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基于电流模结构的超宽带无源混频器设计: 1; 作者李潇然王乾 +4 位作者雷蕾刘自成韩放齐全文王兴华《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期655-660,共6页; 采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻... 展开更多; 关键词超宽带低噪声跨导放大器直接下变频无源混频器跨阻放大器 CMOS工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器被引量：3: 2; 作者李垚朱晓维《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第6期26-30,共5页; 采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好... 展开更多; 关键词无源双平衡混频器单片微波集成电路宽带; 在线阅读下载PDF 职称材料

一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC 被引量：7: 3; 作者王贵德范举胜《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期451-455,共5页; 混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极... 展开更多; 关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器超宽带高隔离度; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路被引量：1: 4; 作者林之恒谈熙闵昊《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期801-807,830,共8页; 提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈... 展开更多; 关键词射频识别(RFID)读写器接收机无源混频器优先阻抗匹配虚部调节; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现被引量：3: 5; 作者田晓明白春风吴建辉《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1326-1331,共6页; 叙述了一种应用于智能传感器的低功耗射频前端电路,包括低噪声放大器和下混频器。智能传感器的无线通信一般基于Zigbee协议,Zigbee接收机一般采用低中频的架构以获得灵敏度和低功耗之间较好的折中。主要研究了从提高晶体管跨导效率和提... 展开更多; 关键词智能传感器低功耗射频前端噪声抵消跨导增强无源混频器; 在线阅读下载PDF 职称材料

抗干扰高线性射频前端设计被引量：6: 6; 作者陈志坚蔡敏《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-43,共7页; 为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声... 展开更多; 关键词声表滤波器射频前端跨导放大器无源混频器互阻放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于CMOS的电子传感接收电路的设计与实现被引量：1: 7; 作者邱小群张钢《现代电子技术》北大核心 2017年第18期124-126,共3页; 当前电子传感接收电路具有能耗高、性能参数不符合要求的弊端。为此,设计一种新的基于CMOS的电子传感接收电路,并介绍了电子传感接收电路设计方案。依据设计方案,选用源级负反馈电感匹配结构对低噪声放大器的基本电路结构进行设计;为达... 展开更多; 关键词 CMOS 电子传感接收电路复数滤波器无源双平衡混频器编程增益放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低功耗245 GHz次谐波接收机被引量：1: 8; 作者毛燕飞鄂世举 +1 位作者 SCHMALZ Klaus SCHEYTT J.Christoph 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期739-744,共6页; 介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链... 展开更多; 关键词 245 GHz 次谐波接收机锗硅BiCMOS工艺低功耗共基极低噪声放大器二次次谐波无源反接并联二极管对混频器中频放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于电流模结构的超宽带无源混频器设计: 1; 作者李潇然王乾雷蕾刘自成韩放齐全文王兴华; 机构北京理工大学集成电路与电子学院北京理工大学前沿技术研究院北京理工大学重庆微电子研究院北京理工大学长三角研究院(嘉兴); 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期655-660,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(62101038) 北京理工大学青年教师学术启动计划(XSQD-202105006)。; 文摘采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻放大器(trans-impedance amplifier,TIA),即LNTA-Passive Mixer-TIA结构.LNTA采用电容交叉耦合以及双端正反馈结构,解决阻抗匹配以及噪声等关键参数的折中问题.整个接收机链路获得较好的线性度及噪声性能,对于电源电压以及衬底噪声的鲁棒性也有所提升.后仿结果表明,在电源电压1.2 V情况下,射频输入信号频率为2~8 GHz,1 dB压缩点为−5.5 dBm,带内输入三阶交调点为−1 dBm,整体噪声系数为4 dB,核心版图面积为0.12 mm^(2).; 关键词超宽带低噪声跨导放大器直接下变频无源混频器跨阻放大器 CMOS工艺; Keywords ultra-wideband low noise transconductance amplifier(LNTA) direct down conversion passive mixer trans-impedance amplifier(TIA) CMOS technology; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器被引量：3: 2; 作者李垚朱晓维; 机构东南大学毫米波国家重点实验室; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第6期26-30,共5页; 基金国家自然科学基金(61671149,61701110); 文摘采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO到RF的隔离度大于40 dB,输入1 dB压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。; 关键词无源双平衡混频器单片微波集成电路宽带; Keywords passive double balanced mixer monolithic microwave integrated circuit(MMIC) wideband; 分类号 TN773 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC 被引量：7: 3; 作者王贵德范举胜; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期451-455,共5页; 文摘混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。; 关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器超宽带高隔离度; Keywords GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) monolithic microwave integrated circuit(MMIC)assive double balanced mixer ultra wideband high isolation; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路被引量：1: 4; 作者林之恒谈熙闵昊; 机构复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期801-807,830,共8页; 基金国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA010404) 国际科技合作项目(2010DFB13040); 文摘提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈可以控制接收机等效输入阻抗实部与虚部的变化,进行阻抗匹配,省去了片外匹配网络。