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量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解
被引量：
1
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作者
谢琼涛
海文华
崇桂书
《湖南师范大学自然科学学报》
EI
CAS
北大核心
2002年第3期38-43,共6页
根据有效质量近似理论 ,采用无限深势阱模型研究了位于GaAs Ga1 -xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质 ,讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响 ,给出了某些波函数的有限形式的精确解 .并考虑了系统与外...
根据有效质量近似理论 ,采用无限深势阱模型研究了位于GaAs Ga1 -xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质 ,讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响 ,给出了某些波函数的有限形式的精确解 .并考虑了系统与外加弱电场的相互作用 。
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关键词
精确解
微扰解
量子点
类氢离子杂质
能级
有效质量近似理论
无限深势阱模型
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职称材料
题名
量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解
被引量：
1
1
作者
谢琼涛
海文华
崇桂书
机构
湖南师范大学理学院物理系
出处
《湖南师范大学自然科学学报》
EI
CAS
北大核心
2002年第3期38-43,共6页
基金
国家自然科学基金资助的项目 (1 98740 1 9)
文摘
根据有效质量近似理论 ,采用无限深势阱模型研究了位于GaAs Ga1 -xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质 ,讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响 ,给出了某些波函数的有限形式的精确解 .并考虑了系统与外加弱电场的相互作用 。
关键词
精确解
微扰解
量子点
类氢离子杂质
能级
有效质量近似理论
无限深势阱模型
Keywords
Perturbation techniques
Semiconducting gallium compounds
Semiconductor quantum wells
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解
谢琼涛
海文华
崇桂书
《湖南师范大学自然科学学报》
EI
CAS
北大核心
2002
1
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职称材料
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参考文献
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