导体氧化镓薄膜金属有机物化学气相沉积日盲紫外光电探测器切割角外延; Keywords ultra-wide bandgap semiconductor β-Ga_(2)O_(3)film metal organic chemical vapor deposition solar-blind ultraviolet photodetector off-cut angle epitaxy; 分类号 O78 [理学—晶体学] O484 [理学—固体物理] O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器研究进展: 7; 作者李晓旭石蔡语沈磊曾光李晓茜陈宇畅卢红亮; 机构复旦大学微电子学院; 出处《人工晶体学报》 2025年第8期1352-1368,共17页; 基金国家自然科学基金(62027818,11974320) 上海市科技创新行动计划(23500790600)。; 文摘 β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O_(3)纳米带作为沟道来探究新型β-Ga_(2)O_(3)器件结构不仅具有很大的灵活性,也将极大地降低成本。近年来,虽然β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究已取得了很大进展,但器件的综合性能依然受限而不能满足商业化的需求,尤其是迁移率较低且响应度低。本文首先介绍了β-Ga_(2)O_(3)材料的基本性质;接着对β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究现状进行总结与分析;最后指出β-Ga_(2)O_(3)基器件面对的困难与挑战,例如界面优化问题、器件可靠性系统研究缺乏等。; 关键词 β-Ga_(2)O_(3) 纳米带场效应晶体管日盲紫外光电探测器光电性能; Keywords β-Ga_(2)O_(3) nanobelt field effect transistor solar-blind ultraviolet photodetector optoelectronic performance; 分类号 O734 [理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于超薄ZnS纳米片日盲紫外光探测器的研制	白欣齐瑞岳李冬	《实验室研究与探索》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究	杜桐付俊杰王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器性能研究	张献岳志昂赵恩钦魏帅康叶文轩黄敏怡辛美波赵洋王辉	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究	杨瑞杨斯铄钱凌轩	《光电工程》 CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器	杨莲红张保花郭福强陈敦军	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备	汪正鹏张崇德孙新雨胡天澄崔梅张贻俊巩贺贺任芳芳顾书林张荣叶建东	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器研究进展	李晓旭石蔡语沈磊曾光李晓茜陈宇畅卢红亮	《人工晶体学报》	2025		在线阅读下载PDF 职称材料