聚乙二醇类表面活性剂对硅表面无电沉积Ag膜光滑作用研究 被引量：3

1

作者 佟浩 乔志清 +2 位作者 景粉宁 李梦柯 王春明 《电化学》 CAS CSCD 2003年第1期81-86,共6页

　应用原子力显微镜技术及开路电位～时间谱技术,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇2000,6000,20000对硅(100)表面无电沉积银膜的光滑作用.实验表明硅(100)表面无电沉积银的光滑程度以及镀层的质量均随聚乙二醇聚合度的增加而变好.

关键词 表面活性剂 硅表面 无电沉积 Ag膜 光滑作用 开路电位-时间谱技术 原子力显微镜 银膜

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无电沉积高密度钯金属纳米线阵列 被引量：4

2

作者 顾金楼 施剑林 熊良明 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1986-1989,共4页

利用介孔氧化硅薄膜作为模板 ,通过无电沉积路线在介孔薄膜孔道内合成了高密度钯金属纳米线阵列 .利用介孔薄膜导向剂的疏水区作为载体 ,引进钯金属疏水化合物并经热解和还原 ,得到钯微粒 ,以此为催化中心引发无电沉积 ,避免了传统无电... 利用介孔氧化硅薄膜作为模板 ,通过无电沉积路线在介孔薄膜孔道内合成了高密度钯金属纳米线阵列 .利用介孔薄膜导向剂的疏水区作为载体 ,引进钯金属疏水化合物并经热解和还原 ,得到钯微粒 ,以此为催化中心引发无电沉积 ,避免了传统无电沉积复杂的工艺过程 .结果表明 ,纳米线尺寸均一 ,长径比大于60 ,完全填充了介孔薄膜的孔道 ,并可通过介孔模板孔径的选择对纳米线直径加以调控 . 展开更多

关键词 无电沉积 钯纳米线阵列 介孔薄膜 模板法

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在照相明胶层中金催化的铜无电沉积 被引量：2

3

作者 张宜恒 张广祥 +2 位作者 闫天堂 俞书勤 庄思永 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第11期975-980,共6页

利用X射线光电子能谱的原位氩离子束溅射和ESCA技术，研究了无电沉积前后照相明胶中硫元素化学形态的变化，对无电沉积所形成的导电膜进行了深度剖析，探讨了照相明胶层中金催化的铜无电沉积机理．结果表明：在酸性条件下（pH＝3．20）... 利用X射线光电子能谱的原位氩离子束溅射和ESCA技术，研究了无电沉积前后照相明胶中硫元素化学形态的变化，对无电沉积所形成的导电膜进行了深度剖析，探讨了照相明胶层中金催化的铜无电沉积机理．结果表明：在酸性条件下（pH＝3．20），明胶大分子的蛋氨酸亚砜对AU3+仍具有较大的还原能力，明胶大分子的蛋氨酸、蛋氨酸亚砜将Au3+最终还原为胶态金，而蛋氨酸和蛋氨酸亚砜均被氧化为蛋氨酸砜．在无电沉积初期，胶态金作为催化中心引发铜的无电沉积，之后的反应为Cu2+在新生态铜的自催化下的还原沉积．在无电沉积过程的碱性条件下（pH＝12．50），明胶中的部分蛋氨酸砜又被甲醛还原为蛋氨酸． 展开更多

关键词 照相明胶 铜 无电沉积 金催化 尼龙纤维芯电缆

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照相明胶层中金催化的无电沉积的正电子湮没研究

4

作者 张宜恒 宫竹芳 +6 位作者 张广祥 姜志全 徐绪国 阎天堂 俞书勤 庄思永 彭必先 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期766-770,共5页

