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用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路
被引量：
1
1
作者
林之恒
谈熙
闵昊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期801-807,830,共8页
提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈...
提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈可以控制接收机等效输入阻抗实部与虚部的变化,进行阻抗匹配,省去了片外匹配网络。在SMIC 0.13μm CMOS混和信号工艺下进行流片。测试结果表明,核心模块的电源电压为3 V,电流为7.3 mA,混频器的转换增益为21.8 dB,输入1 dB压缩点为-5.11 dBm,IP3为4.6 dBm,芯片核心面积为0.83 mm×0.56 mm。
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关键词
射频识别(RFID)读写器
接收机
无源混频器优先
阻抗匹配
虚部调节
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职称材料
题名
用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路
被引量：
1
1
作者
林之恒
谈熙
闵昊
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期801-807,830,共8页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA010404)
国际科技合作项目(2010DFB13040)
文摘
提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈可以控制接收机等效输入阻抗实部与虚部的变化,进行阻抗匹配,省去了片外匹配网络。在SMIC 0.13μm CMOS混和信号工艺下进行流片。测试结果表明,核心模块的电源电压为3 V,电流为7.3 mA,混频器的转换增益为21.8 dB,输入1 dB压缩点为-5.11 dBm,IP3为4.6 dBm,芯片核心面积为0.83 mm×0.56 mm。
关键词
射频识别(RFID)读写器
接收机
无源混频器优先
阻抗匹配
虚部调节
Keywords
radio frequency identification （ RFID ） reader
transceiver
passive mixer-first
impedance match
imaginary part adjustment
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路
林之恒
谈熙
闵昊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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