在SMIC 0.13μm CMOS混和信号工艺下进行流片。测试结果表明,核心模块的电源电压为3 V,电流为7.3 mA,混频器的转换增益为21.8 dB,输入1 dB压缩点为-5.11 dBm,IP3为4.6 dBm,芯片核心面积为0.83 mm×0.56 mm。; 关键词射频识别(RFID)读写器接收机无源混频器优先阻抗匹配虚部调节; Keywords radio frequency identification （ RFID ） reader transceiver passive mixer-first impedance match imaginary part adjustment; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现被引量：3: 5; 作者田晓明白春风吴建辉; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1326-1331,共6页; 文摘叙述了一种应用于智能传感器的低功耗射频前端电路,包括低噪声放大器和下混频器。智能传感器的无线通信一般基于Zigbee协议,Zigbee接收机一般采用低中频的架构以获得灵敏度和低功耗之间较好的折中。主要研究了从提高晶体管跨导效率和提高电流利用效率两个角度实现低功耗的方法,低噪声放大器采用交叉耦合输入的噪声抵消结构,增强了输入管的等效跨导,因而在较低功耗代价下获得了低噪声系数并实现50Ω阻抗匹配;下混频器采用基于电流放大器的无源混频结构,输入跨导级通过电流复用提高了电流利用效率而输出跨阻级引入跨导增强技术减少了中频电流的泄漏,这使得在同等功耗水平下可以获得更高的线性度,即节省了功耗。讨论了电路设计过程并在TSMC 0.13μm CMOS射频工艺下进行流片验证,在1.2 V电压下整个前端电路消耗5.4 mW功耗和0.12 mm2芯片面积,仿真结果表明低噪声放大器获得了2.1 dB的噪声系数和小于-30 dB的S11,混频器转换增益为27.7 dB;而芯片测试得到的前端噪声系数为5.4 dB,IIP3达到5.5 dBm,能够满足智能传感器无线通信的需要。; 关键词智能传感器低功耗射频前端噪声抵消跨导增强无源混频器; Keywords intelligent sensor low power RF front end noise cancellation gmboost passive mixer; 分类号 TN942 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抗干扰高线性射频前端设计被引量：6: 6; 作者陈志坚蔡敏; 机构华南理工大学电子与信息学院; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-43,共7页; 基金广东省经济和信息化委员会重大专项(2011912004) 广东省产学研结合项目(2011A090200106) 广东省高新技术产业开发区发展引导专项(2011B010700065)~~; 文摘为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声、高线性的射频前端.流片和测试结果表明:该电路抑制带外强干扰达20 d B以上,在2.4 GHz可实现44.98 d B增益和2.03 d B噪声系数,同时获得-7 d Bm的输入三阶互调截点和+72 d Bm的输入二阶互调截点,实现了无需声表滤波器和抗干扰特性;整个射频前端供电电压为1.2 V,功耗为36 m A.; 关键词声表滤波器射频前端跨导放大器无源混频器互阻放大器; Keywords surface acoustic wave filters RF front-end transconductance amplifier passive mixer transimpedance amplifier; 分类号 TN929.531 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于CMOS的电子传感接收电路的设计与实现被引量：1: 7; 作者邱小群张钢; 机构珠海城市职业技术学院电子信息工程学院广东工业大学自动化学院; 出处《现代电子技术》北大核心 2017年第18期124-126,共3页; 基金国家自然科学基金项目(11101094) 广东省自然科学基金项目(S2013040012898) 珠海城市职业技术学院课题(20151201); 文摘当前电子传感接收电路具有能耗高、性能参数不符合要求的弊端。为此,设计一种新的基于CMOS的电子传感接收电路,并介绍了电子传感接收电路设计方案。依据设计方案,选用源级负反馈电感匹配结构对低噪声放大器的基本电路结构进行设计;为达到性能指标和降低功耗,混频器电路结构选用无源双平衡混频器结构;为了降低整个电子传感接收电路的能耗,令无源双平衡混频器的开关MOS管在无电流偏置的情况下运行。给出了复数滤波器设计的基本思想,通过反馈系统对编程增益放大器的增益进行管理,实现可编程放大器的设计。实验结果表明,所设计电路性能符合设计要求。; 关键词 CMOS 电子传感接收电路复数滤波器无源双平衡混频器编程增益放大器; Keywords CMOS electronic sensing receiving circuit complex filter passive double balanced mixer programmablegain amplifier; 分类号 TN99-34 [电子电信—信号与信息处理] TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低功耗245 GHz次谐波接收机被引量：1: 8; 作者毛燕飞鄂世举 SCHMALZ Klaus SCHEYTT J.Christoph; 机构浙江师范大学工学院东南大学毫米波国家重点实验室 IHP Heinz Nixdorf Institute; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期739-744,共6页; 基金浙江省自然科学基金青年基金(LQ17F040001) 东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)~~; 文摘介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.; 关键词 245 GHz 次谐波接收机锗硅BiCMOS工艺低功耗共基极低噪声放大器二次次谐波无源反接并联二极管对混频器中频放大器; Keywords 245 GHz subharmonic receiver SiGe BiCMOS technology low power common base LNA 2^nd passive APDP SHM intermediate frequency(IF)amplifier; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于电流模结构的超宽带无源混频器设计	李潇然王乾雷蕾刘自成韩放齐全文王兴华	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器	李垚朱晓维	《微波学报》 CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC	王贵德范举胜	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路	林之恒谈熙闵昊	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现	田晓明白春风吴建辉	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	抗干扰高线性射频前端设计	陈志坚蔡敏	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于CMOS的电子传感接收电路的设计与实现	邱小群张钢	《现代电子技术》北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	一种低功耗245 GHz次谐波接收机	毛燕飞鄂世举 SCHMALZ Klaus SCHEYTT J.Christoph	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料