采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了照相明胶中的自由体积空穴在无电沉积过程中的作用机理．研究 结果表明，活化饱和后，照相明胶的自由体积空穴的平均尺寸约减小０．０１１ｎｍ３，相当于一个 Ａｕ原子的体 积的大小，即照相明胶大... 采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了照相明胶中的自由体积空穴在无电沉积过程中的作用机理．研究 结果表明，活化饱和后，照相明胶的自由体积空穴的平均尺寸约减小０．０１１ｎｍ３，相当于一个 Ａｕ原子的体 积的大小，即照相明胶大分子中的每个自由体积空穴平均被填充了一个Ａｕ原子，该Ａｕ原子作为催化活性 核催化铜的沉积，使物理显影生成的影像为紧密铜粒子的堆积形貌，而不是丝状形貌．铜经无电沉积饱和 后，照相明胶的自由体积空穴的平均大小约减小了 ０．０２０ ｎｍ３，即照相明胶的自由体积空穴对铜物理显影过 程中铜的沉积没有阻碍作用，铜无电沉积近似为各向同性的球状堆积． 展开更多

关键词 无电沉积 正电子湮没技术 照相明胶 铜

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碳纳米管的无电沉积方法掺镍及电接触特性

5

作者 董帅 常春蕊 +2 位作者 梁志奇 张志明 安立宝 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期88-94,103,共8页

采用一种简便、低成本的无电沉积技术,制备了不同掺杂情况的掺镍碳纳米管,并探究了不同掺镍样品的电接触特性。首先,对原样碳纳米管进行混酸氧化、敏化和活化处理;然后,以六水合氯化镍为主盐,二甲胺硼烷为还原剂,配制无电沉积液,再将配... 采用一种简便、低成本的无电沉积技术,制备了不同掺杂情况的掺镍碳纳米管,并探究了不同掺镍样品的电接触特性。首先,对原样碳纳米管进行混酸氧化、敏化和活化处理;然后,以六水合氯化镍为主盐,二甲胺硼烷为还原剂,配制无电沉积液,再将配制好的碳纳米管分散液逐滴滴入无电沉积液中,经搅拌沉积获得掺镍碳纳米管样品。形貌表征结果表明,通过改变沉积条件可调控掺入碳纳米管管壁纳米粒子的粒径及掺杂量;X射线能谱分析表明,所掺入纳米粒子的主要成分为镍,进一步的X射线光电子能谱揭示了镍的组成价态;拉曼光谱表明,此种沉积方法对碳纳米管掺镍的掺杂类型为P型。电接触性能测试结果表明,不同粒径及掺杂量的掺镍碳纳米管与金电极间的电接触性能不同,但均可得到一定程度的改善。按掺镍样品中所掺入颗粒粒径小且量适中、粒径中等且量适中、粒径大且量多的顺序,其接触电阻平均降幅分别约为32.70%、71.63%及49.33%。 展开更多

关键词 碳纳米管 无电沉积 掺杂 镍纳米粒子 接触电阻

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图案化聚合物刷辅助金属无电沉积制备铜图案及应用

6

作者 魏中华 高浩 +2 位作者 付少戈 陈涛 赵海利 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期150-157,共8页

提出了聚合物刷辅助金属选择性沉积制备铜图案的方法。利用聚多巴胺(PDA)将光引发表面原子转移自由基聚合(ATRP)引发剂接枝到硅基体表面,以甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(METAC)为反应单体,通过数字微镜器件(DMD)调控光辐照选择性引发A... 提出了聚合物刷辅助金属选择性沉积制备铜图案的方法。利用聚多巴胺(PDA)将光引发表面原子转移自由基聚合(ATRP)引发剂接枝到硅基体表面,以甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(METAC)为反应单体,通过数字微镜器件(DMD)调控光辐照选择性引发ATRP反应制备了离子型PMETAC聚合物刷图案,采用X射线光电子能谱仪(XPS)、光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对所制备图案的化学组成、几何形状及表面形貌进行了表征分析,结果表明图案化PMETAC刷的成功制备。以PMETAC刷图案化表面为模板,通过PMETAC刷末端带正电的季铵盐基团与活性离子[PdCl4]2-进行离子交换将金属催化剂固定在聚合物刷分子链上以诱导铜沉积,光学显微镜和XPS的分析结果表明了铜在PMETAC聚合物刷区域的选择性沉积。对不同尺寸铜图案表面的电性能进行研究,设计了通过硅片表面铜图案连接导线以点亮发光二极管的实验,结果表明该方法制备的铜图案具有优异的导电性。相关研究工作为图案化聚合物刷辅助金属沉积技术在复杂电路制备领域的应用提供了借鉴。 展开更多

