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无电镀沉积于硅衬底上铜纳米晶的场发射性能(英文)
被引量：
1
1
作者
姜卫粉
董永芬
+2 位作者
肖顺华
李亚勤
李新建
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1142-1147,共6页
采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的单晶硅衬底上沉积了铜纳米晶。利用X射线衍射数据,估算出所沉积铜纳米晶的平均粒径大约为40nm。对120s无电镀沉积样品的场发射测试表明,该样品的开启场强为～5.5 V/μm,在场强达到9.26 V/μm时的场...
采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的单晶硅衬底上沉积了铜纳米晶。利用X射线衍射数据,估算出所沉积铜纳米晶的平均粒径大约为40nm。对120s无电镀沉积样品的场发射测试表明,该样品的开启场强为～5.5 V/μm,在场强达到9.26 V/μm时的场发射电流密度可达到62.5μA/cm2。对相应的沉积过程和场发射机理进行了分析。结果表明,无电镀沉积技术有可能成为制备具有较好场发射性能的金属/硅冷阴极的一种可供选择的方法。
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关键词
场发射
无电镀沉积
铜纳米晶
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职称材料
题名
无电镀沉积于硅衬底上铜纳米晶的场发射性能(英文)
被引量：
1
1
作者
姜卫粉
董永芬
肖顺华
李亚勤
李新建
机构
郑州大学物理系材料物理教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1142-1147,共6页
基金
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No.10574112, 50602040)
文摘
采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的单晶硅衬底上沉积了铜纳米晶。利用X射线衍射数据,估算出所沉积铜纳米晶的平均粒径大约为40nm。对120s无电镀沉积样品的场发射测试表明,该样品的开启场强为～5.5 V/μm,在场强达到9.26 V/μm时的场发射电流密度可达到62.5μA/cm2。对相应的沉积过程和场发射机理进行了分析。结果表明,无电镀沉积技术有可能成为制备具有较好场发射性能的金属/硅冷阴极的一种可供选择的方法。
关键词
场发射
无电镀沉积
铜纳米晶
Keywords
field emission
electroless deposition
copper nanocrystallite
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无电镀沉积于硅衬底上铜纳米晶的场发射性能(英文)
姜卫粉
董永芬
肖顺华
李亚勤
李新建
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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