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日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
1
作者
包西昌
李超
+2 位作者
张文静
王玲
李向阳
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010年第5期835-838,共4页
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值...
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
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关键词
日盲型紫外探测器
ALGAN
响应率
电容特性
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职称材料
题名
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
1
作者
包西昌
李超
张文静
王玲
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010年第5期835-838,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(6070802860807037)
文摘
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
关键词
日盲型紫外探测器
ALGAN
响应率
电容特性
Keywords
Solar blind UV detector
AlGaN
Responsivity
Capacitance characteristics
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
包西昌
李超
张文静
王玲
李向阳
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010
0
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