关键词 聚多巴胺 图案化PMETAC刷 无电沉积 铜图案

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无电金属沉积法硅纳米线阵列的制备研究 被引量：6

7

作者 吴军 杨文彬 +2 位作者 何方方 周元林 董发勤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期369-372,共4页

采用无电金属沉积法在硅衬底上制备出了大面积规整的硅纳米线阵列,并对其形貌控制的影响因素和形成机理进行了研究。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对硅纳米线阵列和相应银枝晶的形貌和结构进行了表征。结果表明,硅纳米线阵... 采用无电金属沉积法在硅衬底上制备出了大面积规整的硅纳米线阵列,并对其形貌控制的影响因素和形成机理进行了研究。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对硅纳米线阵列和相应银枝晶的形貌和结构进行了表征。结果表明,硅纳米线阵列的形貌受水热体系中溶液配比、温度和时间的影响,在温度为50℃、HF和AgNO3浓度分别为4.6和0.02mol/L的条件下,容易得到大面积排列规整的硅纳米线阵列,并且硅纳米线的长度为30～50μm,直径为200nm左右。无电金属沉积法为硅纳米线及其阵列的制备提供了一种设备简单、条件温和的制备方法。 展开更多

关键词 硅纳米线阵列 银枝晶 无电金属沉积法 制备

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沉积法掺金改善碳纳米管电接触特性 被引量：2

8

作者 孙蒙蒙 常春蕊 +2 位作者 张志明 张亚东 安立宝 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期151-157,共7页

研究了沉积法在碳纳米管中掺杂金属金对碳纳米管与金属电极间的电接触特性的影响。首先,采用酸回流方式在碳纳米管表面构造缺陷及亲水官能团并配制碳纳米管分散液;然后,采用柠檬酸钠和氯金酸配制金溶胶溶液,再将配制好的碳纳米管分散液... 研究了沉积法在碳纳米管中掺杂金属金对碳纳米管与金属电极间的电接触特性的影响。首先,采用酸回流方式在碳纳米管表面构造缺陷及亲水官能团并配制碳纳米管分散液;然后,采用柠檬酸钠和氯金酸配制金溶胶溶液,再将配制好的碳纳米管分散液滴入金溶胶溶液中,经震荡沉积得到掺杂金纳米粒子的碳纳米管样品。扫描电子显微图片及红外吸收光谱表明,酸回流成功地在碳纳米管管壁及端部构造了一些缺陷及亲水官能团。形貌表征及X射线光电子谱表明,在碳纳米管表面及端部成功地掺杂了金纳米粒子。掺金后碳纳米管拉曼光谱的G带波数增大,表明该掺杂类型为p型。最后,采用介电电泳法将原样与掺金碳纳米管分别组装到金电极之间,并实时测量接触电阻。结果表明,沉积法掺金可降低碳纳米管与金电极间的接触电阻,其阻值平均降幅高达71.49%。 展开更多

关键词 碳纳米管 无电沉积 掺杂 金纳米粒子 接触电阻

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银纳米树的选择性沉积及其催化性质 被引量：3

9

作者 王皓南 齐殿鹏 +3 位作者 赵晓杰 马任平 于景生 吕男 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2319-2321,共3页

纳米银由于体积小、比表面积大及物理和化学性能独特而受到广泛关注[1,2].研究结果表明,纳米银的光学、电学和催化活性与粒子的粒径、形貌和结构之间存在强烈的依赖关系[3].

