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直接淀积式Ge—Au薄膜应变计的工艺研究
被引量：
1
1
作者
李昕欣
陈跃
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1992年第3期28-30,共3页
直淀式Ge—Au薄膜应变计全部采用平面工艺,应变电阻和内引线全部薄膜化。通过对Ge、Au双源淀积应变电阻工艺的研究,使得灵敏系数K达到25以上,电阻温度系数α低于±2×10^(-4)/℃。同时消除了应变胶的蠕变效应,提高了传感器的精...
直淀式Ge—Au薄膜应变计全部采用平面工艺,应变电阻和内引线全部薄膜化。通过对Ge、Au双源淀积应变电阻工艺的研究,使得灵敏系数K达到25以上,电阻温度系数α低于±2×10^(-4)/℃。同时消除了应变胶的蠕变效应,提高了传感器的精度和可靠性。
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关键词
应变计
薄膜
工艺
无胶应用
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职称材料
题名
直接淀积式Ge—Au薄膜应变计的工艺研究
被引量：
1
1
作者
李昕欣
陈跃
机构
沈阳仪器仪表工艺研究所
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1992年第3期28-30,共3页
文摘
直淀式Ge—Au薄膜应变计全部采用平面工艺,应变电阻和内引线全部薄膜化。通过对Ge、Au双源淀积应变电阻工艺的研究,使得灵敏系数K达到25以上,电阻温度系数α低于±2×10^(-4)/℃。同时消除了应变胶的蠕变效应,提高了传感器的精度和可靠性。
关键词
应变计
薄膜
工艺
无胶应用
分类号
TH823.3 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直接淀积式Ge—Au薄膜应变计的工艺研究
李昕欣
陈跃
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1992
1
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