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日本陶瓷企业在华专利策略的分析之碍子株式会社(NGK) 被引量：8: 1; 作者余峰郑乃章 +2 位作者卢希龙陈婧曹春娥《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期3-5,9,共4页; 对日本碍子株式会社申请日期在1997.1-2007.12、公开日期在1999.1-2009.12年份范围的中国专利信息进行了系统分析,探讨了日本碍子在华运用技术专利化、专利标准化以取得行业垄断地位的策略特点,对其主要IPC区域内的技术构成、发展趋势... 展开更多; 关键词日本碍子株式会社陶瓷专利分析专利策略; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长碳化硅单晶膜的硅基板: 2; 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期70-70,共1页; 关键词日本东芝陶瓷株式会社有机金属气相生长法碳化硅单晶膜硅基板半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

溅射靶: 3; 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期73-73,共1页; 关键词专利溅射靶株式会社日矿材料日本陶瓷靶接合工序热膨胀率; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	日本陶瓷企业在华专利策略的分析之碍子株式会社(NGK)	余峰郑乃章卢希龙陈婧曹春娥	《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心	2010	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	生长碳化硅单晶膜的硅基板		《现代化工》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	溅射靶		《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料