关键词 银纳米树 选择性无电沉积 催化性质

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掺钯碳纳米管的制备及电接触性能 被引量：6

10

作者 孙蒙蒙 常春蕊 +1 位作者 张志明 安立宝 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期11-17,共7页

以PbCl_2为介质,采用无电沉积方法制备了掺钯碳纳米管,并对其形貌和结构进行了表征.结果表明,掺入的钯纳米粒子分布均匀、粒径均一,掺杂量与粒径尺寸适中;所掺入的纳米粒子的成分为0价态的钯,且掺杂类型为p型.电接触性能测试结果表明,... 以PbCl_2为介质,采用无电沉积方法制备了掺钯碳纳米管,并对其形貌和结构进行了表征.结果表明,掺入的钯纳米粒子分布均匀、粒径均一,掺杂量与粒径尺寸适中;所掺入的纳米粒子的成分为0价态的钯,且掺杂类型为p型.电接触性能测试结果表明,掺钯碳纳米管与金电极间的接触电阻得到了明显改善,阻值平均降幅高达近71. 09%. 展开更多

关键词 多壁碳纳米管 掺杂 无电沉积 钯纳米粒子 接触电阻

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超高分子量聚乙烯纤维表面金属化改性及应用

11

作者 于佳立 陈胜男 +2 位作者 姚平平 秦佳莹 徐坚 《深圳大学学报（理工版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期480-489,共10页

超高分子量聚乙烯(ultra-high molecular weight polyethylene,UHMWPE)纤维及织物因表面呈化学惰性且高度结晶,导致其与复合材料基体之间的界面结合力弱,影响复合材料性能.为增强纤维表面活性,通过无电沉积金属铜的方法实现UHMWPE纤维... 超高分子量聚乙烯(ultra-high molecular weight polyethylene,UHMWPE)纤维及织物因表面呈化学惰性且高度结晶,导致其与复合材料基体之间的界面结合力弱,影响复合材料性能.为增强纤维表面活性,通过无电沉积金属铜的方法实现UHMWPE纤维表面金属化改性,制备UHMWPE-Cu复合纤维,分别考察金属镀层对UHMWPE纤维的形貌、晶体结构、表面粗糙度和电导率等性能的影响,并研究UHMWPE-Cu复合纤维与聚氨酯树脂基体之间的界面黏接性能和抗穿刺性能.结果表明,无电沉积金属化赋予了纤维良好的导电性能,电导率可达660.79 S/cm.同时,金属化增加了纤维的表面活性,提高了纤维与树脂基体之间的界面黏接性能.UHMWPE纤维可增强聚氨酯复合材料的剥离强度,相对于未改性纤维样品提高了108%.此外,UHMWPE纤维的金属化也显著提高了其复合材料的抗穿刺性能,与未改性样品相比,改性的样品抗穿刺性能提升了35%.金属化还大幅度提高了复合材料的电磁屏蔽性能,电磁屏性能可达53 dB,远优于屏蔽应用的合格电磁干扰强度值(20 dB).UHMWPE纤维表面金属化在电磁屏蔽上具有广阔的应用前景. 展开更多

关键词 复合材料 超高分子量乙烯纤维 无电沉积 金属化 界面黏接性能 电磁屏蔽性能

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DNA金属化及其应用

12

作者 邵从英 邓兆祥 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期243-250,共8页

由于DNA自身的导电性尚存在争议,研究人员试图通过金属化途径来提高DNA双螺旋结构的导电性,从而使其能够在纳米电子学方面发挥重要作用。本文简要综述了静电吸附、无电沉积、DNA自组装、金属蒸镀等常用的DNA金属化方法,介绍了这些金属化... 由于DNA自身的导电性尚存在争议,研究人员试图通过金属化途径来提高DNA双螺旋结构的导电性,从而使其能够在纳米电子学方面发挥重要作用。本文简要综述了静电吸附、无电沉积、DNA自组装、金属蒸镀等常用的DNA金属化方法,介绍了这些金属化DNA结构在纳米电子学、催化、传感等相关领域的应用,在此基础上对DNA金属化技术的进一步发展和存在的挑战进行了展望,揭示了其广阔的基础和应用研究前景。 展开更多

