光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical ...光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。展开更多
由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频...由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频功率分配器。同相功率分配器的实测结果显示插入损耗约为3.7 d B,隔离度约为25 d B,性能与威尔金森结构功率分配器接近,封装后的尺寸为1.6 mm×0.8 mm,小于威尔金森结构功率分配器。反相功率分配器仿真结果表明插入损耗小于4.2 d B,隔离度约为25 d B。该功率分配器可应用到移动通信终端。展开更多
消费类电子市场对产品的便携性要求愈益强烈。薄膜集成无源器件工艺由于集成度更高、成本低且性能较好而被提了出来。本文基于硅(Si)基薄膜无源器件工艺设计了一个集成静电防护(electro-static discharge,ESD)功能的双频器(diplexer),...消费类电子市场对产品的便携性要求愈益强烈。薄膜集成无源器件工艺由于集成度更高、成本低且性能较好而被提了出来。本文基于硅(Si)基薄膜无源器件工艺设计了一个集成静电防护(electro-static discharge,ESD)功能的双频器(diplexer),利用电磁仿真(EM)来优化双频器的性能。双频器在GPS频段的插入损耗小于1.1d B,回波损耗平均为10 d B,隔离度大于22 d B;在2.4 GHz WIFI频段的插入损耗小于1.2 d B,回波损耗为11 d B,隔离度大于30 d B;双频器的面积是1 100×950μm。经测试,在HBM模式下,可以经受2 k V的电压的冲击。对比低温共烧陶瓷和PCB工艺制作的双频器,这个双频器在保证性能的同时,具有体积小,价格低的优点。这样的diplexer可以用在很多手持设备和便携设备上面。展开更多
文摘光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。
文摘由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频功率分配器。同相功率分配器的实测结果显示插入损耗约为3.7 d B,隔离度约为25 d B,性能与威尔金森结构功率分配器接近,封装后的尺寸为1.6 mm×0.8 mm,小于威尔金森结构功率分配器。反相功率分配器仿真结果表明插入损耗小于4.2 d B,隔离度约为25 d B。该功率分配器可应用到移动通信终端。
文摘消费类电子市场对产品的便携性要求愈益强烈。薄膜集成无源器件工艺由于集成度更高、成本低且性能较好而被提了出来。本文基于硅(Si)基薄膜无源器件工艺设计了一个集成静电防护(electro-static discharge,ESD)功能的双频器(diplexer),利用电磁仿真(EM)来优化双频器的性能。双频器在GPS频段的插入损耗小于1.1d B,回波损耗平均为10 d B,隔离度大于22 d B;在2.4 GHz WIFI频段的插入损耗小于1.2 d B,回波损耗为11 d B,隔离度大于30 d B;双频器的面积是1 100×950μm。经测试,在HBM模式下,可以经受2 k V的电压的冲击。对比低温共烧陶瓷和PCB工艺制作的双频器,这个双频器在保证性能的同时,具有体积小,价格低的优点。这样的diplexer可以用在很多手持设备和便携设备上面。