关键词 DNA模板 金属化 无电沉积 纳米线

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具有超疏水性质的图案化Ag膜 被引量：4

13

作者 白硕 杨凌露 +3 位作者 张茂峰 杨朝晖 张智峰 曹维孝 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1296-1299,共4页

以重氮树脂(DR)/聚丙烯酸(PAA)自组装膜的微图案作为模板,通过DNA和聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)在模板上的层层沉积制备了图案化的DNA膜.再在其中进行Ag的化学沉积得到图案化的Ag膜.最后利用低表面能的十二烷基硫醇对Ag膜进行表面修饰... 以重氮树脂(DR)/聚丙烯酸(PAA)自组装膜的微图案作为模板,通过DNA和聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)在模板上的层层沉积制备了图案化的DNA膜.再在其中进行Ag的化学沉积得到图案化的Ag膜.最后利用低表面能的十二烷基硫醇对Ag膜进行表面修饰,制备了具有超疏水性质的图案化Ag膜.其静态接触角达到约168°. 展开更多

关键词 超疏水 图案化 无电沉积 DNA膜 Ag膜

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使用有图案的形貌和自组装单层的微组装

14

《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期8-8,共1页

专利申请号：CN200580041608．8 公开号：CN101094936 申请日：2005-10-11 公开日：2007-12-26 申请人：关国3M创新有限公司 公开了将金属选择性无电沉积在具有金属性微结构表面上的方法。所述方法包括在所述金属性微结构表面上形... 专利申请号：CN200580041608．8 公开号：CN101094936 申请日：2005-10-11 公开日：2007-12-26 申请人：关国3M创新有限公司 公开了将金属选择性无电沉积在具有金属性微结构表面上的方法。所述方法包括在所述金属性微结构表面上形成自组装的单层，将所述自组装单层暴露到含有可溶形式沉积金属的无电镀溶液中，并将所述金属选择性地无电沉积在所述金属性微结构表面上。还公开了由本方法形成的制品。 展开更多

关键词 自组装单层 微组装 形貌 图案 结构表面 无电沉积 金属性 专利申请号

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具有表面增强拉曼散射以及荧光的银纳米树枝晶基底的制备

15

作者 翟冬峰 李赢 +1 位作者 苗红艳 石刚 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期40-43,共4页

实现表面增强荧光(SEF)与表面增强拉曼散射(SERS)双功能化基底的关键之一是提高金属表面的热点密度,但是先前工作或热点密度数量不理想、或构筑热点密度手段过于复杂。这里,利用简单的无电沉积技术在硅片表面制备银纳米树枝晶结构,从而... 实现表面增强荧光(SEF)与表面增强拉曼散射(SERS)双功能化基底的关键之一是提高金属表面的热点密度,但是先前工作或热点密度数量不理想、或构筑热点密度手段过于复杂。这里,利用简单的无电沉积技术在硅片表面制备银纳米树枝晶结构,从而有效地提高了电磁场强度和热点密度,使得附近分子活化。通过调节沉积时间,调控银纳米树枝晶结构形貌、尖端密度和尖端间隙,进而实现热点密度和等离子共振吸收峰的调控,优化得到拉曼增强因子和荧光增强因子分别为2630、39.13的双功能基底。 展开更多

关键词 无电沉积技术 银纳米树枝晶 热点 等离子体共振 荧光分析 拉曼分析

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